溶胶–凝胶法制备ATO-SiO_2抗静电复合薄膜的特性研究

采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。     

溶胶–凝胶法制备BaTiO3薄膜的研究

以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在 Al2O3基片上制备了 BaTiO3薄膜。具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的 pH 值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加入量和醋酸对溶胶–凝胶黏度的影响。并且可以把掺杂离子加入到溶胶–凝胶中,为调节 BaTiO3薄膜的性能打下了良好的基础。     

溶胶–凝胶法制备BST薄膜的结晶特性研究

采用改进的溶胶–凝胶(sol-gel)工艺配制了(Ba0.65,Sr0.35)TiO3(BST)溶胶。利用旋转涂覆工艺将BST溶胶涂覆在SiO2/Si衬底上,在不同的热处理条件下制备出BST薄膜。XRD分析结果表明:制得的BST薄膜形成了单一钙钛矿结构;AFM测试结果表明,BST薄膜表面平整致密,无裂纹。表面均方根粗糙度为3~6nm,晶粒大小分布均匀,直径约为40~100nm。随着热处理温度的提高,BST薄膜的晶粒变大,表面粗糙度变大。     

水热—溶胶凝胶法制备PZT薄膜

采用水热—溶胶凝肢法制备了锆钛酸铅( PZT)压电陶瓷薄膜.首先利用水热法处理Si基板,使之生成SiO2/Si层,然后采用旋涂法在处理好的Si基板上涂覆摩尔比r(Zr:Ti)为52:48的PZT前驱体溶胶.研究了基板处理方式、退火温度以及涂胶层数对PZT薄膜结晶性能、表面形貌及厚度的影响.结果表明:水热处理Si基板对P...     

溶胶—凝胶法制备Fe2O3薄膜

以三氯化铁与叔丁醇的反应产物为先驱物，用溶胶－凝胶法制备了透明均匀的Ｆｅ２Ｏ３薄膜。利用ＦＴＩＲ、ＸＲＤ、紫外－可见光谱分别对先驱物、凝胶和薄膜进行了分析。结果表明，采用上述先驱物通过溶胶－凝胶过程可获得均匀的Ｆｅ２Ｏ３膜，该膜在３５０℃－４００℃开始γ－Ｆｅ２Ｏ３向α－Ｆｅ２Ｏ３的转变，在可见光区，该膜的着色以吸收着色为主，呈淡黄－棕黄色。     

溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜的研究

采用溶胶-凝胶法在锌片和硅片表面制备氧化锌薄膜.采用XRD、SEM等分析测试手段对比了不同的配置比和衬底对氧化锌薄膜的相组成和显微形貌的影响.实验结果表明:与Si片相比,Zn片衬底对样品的衍射峰幅度产生一定的影响;所制备出来的样品都在衍射角2θ=34.4°附近出现衍射峰;当Zn2+浓度不同时,得到的ZnO薄膜的形貌不同.     

溶胶—凝胶法制备掺镧钛酸铋铁电薄膜

利用溶胶-凝胶法在Si（100）及Pt/Ti/Si（100）衬底上制备了Bi3.5La0.5Ti3O12(BLT-5）铁电薄膜,研究了在不同退火条件下BLT-5薄膜的结晶性能。经650℃、30min退火处理的BLT-5铁电薄膜的矫顽场Et=67kV/cm,剩余极化强度Pt=11.2μC/cm∧2,BLT-5铁电薄膜呈现较好的抗疲劳特性,可望用于制备高容量铁电随机存取存储器。     

ITO薄膜的溶胶-凝胶法制备

介绍了几种用溶胶 凝胶法制备ITO薄膜的工艺方法 ,用其中一种无机的方法成功制备了ITO透明导电膜。当薄膜厚度为 30 0nm左右时 ,所得ITO薄膜在可见光区域内的平均透过率在 85 %以上 ,电阻率最低可达 0 .1 5Ω·cm。     

SiO2—Al2O3复合氧化物薄膜的溶胶—凝胶法制备研究

以ＴＥＯＳ和水合硝酸铝为原料用溶胶－凝胶法制备复合溶胶，对制备条件进行了研究，并用上述溶胶在不锈钢基体上制备了ＳｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合氧化物薄膜。结果表明，该薄膜在适当组成时具有良好的完整性。当硝酸铝含量过高时溶胶和凝胶的均匀性受到影响。     

溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡薄膜

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备钛酸锶钡(BST)薄膜,采用快速热处理(RTA)对薄膜进行烧结。利用DSC、XRD、SEM等技术分析了钛酸锶钡凝胶的热解过程,以及不同溶胶浓度下薄膜的晶粒、晶相、介温特性。实验表明:低浓度的溶胶(0.05mol/L)所制备的薄膜具有较大的介电反常,其晶相具有(111)取向性;而用0.3mol/L的溶胶制备的BST薄膜,晶粒没有(111)取向;用0.05mol/L溶胶制备,使BST薄膜的介温特性得到很大的改善,介温变化率dε(ε·dT)在11°C左右可达6%。     

sol-gel法制备ATO透明导电薄膜

以无水SnCl4为原料,通过sol-gel法制备出稳定性很好的SnO2溶胶并由此得到掺杂的SnO2薄膜。利用差热–热重分析、XRD、IR等手段分析了制备薄膜的sol-gel过程,同时运用Hall法测量了薄膜电性能随固化温度的变化。结果表明:Cl–的存在抑制了溶胶的聚合反应,故溶胶的稳定性得以保证,而溶胶的聚合是在薄膜的固化过程中完成的。薄膜中晶粒随固化温度升高呈现指数趋势增大,电阻率随固化温度的升高逐渐减小,在固化温度700℃时达到最低值3.7?·cm。     

