КАРТИНЫ РАССЕЯНИЯ НА КРИСТАЛЛАХ NaCl С ПРИМЕСЬ Ю Ni

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Scattering images of NaCl crystals with Ni

     

Thermoluminescence of (ZnS∶CdS∶Ag∶Ni∶Co) phosphors

The doping of (ZnSCdSAgNi) phosphors with cobalt impurity results in new phosphors with thermoluminescence curves showing five distinct peaks. Four of these peaks are associated with chlorine, cadmium, cobalt and nickel impurities and have energy depths of 0·26 eV, 0·52 eV, 0·53 eV and 0·78 eV respectively. The fifth peak, appearing at high cobalt concentrations, has an energy depth of 1·09 eV and is attributed to the formation of (Co⁺⁺ - Ag^–) associates. The emitted thermoluminescence consists of two bands: one in the yellow and the other in the red spectral region. The yellow band subsumes the chlorine, cadmium and cobalt peaks and is due to recombination processes occurring through silver centres. The red band, on the other hand, includes the nickel and the (Co⁺⁺-Ag^–) peaks. The appearance of the nickel peak in the red band is explained by recombination processes at energy levels created by the nickel impurity centres.     

A proposed mechanism for void formation in electron-irradiated (ZnS∶CdS∶Ag∶Ni∶Co) phosphors

Transmission electron microscopy and diffraction investigations have been conducted on (ZnSCdSAgNiCo) phosphors. The phosphors decomposed under electron bombardment according to a suggested mechanism in which the creation of metallic ion vacancies led to the formation of cavities and voids. Sulphur atoms, resulting from the transformation of sulphur ions by secondary electron emission, acquired energy from the electron beam and penetrated the walls of the voids under the effect of relaxation. The voids migrated to the crystal faces under the combined effect of temperature and electric potential gradients set up by the electron beam. The final decomposition product consisted of colloidal zinc and cadmium which were accompanied by the release of sulphur. The decomposition rate increased with increase in cobalt content of the phosphor due to a corresponding increase in the concentration of defects. The catastrophic decomposition occurring at high beam intensities has been attributed to a highly localized temperature rise in certain regions of the irradiated crystals.     

CuAlS2∶Ni+晶体光谱和电子顺磁共振谱研究

Ni 离子在三元化合物CuAlS2半导体中替代离子Cu .应用晶体场理论,结合CuAlS2中Cu 位置的结构数据,计算了CuAlS2∶Ni 晶体的光谱和电子顺磁共振谱(g因子和超精细结构常数),计算结果与实验值符合得很好.     

浸渍法制备Al2O3∶Ni2+及其EPR研究

使用浸渍法制备了Al2O3∶Ni2+晶体,并对不同温度400℃～1000℃焙烧的7种样品进行了分析,采用日本岛津电子公司生产的JES-FA200电子顺磁共振谱仪测试了样品的电子顺磁共振谱,分析了EPR信号对应的离子归属,对今后使用电子顺磁共振研究Al2O3∶Ni2+提供了借鉴参考依据.     

Er∶YCOB和Er∶Yb∶YCOB晶体的光谱分析

分别测量了 Er∶ YCOB晶体和 Er∶Yb∶YCOB晶体的室温吸收光谱。讨论了 Yb3 +离子对 Er3 +离子的敏化作用     

敏化光波长对(Fe,Ni)∶LiNbO_3晶体全息记录性能的影响

分别采用514 nm绿光4、88 nm蓝光和390 nm紫外光作为敏化光,633 nm红光作为记录光,详细研究了敏化光波长对氧化(Fe,Ni)∶LiNbO3晶体全息记录性能的影响。结果表明:随着敏化光波长的逐渐减小,氧化(Fe,Ni)∶LiNbO3晶体的非挥发全息记录性能逐渐优化,390 nm紫外光是这三种敏化光中最优的敏化光。考虑敏化光的吸收,为了在双中心全息记录中获得最优的性能,应当选择合适波长的敏化光:一方面短波长敏化光能有效地敏化深中心;另一方面短波长敏化光的吸收太强(如对光折变效应无用的基质吸收),不能沿厚度方向有效地敏化晶体,所以实际上需折衷考虑,并从理论上给予了解释。     

ВлИьНИЕ Cd НА пОглОЩЕН ИЕ NaCl

NaCl Cd , .

