电致发光机舱仪表显示屏用发光粉

新型主战飞机用电致发光屏是一种新型的飞机座舱仪表信号显示屏，是基于电致发光(EL)原理而制作的，用于飞机座舱仪表照明显示。电致发光屏是为了解决飞机座舱仪表传统照明的不足而研制的第三代照明系统，这种发光屏不需外光源，直接将电能转化为光能进行显示，成功地解决了荧光显示和灯珠显示的诸多问题。电致发光，主要是在以ZnS等为基质的半导体材料中加入少量Cu、Mn等激活剂后在电场作用下发光。这种发光，作为一种固体冷光源在发光与显示领域得到了广泛的应用。国产系列飞机座舱信号显示屏成功地应用了电致发光技术，本文就电致发光屏所用发光粉的研制及性能进行了介绍和分析。     

第六章 电致发光材料

电致发光材料是一种在电场激发下发光的物质。电致发光现象不是由“效应”就是由“Destriau效应”引起的。 在第一种情况下,电致发光是在“注入到晶体”中的电荷作用下产生的。1923年在碳化硅上首先观察到了电场下固体物质的这种类型的发光。     

多晶的离子注入

§1 前言 电致发光元件的研究,直到现在还没有达到当初所期望的较大的进展,特别是对于Ⅱ—Ⅳ族化合场ZnS的EL进行了深入的研究,但在应用上还存在亮度,寿命等问题。ZnS系半导体作为可见发光材料,具有很多物理和化学特征,并且容易偏离化学比,所以不用说发光的理论研究,就是在说明是否发光的单纯现象方面,也是非常困难的。电致发光元件的分类有几种,按电压可分为直流EL和交流EL。交流EL本质是激发和发光过程间有半周期的延迟,更确切地说是指steinberger等人的学说所表示的现象,为方便起见,我们认为它是指加交流电压时发光的场合。     

微腔有机发光器件中的电致发光光谱

设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的增加出现振荡变化。空穴传输层和发光层的界面位置对器件电致发光谱的影响也很大。最后得到,在设计微腔时发光层厚度要尽量窄,并且中心发光区域应位于谐振腔中电场的峰值位置。     

固态阴极射线发光亮度的提高

为提高固态阴极射线发光亮度,以碰撞激发为核心,采取了两个方面的措施：第一是增大初电子的密度及过热电子的能量;第二是采用固态阴极射线发光和有机电致发光的混合或级联激发．固态阴极射线发光中的初电子来源包括从电极隧穿的电子和从界面态及材料陷阱中获释的电子．这些电子在电场的作用下在固体薄膜中加速获得能量,成为过热电子．它们碰撞激发有机材料发光后,本身并没有湮灭,而和传导电子及倍增电子一道与注入的空穴复合,产生发光．     

电致发光显示究研动向

继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL,     

ZnS薄膜参数对有机/无机复合发光器件特性的影响

半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料,TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层,ZnS作电子传输层,研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积,器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm,属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比,发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光,而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果：一方面电子经过ZnS 层加速后,碰撞激发CdSe QDs发光;另一方面,空穴从TPD层注入CdSe QDs 与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响,选择ZnS薄膜的厚度分别是80,120 和160 nm,发现随着ZnS层厚度增大,器件启亮电压升高,EL强度增大,但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移,对上述实验现象进行了机理解释。     

固体发光简介

固体发光是指一些固体在外界因素作用下能将所吸收的能量转变成光能的一种物理现象。外界的因素可以是光(主要是不可见的紫外线和红外线)、电场、电子束或放射线。它们对发光材料的作用称为激发。通常按照激发的方式,将发光现象分为光致发光、场致发光、阴极射线发光和放射线发光等。     

SiO2/C9-PPV异质结中类阴极射线发光及有机电致发光的交互增强

用夹在两层SiO2之间的发光聚合物C9-PPV作成器件，在交流电激发下得到了超出有机电致发光黄绿色发光的蓝色发光.通过对器件光学特性的研究，发现这种发光源于SiO2中加速电子直接碰撞激发有机发光层而引起的类阴极射线发光.使用非对称结构，得到了类阴极射线发光与有机电致发光相互增强的混合发光. 关键词： 混合发光 类阴极射线发光 有机电致发光     

引言

在各种类型激发作用下能发光*的物质叫发光材料。激发方法是这些物质分类的基础,例如: 光致发光材料—用紫外,可见或红外光激发; 阴极射线发光材料—用电子束激发; 电致发光材料—用电场激发;     

有机金属配合物电致发光材料的研究进展

有机电致发光材料是平板显示领域最有发展前景的材料之一。其中有机配合物应用最早,一般为五元环或六元环结构,性质比较稳定,熔点高,固体荧光效率高,应用十分广泛。将从配体和金属原子发光方面对其近年来在有机EL器件中的应用研究做一综述。     

Ir(PPY)3掺杂PVK的电致发光机理

近几年来发展起来的电致磷光(electrophosphorescence)是有机发光二极管(OLED)研究的新生长点。对电致磷光发光机理的研究随即得到了人们普遍的关注。比较了不同正向偏压条件下Ir(PPY)₃掺杂聚乙烯基咔唑(PVK)的光致发光(PL)和电致发光(EL)光谱。研究结果显示在电场和注入电流的共同作用下,PL光谱中基质PVK发光的相对强度并没有发生显著的变化。电场或注入载流子不会影响PVK向Ir(PPY)₃的能量传递。磷光掺杂聚合物EL主要是由于载流子在掺杂磷光分子上的直接复合,而不是由基质向磷光掺杂分子的能量传递。     

正向电压激发下ZnSe:Er3+MIS二极管的高场电致发光

本文研究了在室温下经Er离子注入ZnSe晶体的电致发光.报导了三价稀土离子在ZnSe MIS结二极管中的发光.阐明了Er3+离子是在高电场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可望在这类器件中有较高的效率.     

