通信用大功率半导体激光器的温控系统

主要叙述通信用大功率半导体激光器曙控原理及激光组件的构成。解决了大功率半导体激光器工程应用中输出功率和波长随温度变化较大的问题。     

用于气体检测的近红外半导体激光器温控系统

为了降低软件设计复杂度并提高分布反馈激光器发光波长的控制准确度及稳定性,设计了一种用于气体检测的半导体激光器温度控制系统,它由数字信号处理器、温度设定电路、温度采集电路、模拟比例-积分-微分电路、半导体制冷器控制电路等模块构成.利用该系统对用于水汽检测、中心波长为1 860nm的可调谐分布反馈激光器做了驱动实验,结果表明:该系统的有效控温范围为10℃~50℃,控温准确度为±0.05℃,温度稳定时间小于60s;改变温控系统的驱动电流和设定温度,测得的激光器工作波长呈现出良好的调谐特性;连续4天测得的4条光谱曲线几乎重合,表明该系统具有良好的稳定性.     

半导体激光器温控电路分析与测试

阐述了半导体热电致冷器(TEC)的基本工作原理,分析了TEC线性驱动和PWM驱动的原理以及采用PWM驱动的优点,介绍了PID温度补偿控制的原理,并设计了实验.采用相同的测试条件,对MAX1978、ADN8830和线性功率管进行了性能测试,实验数据表明温度控制电路采用PWM驱动功耗更小,全温(-40～60℃)控制效果更好.     

热电冷却半导体激光器的温控策略研究

本文以半导体激光器为研究对象,利用Simulink建立了基于热电制冷的半导体激光器温度控制仿真模型,对比不同工作状态下PID控制策略和模糊控制策略温度控制效果,结果表明两种控制策略都能满足半导体激光器温度控制和及时启停要求,其中PID控制算法精度可达到0.01℃。采用PLC温控器设计了两种温控系统的试验台,温控精度达到±2℃,实验发现两种温控策略有各自优势,应根据半导体激光器实际工作状态选择合适的温控策略。     

半导体激光器

TN248.4 2004031745半导体激光器后腔面高反射涂层的研究=Study of structure of high reflecting coating for semiconductor laser rearfacet[刊,中]/吴根柱(中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室.上海(200050)),齐鸣…∥功能材料与器件学报.—2003,9(3).—343-346 采用金属银(Ag)作为高反射镀膜材料,ZrO_2介质膜     

半导体激光器

Uniphase公司研制的3502型半导体激光器系统可输出670nm的圆形高斯衍射受限光束。其特点是低噪声下的温度控制、激光器寿命长和TTL调制(50Hz)。据Uninhase公司宣称,3502型很适合于高性能图像记录应用。     

半导体激光器

介绍了单片机控制的半导体激光器的稳光强器,系统地阐述了其工作原理、硬件及软件设计。实验测得,在室温条件下,稳光强器6h输出光强的稳定度达到0.28%。     

半导体激光器

TN248.42007010198一种大功率窄脉宽半导体激光电源的研究=Alarge pow-er semiconductor laser power supply with narrow pulsewidth[刊,中]/高军涛(中国电子科技集团公司第27所.河南,郑州(450015)),黄伟…//电光系统.—2006,(2).—24-26设计了一种大电流窄脉宽半导体激光器电     

半导体激光器

TN248.4 2004064104 高铝Al_xGa_(1-x)As氧化层对垂直腔面发射激光器的影响=EffeCt of high aluminum AlGaAs oxidized layers on vertical cavity surface-emitting lasers[刊,中]/康香宁(中科院半导体所光电子器件国家工程中心,北京(100083)),宋国峰…∥半导体学报.—2004,25(5).—589-593 针对可见光垂直腔面发射激光器的制备,通过湿氮氧化实验和测量微区光致发光谱分别研究了高铝组分Al_xGa_(1-x)As的氧化特性及氧化产物的收缩应力对有源区的影响.结合器件结构设计确定了氧化限制层Al_xGa_(1-x)As的铝组分和最佳位置,并制备出了低阈值电流的AlGaInP系垂直腔面发射激光器。图7参12(严寒)     

半导体激光器

TN248.4 2004010136 大功率半导体激光器的可靠性研究=Reliability of highpower semiconductor laser diodes[刊,中]/曹玉莲(中科院长春光机所.吉林,长春(1300220),王乐…∥发光学报.—2003,24(1).—100-102 对InGaAs/A1GaAs和InGaAsP/GaAs有源区含铝的915nm和无铝的808nm腔面镀膜及未镀膜的大功率半     

半导体激光器系统输出混沌激光研究进展

混沌激光由于其类噪声的随机性和优良的抗干扰性,广泛应用于混沌保密通讯、激光雷达、光学检测等方面,而且半导体激光器自身体积小且结构稳定,成为产生混沌激光的主要激光器之一。但是,常规光反馈结构的半导体激光器系统输出的混沌激光信号带宽较窄且存在延时特征,这严重影响了混沌激光的应用。针对半导体激光器系统的上述问题,本文综合介绍了降低延时特征和优化混沌激光带宽的研究进展,对混沌保密通讯十分重要的混沌激光的同步性研究进展和半导体激光器系统输出的混沌激光在应用方面的研究进行了总结,并最终对半导体激光器系统输出的混沌激光的未来发展与应用前景进行展望。