Cerium-Modified Mesoporous Antimony Doped Tin Oxide as Intercalation-Free Charge Storage Layers for Electrochromic Devices

Charge storage layers are an important component of electrochromic devices, which are expected to exhibit high storage capacity and transparency as well as fast electron transfer rates. However, these layers often rely on the (de)intercalation of ions into the crystal lattice of the material and therefore require optimization to be compatible with non-intercalating electrolytes. In this report, the post-modification of mesoporous antimony-doped tin oxide (ATO) nanoparticle layers with a redox-active cerium compound is described. In particular, the switching of the Ce³⁺/Ce⁴⁺ couple on the conductive nanoparticle scaffold is demonstrated using tetrabutylammonium perchlorate as a non-intercalating electrolyte. Remarkably, high storage capacities of up to 27 mC cm⁻² and transmittance values of ≈90% are achieved. Variation of the antimony doping concentration revealed that nanoparticle layers doped with 15% Sb exhibit the highest capacity, which can be attributed to increased conductivity in the potential range where the Ce³⁺ ions are oxidized. Finally, the cerium-modified ATO films show promising performance as charge storage layers in an electrochromic device with a viologen-anchored ATO layer as the electrochromic working electrode. Switching times of ≈0.4 s highlight the fast electron transfer capability of the cerium-decorated ATO layer, even when a non-intercalating electrolyte is used.     

掺杂比与热处理温度对锑锡氧化物结构和导电性能的影响

采用水热法制备锑锡氧化物(ATO)粉体,运用差热–热重分析(DTA-TGA)、X射线衍射(XRD)等测试手段对粉体进行了表征。研究了掺杂比、热处理温度等工艺条件对ATO粉体结构和导电性能的影响。实验结果显示:粉体仍为四方相的金红石结构;锑锡掺杂比(摩尔比)为11%时达到最佳导电性能,随掺杂量增加,粉体晶粒度变小;随热处理温度升高,电阻值降低,粉体晶粒度变大。     

ITO透明导电薄膜的制备工艺研究

采用溶胶-凝胶法以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了ITO透明导电薄膜.详细研究了热处理初始温度、溶胶浓度、热处理温度、热处理时间、铟锡比例以及镀膜层数对薄膜光电特性的影响,得出了最佳工艺条件.结果表明,采用最佳工艺制备的ITO透明导电薄膜为体心立方的In2O3结构,Sn4 离子取代In2O3晶格中的In3 离子,样品不含低价氧化锡,薄膜方阻达到600 Ω/□,可见光透过率达到83%.     

制备工艺对氧化钒薄膜微观结构的影响

为了研究制备工艺对氧化钒薄膜微观结构的影响,采用X射线衍射和扫描电镜,对用sol-gel法制作的、不同热处理条件下的硅基氧化钒薄膜之结构及形貌进行了分析。结果表明,470℃下制作出的有种子层薄膜无裂纹、致密性好、晶粒尺寸分布均匀,在此温度下热处理4 h得到的有种子层氧化钒薄膜V2O5相最纯,衍射峰最强,而提高热处理温度会导致晶向杂乱,V2O5相的衍射峰强度降低,使得VO2相增多。     

Efficient OER Catalyst with Low Ir Volume Density Obtained by Homogeneous Deposition of Iridium Oxide Nanoparticles on Macroporous Antimony‐Doped Tin Oxide Support

A multistep synthesis procedure for the homogeneous coating of a complex porous conductive oxide with small Ir nanoparticles is introduced to obtain a highly active electrocatalyst for water oxidation. At first, inverse opal macroporous Sb doped SnO₂ (ATO) microparticles with defined pore size, composition, and open‐porous morphology are synthesized that reach a conductivity of ≈3.6 S cm^?1 and are further used as catalyst support. ATO‐supported iridium catalysts with a controlled amount of active material are prepared by solvothermal reduction of an IrO_x colloid in the presence of the porous ATO particles, whereby homogeneous coating of the complete outer and inner surface of the particles with nanodispersed metallic Ir is achieved. Thermal oxidation leads to the formation of ATO‐supported IrO₂ nanoparticles with a void volume fraction of ≈89% calculated for catalyst thin films based on scanning transmission electron microscope tomography data and microparticle size distribution. A remarkably low Ir bulk density of ≈0.08 g cm^?3 for this supported oxide catalyst architecture with 25 wt% Ir is determined. This highly efficient oxygen evolution reaction catalyst reaches a current density of 63 A g_Ir^?1 at an overpotential of 300 mV versus reversible hydrogen electrode, significantly exceeding a commercial TiO₂‐supported IrO₂ reference catalyst under the same measurement conditions.     

sol-gel法制备锆钛酸钡薄膜的研究

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。