采用瞬态EL和延迟EL测试方法研究磷光掺杂体系的内部发光过程

有机磷光发光二极管(OLED)因为理论内量子效率能达到100%而成为研究热点,但是至今有机磷光OLED器件发光机理及过程仍然不完全清楚,需进一步研究. 本文中搭建了一套瞬态电致发光和延迟电致发光的测量系统,并首次综合运用瞬态电致发光和延迟电致发光测量来探测有机磷光OLED 器件发光层内部电荷载流子的运动,从而分析研究其内部发光过程及机理. 研究中首先制备了一种高效红色磷光材料(pbt)₂Ir(acac)衍生物(Irf)掺杂荧光材料作为发光层的器件,对其进行了瞬态EL测量,发现当驱动脉冲信号撤销时瞬态发光强度会突然出现一个瞬时过冲现象(transient overshoot),通过实验分析证实这个发光的瞬时过冲是由于发光层内部电子和空穴累积造成的,还证实了在发光层与空穴传输层界面存在空穴的累积. 通过延迟电致发光的研究发现在这种掺杂体系中发光主要来自于客体材料Irf的直接俘获电子空穴复合发光,而不是来自于主客体之间的能量传递,器件中的空穴传输发生在客体材料Irf上,而电子传递则主要在主体材料TAZ上. 同时还发现空穴注入是整个掺杂体系中重要的影响因素. 关键词： 瞬态EL 延迟电致发光 三线态-三线态湮没 overshoot     

SrS:HoF3薄膜的电致发光机制

研究了SrS:HoF₃薄膜的光谱特性,分析了光谱与驱动电压的关系,认为SrS:HoF₃薄膜电致发光不是以直接碰撞激发机制为主;方波脉冲激发下没有看到下降沿发光的现象,可能不存在发光中心离化的过程.比较SrS:HoF₃薄膜的电致发光与光致发光光谱,认为过热电子碰撞激发基质晶格,基质激发后将能量传递到发光中心是主要的激发过程.     

聚酰亚胺薄膜的电致发光和光致发光

测量了氙灯辐照后聚酰亚胺(PI)薄膜的光致发光(PL)强度、PL谱和氙灯辐照后直流高电场下PI薄膜的电致发光(EL)强度、EL谱、XRD谱和吸收光谱,研究了其EL、PL特性与微观结构的关系.结果表明:PI薄膜的PL强度随测量时间呈指数衰减,EL强度随场强呈指数增长;辐照39 h后,PI的预击穿场强为2.56MV/cm,...     

粉末交流电致发光屏使用寿命的延长

粉末交流电致发光,是以交流或直流电流直接激发固体发光材料,将电能直接转换成光能。如延长发光屏的使用寿命,是人们普遍关注的问题。     

场致发光的应用和固体显示的前景

本文着重介绍国外有关场致发光(EL)现象的应用和固体显示前景的展望。在经历一段几乎是停滞不前的状态之后,EL研究现在又进入一个相当活跃的时期,它引起许多方面人员的重视。尽管很引人注目的固体平板电视成为实际可用之前,还需要解决许多工艺上理论上的问题,可能还要若干年才能突破,但在此之前,许多中间产品已经或即将应用到三大革命运动中。今后固体显示一定会得到发展,但不应认为它将成为取代其他一切的万能显示,而是在某些方面它具有独特之处;当然,这样的观点也适用于其他各种显示技术。各有其所长,各有其所短。要克服缺点发扬优点就应努力解决工艺和理论问题。     

SrS∶HoF_3薄膜的电致发光机制

研究了ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的光谱特性,分析了光谱与驱动电压的关系,认为ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜电致发光不是以直接碰撞激发机制为主;方波脉冲激发下没有看到下降沿发光的现象,可能不存在发光中心离化的过程．比较ＳｒＳ∶ＨｏＦ３薄膜的电致发光与光致发光光谱,认为过热电子碰撞激发基质晶格,基质激发后将能量传递到发光中心是主要的激发过程     

聚合物/碳量子点复合EL器件及光谱移动机理

制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/polyvinylcarbazole(PVK)/carbon quantum dots(CDs)/LiF/Al的电致发光器件。器件的发光光谱显示:在电压从7 V增大到13 V的过程中,光谱峰值从380 nm移动到520 nm,色坐标由(0.20,0.20)移动到(0.29,0.35)。经与PL光谱对比认为,EL光谱包含了PVK与碳量子点的双重贡献,随着电压的增大,碳量子点的发射逐渐增强,PVK发光先增强后减弱。结合器件能级结构讨论了器件的发光机制,认为低电场下的PVK兼具发光层和电子阻挡层的功能,EL光谱为PVK层和碳量子点的发光叠加;随着电场强度的增大,碳量子点和PVK界面区的空间电荷阻止了电子向PVK的传输,光谱转变为由碳量子点和激基复合物的共同贡献。