场致发光层的高温固化对其亮度的影响

目前作为场致发光层的介质粘合剂材料,其固化温度都不超过130—150℃,并且没有发现用这种条件制备场致发光层对场致发光粉的亮度特性有不良影响。由于发现介电常数大的新粘合剂,它能在200℃以下几小时内固化,所以弄清这种固化条件到底对场致发光粉的亮度及其稳定性有多大影响是重要的。 为此研究了用两种化学性质相同的有机硅粘合剂和场致发光粉—515制作的场致发光层,其一是—1在150℃时固化,其二是—2,它的固化温度仅在200℃。与此同时研究了漆BC—530和在200℃空气中予热5小时的场致发光粉—515及其普通粉制作的场致发光层。     

激子转移对GaP:N发光热猝灭过程的影响

本文研究了20K-120K范围内GaP:N束缚激子发光与温度的关系,从实验结果发现,各发光中心之间存在着激子转移.初步分析表明,采用带带激发方式,激子转移会导致深束缚中心的热激活能拟合值偏高,其发光热猝灭是由于空穴的热离化所造成的.     

关于复合发光效率的测定

研究了复合发光效率,即复合后发光的光子数与电子和离化中心复合次数的比值。本文在假设激发时期和衰减时期的发光效率不随时间而变和无外部猝灭的条件下,推导出用光和表示的衰减时期发光效率的公式为η_x=L_x/L_j A₂/A₁η_(jL)^C;并且在发光过程与双分子的反应规律相符合及满足上述假设的条件下,利用它测定了η_x。     

粉末材料的场致发光(1)

1.场致发光的基本现象及一般原理 (1)交流激发下的场致发光 用于交流激发的粉末场致发光材料主要是ZnS:Cu之类材料。 交流场致发光的亮度和所加电压的关系符合经验公式: B=B_0exp[-(V_0/V)~(1/2)] 其中B为亮度,V为外加电压,B_0和V_0为和电压无关的常数。从这个经验公式可以知道,亮度是随电压的增大超线性增加的。B_0和V_0与温度、电压的频率,所用的发光粉,发光屏的结构有关。频率越高,温度越     

稳定的低压场致发光屏

在各种不同的技术领域中,作为指示器及光源用的场致发光屏,为了得到所需的亮度,一般都用较高的交流电压(100—220伏)激发。参考资料[1—3]指出了利用各种有机粘合剂制备在较低电压下有几十个尼特亮度的场致发光屏的可能性。但是这些场致发光屏的稳定性很差(特别是用细的场致发光粉时),并且在连续工作时亮度急剧下降。只有采用稳定过的细的荧光粉,情况才比较好。本文研究了解决这个问题的另一种途径,即利用玻璃介质制备稳定的低压场致发光屏。     

含填加剂的蒽的绿色场致发光

采用几类电极材料,已能观察到蒽晶体的场致发光。这种发光是由于注入晶体的电子和空穴的复合引起的。近来,使用牢固的接触方法,观察到蒽晶体稳定的兰色发光。如所周知,在光致发光场合下,蒽晶体中的丁省分子从蒽得到能量而发射绿色光。蒽的萤光强烈地猝灭,以至在小于10~(-6)克分子％丁省的浓度下,也能观察到强烈的绿色萤光。由于加入适量     

镍、钴、铁对硫化锌镉磷光体发光猝灭作用的某些规律性

Ni、Co、Fe杂质对ZnS—磷光体发光的猝灭作用和这些元素的未填满的3d—壳层结构有关。由于这个原因,它们较易于改变自己的价态,俘获晶体里边移动着的载流子。除此以外,在配位场中,产生一系列彼此相近的能级分布,从而建立了从高能级到低能级的逐级无辐射(或红外辐射)跃迁的可能性。 同时,铁族元素作用机制的许多问题始终不清楚,特别是有关激发辐射的性质对杂质作用特性的影响,以及俘获电子和空穴次序这样的问题更不清楚。     

非稀土元素对硫氧化镧铽发光性能的影响

本文研究了22种非稀土元素对La2O2S:Tb阴极射线激发发光性能的影响,其中周期表第Ⅱ族元素对发光亮度起增强作用,而Fe、Co、Ni、Cr等重金属对发光亮度起猝灭作用,必须从原科中除去.除Fe外,非稀土杂质的量如<0.1%,一般对La2O2S:Tb的色度和余辉无明显的影响.     

