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用化学腐蚀方法研究了磁场中布里曼法生长碲镉汞晶体的位错和亚晶界,在施加磁场的样品中观察到分布较为均匀的位借和较少的亚晶界,这可能是由于在生长过程中施加了磁场对组分分凝和组分过冷起到了一定的抑制作用。 相似文献
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在0 ̄4.5KGs的横向磁场中用布里兹曼法生长了碲镉汞晶体,轴向组分分布略见平缓,而径向组分显示出明显的偏心分布。在2 ̄3KGs下,径向组分均匀性有明显改善,并获得了组分分布更为均匀的“斜”平面。 相似文献
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布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望 总被引:2,自引:0,他引:2
简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理,回顾了国内进行磅镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法(ACRT-B)研究的情况,并提出了进一步研究的问题。 相似文献
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本文报导了将加速旋转坩埚技术布里奇曼法应用于碲镉汞单晶的生长工艺中,获得了性能优良的原生n型晶体。对于x值力0.19~0.22的φ12晶片,组份均匀性为±0.0025,77K下载流子浓度小于4×10~(14)cm~(-3),迁移率高达2.8×10~5cm~2/V·s 相似文献
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加速坩埚旋转布里奇曼法碲镉汞晶体生长 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了采用加速坩埚旋转技术(ACRT)Bridgman方法生长碲镉汞晶体的原理和方法。用这种技术生长的碲镉汞晶体的纵向和横向组分均匀性比常规Bridgman生长方法有很大的改善,提高了用于制作平均探测率为8.0×10^10cmHz^1/2W^-1的8元Sprite探测器的晶片可用率。 相似文献
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在北京正负电子对撞机国家实验室,用同步辐射拍摄了制备长波光导多元碲镉汞红外探测器的小晶片(面积小于1mm2)的高分辨率白光形貌相。实验结果表明:在碲镉汞小晶片中存在相当多的晶体缺陷,如亚晶界和晶格畸变区等。这些缺陷的存在说明样品受到较强的应力作用,样品晶格的完整性实际上反映了碲镉汞晶体生长和器件制备技术的应力控制水平。根据晶格的畸变模型,讨论了多元线列器件的性能与碲镉汞材料缺陷的关系。 相似文献
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本研究的目的在于实现8~12μmHgCdTe晶体的商品化。文中介绍了其生长工艺和性能检测,用付里叶红外光谱仪测得标准组分偏差△=0.004,测得原生晶体的空穴浓度可低达7.03×1016/cm3热处理后,晶体的Nn和μn分别为3.4~5.7×1014/cm3和(2.06~2.29)×105cm2/v.s用以上材料制成24元至160元光导红外探测器阵列及32元至64元光伏红外探测器阵列,其实验数据表明所研制的晶体均能满足不同应用之需要。 相似文献
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零偏压电阻-面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流-电压(I-V)测试,得到了组分x在0.5与0.6之间的器件R0A和J0随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致. 相似文献
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本文根据X射线形貌相、扫描电镜和金相显微镜的实验结果和有关位错、相图的理论,分析了位错和亚晶界、亚晶界和X射线形貌相的关系以及住错对布里奇曼技术生长的HgCdTe体晶结构完整性的影响。因位错降低能量的要求,HgCdTe体晶中的密度位错要形成亚晶界和三维位错网络等亚结构。在X射线形貌相中,亚结构的取向衬度是比位错直接象更强的成象机构。正常凝固长晶过程中HgCdTe材料的组分要变化,并使其固液界面的温度梯度也发生相应变化,由此引入的热应力在结晶过程中会在HgCdTe晶体中产生高密度位错。位错形成的亚晶界和三维位错网络等亚结构严重破坏了BridgmanHgCdTe体晶结构完整性,这使其X射线形貌相往往不好。 相似文献
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研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜. 相似文献
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布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究 总被引:2,自引:0,他引:2
文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果,简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响,并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较,在分析影响固液界面形态因素的基础上,认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。 相似文献
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通过迁移率分析法对LPE和MBE生成的n-HgCdTe样品进行了研究,获得了样品中体电子,体空穴以及界面电子的迁移率和浓度,通过迁移率谱人地获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理论分的完全吻合。 相似文献
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晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 . 相似文献
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磁场下硅中硼受主的光热电离光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在0-11T磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明:由于价带的复杂性、浅受主的基态和激发态在磁场下筒并的解除以及大的空穴有效质量,硅中浅受主的塞曼效应较浅施主更为复杂。 相似文献
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CO_2激光对长波红外HgCdTe探测器干扰的分析 总被引:6,自引:0,他引:6
激光干扰是对抗精确制导武器、保卫己方目标的重要方式.针对高功率CO2激光对某光导型长波红外HgCdTe探测器的干扰损伤进行了理论分析与实验研究.根据实验结果,利用激光辐照探测器的温升理论模型,计算了温升随辐照时间和功率的关系,并和CO2激光器辐照光导型长波红外HgCdTe探测器的实验结果进行了对比.理论和实验结果表明,此探测器的干扰阈值为16.5W/cm2,损伤阈值为126W/cm2.实验结论对研究激光干扰星载探测器技术具有一定的参考价值. 相似文献
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聚合物分散液晶膜中液晶分子的电场取向效应 总被引:3,自引:2,他引:3
制备了液晶微滴在聚合物基体中呈独立分散且具有不同尺度的PDLC复合膜,利用偏光显微镜实时地观察了微滴内液晶织构在适度电场作用下的变化特性,获得了有关微滴内液晶分子的动态取向信息。实验发现,当施加的电压由饱合值降低时,不同尺度的微滴内液晶分子呈不同的电场取向效应,对直径大于十几微米的微滴,液晶分子易呈现较强的取向滞后效应,而直径在微米量级的液滴其液晶分子的电场取向滞后效应相对减少。微滴内液晶分子的这种取向滞后效应正是PDLC膜在宏观上呈现光透过率滞后现象的反映。从作用能的角度出发,讨论了影响微滴内液晶分子取向滞后效应的因素,如微滴与基体的界面作用、液晶微滴的形状、电容效应以及工作温度等。 相似文献