氨基酸软模板对电沉积ZnO形貌影响的研究

考察了不同种类的氨基酸(组氨酸,赖氨酸,氨基乙酸,谷氨酸)对电沉积制备的ZnO的形貌及晶体取向的影响.结果表明:氨基酸添加剂对ZnO的形貌有非常显著的影响. 多孔纳米结构,中空圆饼型,毛绒球形等特殊形貌的ZnO可通过添加不同的氨基酸制备得到.在电沉积制备ZnO的过程中,以氨基酸作为软模板调控沉积物的形貌的方法,可以推广到其它金属氧化物的制备中.     

聚乙撑二氧噻吩导电聚合物上吗啡的电化学检测

在水相中电沉积制备得到了聚乙撑二氧噻吩（PEDOT）导电聚合物膜,研究了沉积电量、沉积电位等因素对聚合物膜的电化学活性及其在水溶液中检测吗啡的电化学响应的影-向．结果表明．沉积电量为20～40mC,沉积电位为1．2V（相对于Ag／AgCl电极）时所得的聚合物膜对吗啡具有最高的电化学响应．在此基础上,研究了PEDOT膜修饰电极在不同浓度的吗啡水溶液中的电化学检测,发现在0．05～6mmol·L^-1浓度范围内具有很好的线性响应．最低检测限为0．05mmol·L^-1,相关系数达0．995．     

脉冲激光沉积法制备La0.5Sr0.5CoO3薄膜及其结构和表面特性

利用脉冲激光沉积法在(001)取向的LaAlO3(LAO)衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的外延生长．主要研究了衬底温度(Ts)，激光能量(E1)和氧气压强(Po2)对薄膜结构和表面形貌的影响．X射线衍射结果显示在Ts=700—850℃的范围内沉积的LSCO薄膜都具有c轴取向．从扫描电子显微镜和原子力显微镜照片可以看出上述3个沉积参数中，氧压对LSCO薄膜表面形貌的影响最为显著，较低氧压下沉积的薄膜具有较光滑的表面．通过实验，确立了能够制备同时具有c轴取向和光滑表面的薄膜的最佳沉积参数范围．     

化学浴沉积法制备ZnS薄膜

太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中,采用氨水为主络合剂,水合肼为辅助络合剂,通过添加少量的分散剂丙三醇,调节沉淀团簇的大小,改善ZnS薄膜质量。薄膜结构和表面组织形貌分别采用X射线衍射仪测试和高性能光学显微镜观察。研究结果表明：在优化配方（ZnSO40．0075mol／L;SC（NH2）20．0075mol／L;氨水0．44mol／L;水合肼0．3mol／L）下,反应温度75℃和沉积时间60min时,得到的缓冲层光亮、平整。XRD衍射分析结果表明缓冲层主要成分为ZnS,存在少量Zn（OH）2。     

硒化镉片状纳米晶的合成与表征

采用溶剂热法制备了有机,无机前驱物CdSe·0．5en,然后对前驱物进行了真空退火处理,成功制备了CdSe片状纳米晶．所得样品物相和形貌用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）表征．结果表明,以乙二胺为溶剂,在18℃下反应24h后得到前驱物,然后将前驱物在300℃真空环境下进行退火1h,得到了物相为六方相、具有片状形貌的CdSe纳米晶．     

电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响

采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3 (LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA).用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构.再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用 RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱.分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响.     

金属与金属氧化物复合靶制备Bi_4Ti_3O_（12）薄膜

报道了金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法，制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ（１２）（ＢＴＯ）铁电陶瓷薄膜的方法，研究ＢＴＯ薄膜的晶体结构，表面形貌以及断面．实验表明采用复合靶能够制备质量好、成分均匀的ＢＴＯ薄膜，其结晶取向与基片材料有关，且退火工艺对膜的质量有影响．     

不同形貌羟基磷灰石纳米颗粒的可控合成及其对骨肉瘤细胞生长的影响

制备不同形貌羟基磷灰石纳米颗粒,检测其对骨肉瘤细胞生长的影响.采用化学沉淀的方法,可控制备球形和杆状纳米羟基磷灰石,并通过透射电子显微镜（TEM）、原子力学显微镜、傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR）和X-射线衍射仪（XRD）对所制备的颗粒进行表征.通过光镜和投射电子显微镜分析不同形貌羟基磷灰石颗粒对骨肉瘤细胞增殖和形貌的影响.结果表明,球形纳米羟基磷灰石对骨肉瘤细胞的抑制作用更明显.     