紫外激发的LiCaPO_4:Eu~(2+)蓝色发光粉的发光特性

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Eu2+蓝色发光粉,并对其发光特性进行了研究。该发光粉发射峰值位于470nm,属于Eu2+的4f65d1→4f的特征跃迁发射,与结构相似的LiSrPO4:Eu2+和NaBaPO4:Eu2+相比其峰值有明显红移。Eu2+在LiCaPO4晶体中可被250～440nm光有效激发,这与紫外发光二极管的发射光谱(350～410nm)匹配。考察了Eu2+的掺杂浓度对发光强度的影响,最佳掺杂摩尔分数为5%,摩尔分数超过5%后发生猝灭现象。浓度猝灭机理为电多极-电多极的交互作用。LiCaPO4:Eu2+是适合UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光粉。     

纳米银胶中PVP和Alq3的荧光猝灭研究

本文通过湿法化学还原法合成了平均粒径为4.42nm、标准差为0.98nm的球形银纳米颗粒,并研究了在不同反应时间后获得的银纳米颗粒对PVP和Alq3的荧光猝灭效应。通过深入研究发现,PVP的荧光猝灭效应主要由于其分子链上的酮基与Ag颗粒之间发生了静电吸附,进而导致处在激发态的PVP分子与银颗粒之间产生电子或者能量转移(即非辐射弛豫),猝灭了PVP的荧光发光;而Alq3的荧光猝灭效应则主要归因于银纳米颗粒的欧姆损耗。通过采用时域有限差分法进行模拟发现,溶液中随机分布的银纳米颗粒,不仅能够吸收激发电磁波,削弱激发场强度,而且能够吸收荧光分子辐射的电磁波,进而猝灭了Alq3分子的荧光效应。这些研究成果将有利于了解金属纳米颗粒与PVP及Alq3分子荧光发光之间的关系,为调控荧光发光提供指导。     

场致发光ZnS:Er~(3 )薄膜的激发机理

在掺杂稀土离子的ZnS薄膜中,其发光中心为电场所激发的机理,过去认为可能有以下两种:(1)经由热电子直接碰撞激发;(2)基质晶格的碰撞离化产生了电子空穴对,继而发生从电子空穴对到发光中心的能量谐振迁移。 最近,Krupka证实了在ZnS:Tb~(3 )薄膜中的场致发光是由热电子直接碰撞而发生的。他观测了作为加在ZnS:Tb~(3 ),Ta_2O_5多层结构上的外加电压函数的荧光强度比     

Y2O2S:Sm3+发光材料在不同激发波长的浓度特征

研究了在不同激发波长下三价钐离子掺杂硫氧化钇的发光强度对浓度的依赖关系。研究发现磷光体的发光强度不仅跟激活离子的浓度有关,而且跟激发时所采用的不同激发波长有关。磷光体发光强度与激活剂掺杂量的变化曲线表明,在不同激发路径下磷光体具有不同的发光性质。采用Sm^3 离子直接跃迁的413nm对样品进行激发时,发生猝灭的浓度低至约0．2mol％;当采用263nm高能紫外线激发时,浓度猝灭发生在较高浓度处(～2mol％),后者是前者的10倍。对Sm^3 离子发射强度与浓度关系曲线进行了拟合计算,结果表明Sm^3 在Y2O2S中浓度猝灭的原因主要是相邻中心的偶极-四极相互作用引起的交叉弛豫。     

频控变色场致发光器件及机理研究

吸收是发光的前提条件,吸收变了发光的其他特性也会跟着改变。发光寿命长短又会反过来影响吸收的多少,这不仅存在于光致发光中,而且是一个普遍规律。作者从电场引起的场致发光中发现,在同一种材料中掺入两种发光寿命长短相差悬殊的发光中心Cu,Mn,利用激发电源频率的变化明显地显示出器件发光光谱的变化,在一种材料中实现了变色。实验结果证明提高激发频率可以提高短寿命发光中心的激发效率,通过改变激发频率的大小,就可以在掺有两种发光寿命大小不一的材料中实现了发光颜色的变化,这个规律只与发光中心寿命有关,而与激发方式及猝灭原因无关。     

