多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。     

电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积

研究了含Cu~(2+),In~(3+),HSeO_2~+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.     

用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为

有机金属化学汽相沉积(MO-CVD)技术是一种新型薄膜材料制备技术,它优于目前通常采用的一般CVD和物理方法^[1]。主要优点:采用金属有机化合物为物质源,选择的范围比较大,其中含有易断裂的M-C键,易发生气相热分解氧化反应,成膜温度比较低,反应副产物仅有易挥发的碳氢化合物,使成膜环境无污染,易获得优质膜。因该技术是化学成膜,排除了物理方法中固有的不易控制化学计量的问题,易获得优质膜层。     

多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究

测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),价带位置基本保持不变.系列Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位Φ_(fb)推算出的极限开路光电压低,因此存在着提高实际开路光电压的潜力.     

CdS超微粒子薄膜电极的光电化学特性

采用电化学方法制备了含不同粒度的ＣｄＳ超微粒子薄膜电极，应用表面光电压谱和光电化学技术对电极的光电化学特性进行了研究。结果表明，这些电极具有明显的量子限域效应，同体相材料相经，ＣｄＳ超微粒子萍奄极显示出较高的光电响应，说明该薄膜电极具有独特的光电压和电荷传输机理。     

硼掺杂多晶金刚石薄膜电极的电化学特性

用循环伏安法和恒电位法研究了硼掺杂多晶金刚石薄膜电极（ＤＦＥ）的若干电化学特性。电极面积４×４ｍｍ＾２。在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＫＣｌ，ＮａＮＯ３，ＮａＯＨ和ＫＨ２ＰＯ４＋Ｎａ２ＨＰＯ４（ｐＨ＝６．８６）电解质溶液中电势窗口均为－５００￣＋８００ｍＶ；而在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ和Ｈ２ＳＯ４溶液中电势窗口为－２００￣＋１１００ｍＶ．Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６的氧化峰电位为＋５００ｍＶ，与Ｐｔ电极测量相同；校正     

脉冲激光沉积纳米TiO2薄膜电极的现场光电化学

在O3 /O2 气氛中采用 35 5nm激光烧蚀金属钛靶的反应性沉积薄膜方法 ,成功地在镀ITO膜的玻璃基片上制备了纳米锐钛矿相TiO2 薄膜电极 .用循环伏安法研究了在Li/TiO2 电池中TiO2 薄膜电极的电化学嵌入Li离子的行为 .由现场快速紫外可见吸收光谱实时监测TiO2 薄膜电极的显色特性 ,在波长 42 0和 6 5 0nm附近出现 2个明显的吸收峰 ,并发现TiO2 薄膜电极的吸收谱的涨落过程与Li离子的嵌入和脱嵌过程具有相关性与可逆性 ,表明该纳米TiO2 薄膜电极具有高质量的光电化学性能 .     

CdSe_xTe_(1-x)薄膜的光电化学研究

用涂敷法制备了Cdse_xTe_(1-x)薄膜电极0.8>x>0.4,其组成和结构用X射线衍射及X射线荧光光谱进行分析。对薄膜电极的光电化学性能,转换效率,能隙与x的依赖关系进行了研究。通过烧结工艺的改进,获得光电转换效率高于12％的薄膜电极。     

ELECTRODEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE Cd-RICH Hg_(1-x)Cd_xTe AND PHOTOELECTROCHEMICAL BEHAVIOR OF Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te THIN FILM

Electrodeposition process of polycrystalline Cd-rich Hg_(1-z)Cd_xTe (x>0.5) in acidic bath of CdSO_4+HTeO_2~+HgCl_2 was investigated. The simultaneous electrodeposition technique of three kinds of ions at the same potential has been achieved. The XRD, SEM and EDAX analysis of the thin film electrodeposited on titanium substrate showed a typical cubic zinc blende polycrystalline structure and homogeneous dispersion. The photoelectrochemical behavior of (1-x)=0.09 polycrystalline thin film in a polysulfide redox couple solution was examined. Under illumination of 100 mW/cm~2, the short circuit photocurrent I_(sc)=1.88 mA/cm~2, the open circuit photovoltage V_(oc)=0.25 V, the fill factor F·F=0.22. The bandgap E_g measured with photoelectrochemical spectroscopy is 1.26 eV. Flatband potential φ_(tb), Obtained from Mott-Schottky curve is -1.26 Ⅴ (vs. SCE). Therefore, the obtainable maximum open circuit photovoltage could be 0.49 Ⅴ. The Cd-rich Hg_(1-x)Cd_x Te thin film should be a potential photoactive el     