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The influence of Cd on the absorption of NaCl

Absorption measurements on uncoloured and X-rayed crystals of NaCl with different Cd-concentrations were made to show under what conditions the non-active form of this impurity may become the active form.

     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%,掺入（质量分数）0.03% MnCO3和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时,OH-吸收峰移到3 528 cm－1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加,抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级,研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加,Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低,位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址,在输出平面上接收到较完整的存储图象.     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1％、3％、5％、7％和9％,掺入(质量分数)0.03％ MnCO3和0.08％Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7％和9％时,OH吸收...     

Eu3+∶Sm3+∶Cr3+∶YAG红色单晶荧光体

报道外延生长的多激活中心掺杂的红色单晶荧光体Eu3 ∶Sm3 ∶Cr3 ∶YAG ,其直径达到54mm ,荧光色坐标为x=0 .6 137,y =0 .3738,相当于波长λ=599nm的红色荧光 ,具有较高的色饱和度。这种单晶材料具有很好的抗电子束灼伤能力 ,在入射能量达到 10 5W/m2 时无发光猝灭现象 ,是一种较理想的红色单晶荧光材料。     

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体全息存储性能研究

以提拉法生长Zn(1mol% )∶Fe∶LiNbO3,Zn(4mol % )∶Fe∶LiNbO3,Zn(7mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体 Zn∶Fe∶LiNbO3晶体随着Zn2 + 浓度的增加 ,抗光致散射能力增加 ,Zn(7mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe∶LiNbO3晶体提高两个数量级以上 测试了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体衍射效率、响应时间 以Zn(7mol % )∶Fe∶LiNbO3晶体作为存储元件 ,Zn(4mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体作为位相共轭镜 ,进行全息关联存储试验 试验结果显示出成像质量好、图像清晰完整、噪音小等优点 研究了Zn∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能增强的机理 Zn(4mol% )∶Fe∶LiNbO3晶体具有全息存储性能最佳的综合指标     

In∶Nd∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究

在LiNbO3 中掺进In2O3 和Nd2O3,以Czochralski技术生长了In∶Nd∶LiNO3 晶体通过光斑畸变法测得In∶Nd∶LiNbO3晶体的光损伤阈值为1. 98×104W /cm2,比Nd∶LiNbO3晶体的1. 6×102W /cm2高两个数量级以上;晶体吸收光谱的测试表明,In∶Nd∶LiNbO3 晶体的吸收边相对Nd∶LiNbO3 晶体发生紫移研究了In∶Nd∶LiNbO3 晶体的倍频性能,结果表明,In∶Nd∶LiNbO3 晶体的相位匹配温度在室温附近,倍频转换效率比Nd∶LiNbO晶体提高二倍.     

a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究.结果表明a-Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiO_x∶H(x≈1.35).经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiO_x∶H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同     

Ce∶Co∶LiNbO_3晶体光折变性能研究

在LiNbO3中掺进CeO2 和Co3O4 ,以Czchralski技术首次生长Ce∶Co∶LiNO3,Ce∶LiNbO3,Co∶LiNbO3晶体 通过测试Ce∶LiNbO3,Co∶LiNbO3和Ce∶Co∶LiNbO3晶体的指数增益系数 ,位相共轭反射率和响应时间 ,计算晶体的有效载流子浓度和光电导 Ce离子能提高LiNbO3晶体光折变灵敏度 ,Co离子能提高LiNbO3晶体的响应速度和抗光致散射能力 ,从而Ce∶Co∶LiNbO3晶体具有较高的指数增益系数 ,位相共轭反射率 ,响应速度 Ce∶Co∶LiNbO3晶体具有优良的光折变性能     

Si∶H∶O薄膜的室温强紫外光致发光

用等离子体增强辉光放电法制成a-Si∶H∶O薄膜,未经任何后处理过程,观察到峰值分别位于340—370,400—430以及740nm的三个光致发光(PL)带.这种紫外光发射既强又稳定,其强度与薄膜中的氧含量紧密相关,而后者可通过薄膜淀积过程中施加在其衬底上的直流偏压进行控制.前两个PL峰来源于a-Si∶H∶O中与氧有关的色心,而后一个PL峰则来源于嵌入a-Si∶H∶O中纳米硅晶粒的量子尺寸效应和晶粒表面的色心两方面的作用.