聚烷基芴电场调制光谱研究

有机发光材料和器件中相关物理机制是一个人们普遍关心的问题, 特别是电场作用下的有机半导体激发态的行为格外引起人们的关注。电场调制发光光谱是研究在电场中元激发的产生和发展的非常有效的方法。文章利用电场调制光致发光(PL)方法研究了聚烷基芴的PL电场猝灭效应,得到聚烷基芴激子离化随电场强度变化的规律和载流子平均跳跃距离。研究还显示PL猝灭因子随激发波长的变化,短波长激发光时猝灭因子大。     

Tm^3＋掺杂MFT玻璃材料上转换荧光浓度猝灭的研究

我们制备了Tm3+掺杂的不同浓度的MFT玻璃材料,在650nm激发下观察了Tm3+掺杂的MFT玻璃材料的两个蓝色上转换发光,研究了上转换发光的浓度猝灭。实验结果证明这种材料的蓝色上转换荧光的猝灭浓度达到0.6mol*%,比其他材料中报道的猝灭浓度高3倍。研究了Tm3+离子间的交叉弛豫行为,详细讨论了引起浓度猝灭的原因。     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

Yb~(3+)/Tm~(3+)共掺杂Sb_2O_4荧光粉的制备及上转换发光性质研究

高温固相法制备了Yb3+/Tm3+共掺的Sb2O4发光粉体,研究了其上转换发光性质。在980nm半导体激光器的激发下,样品发射较强的近红外(800nm)和较弱的蓝色(480nm)及红色(680nm)上转换发光。粉末样品中稀土Yb3+及Tm3+浓度对上转换发光性质具有显著的影响,随着Yb3+或Tm3+浓度的增加,上转换发光增强;Tm3+掺杂浓度达0.8%时其上转换发光强度达到最大,之后上转换发光随Tm3+浓度的增加而减弱,这是由于浓度猝灭引起的。探讨了粉末样品的上转换发光机理,在980nm激发下Tm3+的蓝光和近红外上转换发光均属于二光子的上转换发光过程。     

叶绿素A(Chla)溶液发光同浓度的关系

我们在发光研究中,采用激发样品表层方法抑制自吸收—再发射的作用,得到较好结果,Chla己烷溶液和Chla乙醇溶液,在低浓度均有发光主峰683nm和次峰720nm,Chla己烷溶液发光在浓度为1×10-5M时开始浓度猝灭;Chla乙醇溶液发光,在5×10-4M时仍未见明显浓度猝灭。Chla己烷溶液发光,在不同浓度下,发光峰位基本不变,在高浓度尚有弱峰760nm。Chla己烷溶液发光主峰663nm随浓度增加向长波方向移动。     

空穴传输材料对CdSe核壳量子点的荧光影响

用稳态光谱和时间分辨光谱技术研究了空穴传输材料对CdSe/ZnSe 与CdSe/ZnS核壳量子点的荧光影响。结果表明,空穴传输材料对量子点有较强的猝灭作用,随空穴传输材料分子浓度的增加,量子点的荧光强度明显地被猝灭,同时量子点的荧光寿命也被减短。两种不同空穴传输分子对CdSe/ZnSe量子点的荧光猝灭明显不同。在与相同空穴传输分子相互作用时,包覆ZnS壳层的CdSe核壳量子点荧光猝灭效率明显低于包覆ZnSe壳层的CdSe核壳量子点。量子点的荧光猝灭过程可以解释为静态猝灭和动态猝灭过程,其中静态猝灭来源于量子点表面与空穴传输材料间相互作用,而动态猝灭则主要来源于量子点到空穴传输材料的空穴转移过程。实验结果表明空穴传输材料的种类以及核壳量子点的壳层结构都对其荧光猝灭效应起关键作用。     

Tm~(3+)掺杂MFT玻璃材料上转换荧光浓度猝灭的研究

我们制备了Tm3 +掺杂的不同浓度的MFT玻璃材料 ,在 6 5 0nm激发下观察了Tm3+掺杂的MFT玻璃材料的两个蓝色上转换发光 ,研究了上转换发光的浓度猝灭。实验结果证明这种材料的蓝色上转换荧光的猝灭浓度达到 0 6mol· % ,比其他材料中报道的猝灭浓度高 3倍。研究了Tm3 +离子间的交叉弛豫行为 ,详细讨论了引起浓度猝灭的原因