GSI效应与开罗事例

 最近几年来,在联邦德国的Darmstadt市的高能重离子研究所（GSI）内,利用重离子加速器将铀、钍等重核进行加速,然后去轰击铀,钍、锔等重核靶子,进行了一系列重核-重核碰撞反应实验,发现了一个新现象.后来,人们把这种新现象称为GSI效应.他们于1984年发表的铀-铀碰撞反应实验结果如图1所示.这些实验结果的特点是:在较宽的正电子连续谱上叠加有一个正电子窄峰,其峰值能量为E_?+=（336±10）keV,峰的宽度为Γ～75keV.     

低能单色正电子束装置的原理、研制及应用

简要介绍了一种新的灵敏核探针－－低能单色正电子（慢正电子）束流装置的原理及应用。同时介绍了北京慢正电子束流装置的建设进展情况。     

正电子湮没技术在金属和合金研究中的应用进展

评述了正电子没技术（ＰＡＴ）在金属和合金研究中如下几个领域的应用进展：（１）金属间化合物空位形成的焓的测定;（２）淬火、辐照、形变及充氢等引起的缺陷及回复过程;（３）金属和合金的相变;（４）非晶、准晶及纳米晶的研究;（５）ＰＡＴ作为材料无损检测新技术的研究。     

化合物半导体材料的正电子寿命计算

在局域密度理论（LDA）和广义梯度理论（GGA）的基础上计算了ZnO,GaN,GaAs,SiC和InP五种化合物半导体材料中的正电子湮没信息,包括化合物半导体材料中的自由态正电子的湮没寿命;还有不同类型空位（单空位,双空位）附近俘获的束缚态正电子密度分布和湮没率分布,以及束缚态正电子的湮没寿命. 关键词： 半导体 正电子寿命     

正电子被分子散射总截面的计算

将光学势方法与可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ）相结合，我们计算了能量在１０－１０００ｅＶ范围内正电子被分子（Ｈ２，Ｎ２，ＨＣｌ，ＮＨ３，ＣＨ４，ＳＦ６）散射的总截面，计算结果与已有的实验结果进行了比较。     

Ca替代YBa2Cu4O8超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Ｙ１－ｘＣａｘＢａ２Ｃｕ４Ｏ８（ｘ＝０＼００－０＼１５）超导体系的正电子寿命谱，计算了局域电子密度ｎｅ和空位浓度Ｃｖ随替代含量ｘ的变化，发现了存在于ｘ＝０．１附近的峰值响应，讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关联。     

分子XH(X=O,S, Se和 Te)中的正电子能级与正电子原子

基于全对称群的Dirac方程, 研究当存在核场时的正电子能级及其与核场的关系, 即计算在分子OH, SH, SeH和 TeH的核场下的正电子能级. 这时正电子的能量约为 e⁺=-1.022 MeV. 对于低能级, 当核场强增大时, 其能量有所升高, 而对较高能级, 核场强增大时, 其能量无明显变化. 正负电子的湮没过程为三光子湮没过程(the three-photon annihilation). 而当生成e⁺- e^-< 关键词： Dirac方程 三光子湮没过程 正态的正电子原子 电荷宇称守衡     

元素周期表中元素单晶基于局域密度理论的正电子寿命计算

在局域密度近似理论（LDA）的基础上用中性原子叠加模型和有限插分方法（SNA-FD）计算了元素周期表中各种元素单晶的正电子体寿命和单空位寿命.分析了不同结构的单晶中自由正电子的分布信息和湮没信息.元素单晶的正电子寿命计算值与文献中的实验测量值相符合,表明LDA基础上的SNA-FD方法可以作为单晶中正电子湮没理论计算的有效研究手段. 关键词： 局域密度近似理论 正电子寿命     

正电子慢化体的研究和进展

正电子湮没技术是一种研究材料的微观缺陷和相变的灵敏工具,在通常的正电子谱仪中,正电子能量为MeV量级,在样品中注入深度比较学（－100μm）,主要研究材料体内的平均缺陷密度,慢正电子束方法把正电子的能量降低为keV量级（而且可以调节）,注入比较浅（－μm）,所以是研究表面缺陷的探测手段,正电子慢化体是产生慢正电子的关键设备,对其研究有重要意义,文章综述了慢化体研究的历史和现状,从物理概念出发介绍使正电子慢化的四种可能方法和当今慢化体的五种几何排列方法,其中应用最广泛的是钨慢化体和百叶窗式的排列方式,效率最高的是惰性气体固体慢化体,而加电场慢化体是有待开发的高效慢化体。     

正电子湮没技术

 正电子湮没技术（ＰＡＴ）是一项较新的核技术．它是利用正电子与物质的相互作用来获得凝聚态物质的微观结构、电子动量分布及缺陷状态等信息的实验技术．正电子是电子的反粒子,这种粒子首先是狄拉克在１９３０年建立相对论量子力学时预言其存在的．两年以后安德逊（Ａｎｄｅｒｓｏｎ在宇宙射线中发现了它．它是人们发现的第一种反粒子．正电子与电子一样,同属于轻子．正电子和电子作为基本粒子的属性列于表１．从表中可以看出正电子与电子具有相同的静止质量和自旋,所带的电荷和电子的电量相等,不过是正的,因而也具有正的磁矩．但是,正电子和电子之间也有重要的区别．     