铁钝化膜半导体特性的光电化学研究

近年来,光电化学作为金属钝化膜的“现场”(insltu)研究方法越来越受到重视。本文研究了铁钝化膜在硼酸/硼酸钠溶液中的光电化学行为,通过钝化膜的光电流响应与入射光强、波长及电极电位关系研究,说明铁钝化膜的非晶态n型半导体特性。实验部分研究电极由99.99%的纯铁制成(购自上海冶金所),受光面积为0.5cm~2,对电极为1cm~2的铂片,饱和甘汞电极作参比电极。溶液的组成为Na_2B_4O_7(0.075mol·L~(-1))+H_3BO_3(0.3mol·L(-1)),试剂均为分折纯,用二次蒸馏水配制。灯源为400W溴钨灯,光强用JG-Ⅰ型绝对功率计(长春真空器件厂)测量,电极电位用DH-Ⅱ型双恒电位仪(延边电化学仪器厂)控制,测量光电流-电位及光电流-光强关系时,用脉冲白光作光源,脉冲光的频率用斩光器调节。测量光电流-波长关系时,用WDG-Ⅰ型强光单色仪(四平光学仪器厂)产生单色光,并用PAR-5202型锁相放大器测量光电流,     

多晶二氧化钛表面浸润性转变的机械化学处理方法

TiO₂薄膜具有光致超亲水性 ,在黑暗中放置一段时间后转变为疏水性 .本文报道了一种可以在几分钟内实现多晶锐钛矿薄膜表面的亲水性向疏水性转变的机械化学方法.     

罗丹明B在TiO2薄膜和P-25涂层催化下光反应的比较

半导体光催化剂尤其是TiO₂由于表面的光生空穴具有很强的氧化能力^[1-2],能够完全降解有机物,在环境治理方面具有潜在的应用前景,因而日益引起人们的关注.目前,利用胶体溶液和颗粒悬浮体系光催化降解有机污染物的研究已经开展得十分广泛^[3-5].但是,从实用的角度来考虑,这一体系存在许多缺点,如反应后催化剂难于分离,颗粒不适宜作循环体系的处理等等,因此催化剂的固定日益迫切.为解决这一问题,近来已经有许多人在固定粉末催化剂以及制备催化剂薄膜方面^[6-8]进行了探索和尝试,但尚未得到理想的结果.因而发展高效固定化的催化剂仍然是极为重要的,同时对于薄膜催化机理的深入探讨也有利于在制备过程中有目的地提高膜的催化活性.     

Preparation of bismuth telluride thin film by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE)

Thin-layer electrochemical studies of the underpotential deposition (UPD) of Bi and Te on cold rolled silver substrate have been performed. The voltammetric analysis of underpotential shift demonstrates that the initial Te UPD on Bi-covered Ag and Bi UPD on Te-covered Ag fitted UPD dynamics mechanism. A thin film of bismuth telluride was formed by alternately depositing Te and Bi via an automated flow deposition system. X-ray diffraction indicated the deposits of Bi₂Te₃. Energy Dispersive X-ray Detector quantitative analysis gave a 2: 3 stoichiometric ratio of Bi to Te, which was consistent with X-ray Diffraction results. Electron probe microanalysis of the deposits showed a network structure that results from the surface defects of the cold rolled Ag substrate and the lattice mismatch between substrate and deposit. Translated from Chinese Journal of Applied Chemistry, 2005, 22 (11) (in Chinese)     

溶胶凝胶法制备Y_2O_3∶Eu发光薄膜

以无机盐为水解原料,用溶胶 凝胶法制备了透明、稳定的前驱液,加入适量的成膜物质聚乙烯醇后,用浸渍拉提法在石英玻璃表面得到均匀的溶胶膜,经过室温干燥和低温处理的薄膜再于一定的温度下烧结,得到了红光发射掺铕的氧化钇薄膜.通过X射线衍射对膜的结构进行表征,表明在600℃时就开始了晶化,在900℃时形成单相Y2O3晶体.激发光谱和发射光谱显示,在220nm和260nm之间有很宽的激发峰,最强峰在236nm处,而发射主峰在614nm处,是一种很好的红光发射薄膜材料.     

二氧化钛功能薄膜研究发展与应用

二氧化钛薄膜在紫外光照射下的光催化活性和亲水性吸引了许多科学工作者对其进行了大量的研究.本文对近年来二氧化钛功能薄膜的研究发展与应用作了简要介绍,同时也对研究中存在的问题和将来研究发展的方向进行了简单评述.     

电解沉积成膜法制备氧化钼变色薄膜的研究

本文研究了一种新的制备过渡金属氧化钼(MoO₃)变色薄膜的方法,即电解沉积成膜法。通过X射线衍射实验证明用该方法制得的氧化钼薄膜为非晶质。与传统的真空蒸镀法相比,该薄膜同样具有良好的电致变色和光致变色特性,并观测到了可见光变色效应。结果表明,该方法将为大面积制备均匀过滤金属氧化物变色薄膜走向实用化打下基础。