反物质-物质结合能否产生分子？

当两个原子，每个原子由电子和它的反粒子（即正电子）组成，相互碰撞会发生什么变化呢？现在美国加州大学河边分校科学家Allen Mills教授研究小组发现这些被称为自然界不稳定正电子素原子（亦称电子偶素，符号为Ps）在相互作用后变成更不稳定，正电子素原子相互碰撞湮没，产生威力强大的1辐射．实验结果首次推测正电子素分子（Ps2）的存在，每个分子由两个电子和两个正电子组成．这种物质一反物质对至今实验上未被发现和研究，将开辟关于反物质性质全新领域的研究。     

二元羧酸取代的三核钼原子簇化合物的红外光谱与结构

本文考察了新合成的两个二元羧酸取代的三核钼衍生物Ｍｏ３Ｓ４（ＤＴＰ）３（ｐｈｔｈａｌａｔｅ）（Ｐｙ）（Ａ）（ＤＴＰ＝ｄｉｅｔｈｙｌ ｄｉｔｈｉｏｐｈｏｓｐｈａｔｅ,「Ｓ２Ｐ（ＯＥｔ）２」＾－）和Ｍｏ３Ｓ４（ＤＴＰ）３（ｍａｌｏｎａｔｅ）（Ｐｙ）（Ｂ）的红外吸收光谱,对Ｍｏ－Ｓ键及配体的主要吸收峰进行了归属和讨论,并与化合物Ｍｏ３Ｓ４（ＤＴＰ）４（Ｐｙ）（Ｃ）的谱图进行了比较。结果表明,通过对这类复     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．     

SmFeAsO材料的正电子寿命研究

首次用正电子湮灭寿命谱仪（PALS）测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分1516 ps和2903 ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为1870 ps,与理论计算（广义梯度近似）得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173 ps符合较好.基于中性原子叠加模型-有限差分方法(SNA-FD)的理论计算得到正电子与单晶SmFeAsO中各个原子价电子的总湮灭率是其与各个原子核心内层电子总湮灭率的106倍,正电子与Fe,As,Sm,O原子的电子湮灭的概率之比是1∶13∶12∶1. 关键词： 高温超导 正电子寿命     

核磁共振成像技术的新进展（下）

核磁共振成像技术的新进展（下）邬学文（华东师范大学分析测试中心，上海２０００６２）４化学移位成像￣［１３，１４］在凝聚态物质中，核自旋受到核外的电子所产生的局部磁场的作用，在不同的化学环境中，其共振频率略有不同，某种物质的共振频率Ｆｋ等于式中称为屏蔽...     

激发态Na和K原子间的碰撞能量合并

置于同一池中的Ｎａ原子和Ｋ原子，分别被连续染料激光器和Ｋ光谱灯激发型Ｎａ（３Ｐ），Ｋ（４Ｐ），Ｎａ（３Ｐ）原子密度由吸收等效宽度技术测定。利用调制技术，分离出了由异核碰撞产生的荧光光谱，观察到了Ｎａ（３Ｐ）和Ｋ（４Ｐ）间的磁能量合并现象，并测定了其碰撞截面。     

六、核分析技术

北京慢正电子强束流依托于北京正负电子对撞机(BEPC)电子直线加速器(LINAC)，利用其完成注入后的剩余时间，产生高强度、高亮度、低能单色正电子束流，应用于材料科学尤其是材料表面特性的研究。该装置的建成弥补了我国现有的基于放射性同位素的慢正电子束流装置正电子强度较弱的不足，拓展了慢正电子技术在材料科学和微观核探针方法学中的应用领域，为进一步建立慢正电子湮没寿命测量、正电子诱导俄歇电子能谱测量以及低能正电子衍射和正电子显微镜等方法奠定了基础。     

SmFeAsO材料的正电子寿命研究

首次用正电子湮灭寿命谱仪（PALS）测量SmFeAsO多晶样品常温下的寿命谱,得到两个寿命成分1516 ps和2903 ps,根据捕获模型得到正电子在SmFeAsO中湮灭的体寿命为1870 ps,与理论计算（广义梯度近似）得到的SmFeAsO单晶中的正电子体寿命173 ps符合较好.基于中性原子叠加模型-有限差分方法(SNA-FD)的理论计算得到正电子与单晶SmFeAsO中各个原子价电子的总湮灭率是其与各个原子核心内层电子总湮灭率的106倍,正电子与Fe,As,Sm,O原子的电子湮灭的概率之比是1∶13∶12∶1.     

+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

通过透射光谱、x射线激发发射光谱（XSL）的测试，研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能，并利用正电子湮没寿命谱（PAT）和x光电子能谱（XPS）的实验手段，对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明，不同的+3价离子掺杂，对钨酸铅晶体发光性能的改善不同，并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升，而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降，掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词： 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱     

随机电报过程引起的光失相的计算

本文计算了红宝石中Ａｌ核自旋跳变引起的Ｒ１［４Ａ２（Ｓ＝－３／２）→２Ｅ（Ｓ＝－１／２）］回波衰减．用随机电报过程描述每个Ａｌ核自旋（ｉ）跳变引起Ｃｒ共振频率的起伏Δｉ，这个过程对光子回波衰减的贡献〈Ｅｉ（ｔ２１）〉可以用解析式表示．首先计算核自旋（ｉ）跳变的总速率Ｗｉ及它引起的Δｉ，求出〈Ｅｉ（ｔ２１）〉．设对Ｃｒ光失相起主要贡献的每个Ａｌ核自旋跳变近似是独立的，所以总的回波强度是所有Ａｌ引起的〈Ｅｉ（ｔ）２１〉的乘积．计算得到非指数的回波衰减，以Ｉ＝Ｉ０ｅｘｐ〔－（４ｔ／ｔｍ）ｘ〕拟合，ｘ＝２．５６，ｔｍ＝５０．６μｓ，与实验及计算机模拟的结果一致