抗有机杂质镀镍添加剂对镍沉积晶体成核过程的影响

对抗有机杂质镀镍添加剂——“ＷＤＺ－９６１”对镍沉积晶体成核过程的影响进行了研究．结果表明，一方面它对Ｎｉ２＋的电沉积过程中的成核机理没有影响，无论镀液中是否加入该添加剂，电结晶都是连续成核过程；而另一方面，它又可加快电化学成核过程的速度，细化晶粒．     

Ca~(2+)对电沉积制备的ZnO形貌及光电化学性能的影响

以Zn(NO3)2为前驱体溶液,考察了Ca2+离子对电沉积制备的ZnO薄膜形貌和光电化学性能的影响.X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的结果表明,Ca2+离子使电沉积制备的ZnO薄膜从(002)面择优取向的六方柱阵列结构变成了随机取向的多孔片状结构.电子能谱(EDS)、紫外可见光吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(PL)的结果表明,Ca2+未掺杂到ZnO晶格中.通过分析溶液中锌和钙元素的形态分布随溶液pH的变化,认为可能是Ca2+离子通过面选择性静电吸附在ZnO带负电的(002)晶面上,抑制了该晶面的生长,造成其形貌变化.光电化学性能和电化学阻抗谱结果表明,由多孔片状ZnO组成的光阳极具有更好的光电化学响应性能和界面电子转移效率.     

ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备

利用Zn膜热氧化获得的非晶ZnO薄膜作为缓冲层,再采用Zn粉热蒸发工艺合成出定向、致密且直径较细(≈40 nm)的单晶ZnO纳米杆阵列,其阵列密度约为2.3×107mm-2.比较了在厚度不同的Zn膜所形成的ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米杆形态,讨论了ZnO缓冲层表面形貌对ZnO纳米杆生长形态的影响.结果表明,随Zn膜厚度的增加,ZnO缓冲层从岛状大颗粒(0.5~1μm)并伴有密集小颗粒(<20 nm)状态变为连续薄膜,所得ZnO纳米杆从沿大颗粒表面无规则发散生长并伴小颗粒上的准定向生长转变成垂直于衬底的大面积定向生长,且纳米杆阵列也随着Zn膜厚度增加而变得定向、致密、和分布均匀.     

CuO纳米线的热氧化制备及其表面的ZnO纳米颗粒修饰

以Cu为基底,经热氧化制备出高质量的有序的单晶CuO纳米线阵列.通过采用离子束溅射技术,在高比表面积的CuO纳米线表面修饰ZnO纳米颗粒.运用X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）研究了样品的成分、晶体结构和表面形貌.实验结果表明,不同温度和时间下生长出的CuO纳米线阵列的纳米结构具有不同的成分、结构和形貌;600℃热氧化4 h生长出的纳米线均匀致密地附着在衬底表面,ZnO纳米颗粒浓密而规则地出现在CuO纳米线表面.这种由ZnO纳米颗粒和CuO纳米线构成的复合异质结构可以有效地增强CuO纳米线对CO的选择性探测特性.     

谷胱甘肽-Cu2+/PAn膜修饰电极的制备及表征

以谷胱甘肽(GSH)自组装膜电极为基体制备GSH-Cu^2 ／PAn膜，利用分子印迹技术在电化学聚合过程中将铜沉积到聚苯胺的孔穴中。并用循环伏安法和电化学石英微天平监测电极的响应。实验结果表明制得的电极修饰膜内存在Cu^2 的离子通道，使得铜离子的掺杂易于进行；聚苯胺氧化还原峰与阴离子的掺杂及铜离子的掺杂有关。     

CuO/ZnO量子点异质结及同轴纳米线异质结构的研制

采用离子束溅射技术和热氧化工艺,对预先制备的ZnO纳米线表面进行纳米CuO修饰,研究了不同溅射工艺条件下对形成的CuO/ZnO纳米线异质结构的影响,通过控制溅射参数成功地合成出不同CuO量子点尺寸和分布密度的CuO/ZnO量子点异质结和CuO为壳层的CuO/ZnO同轴纳米线异质结构.将X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）用于研究样品的结构和形貌.实验结果表明,溅射在ZnO纳米线表面的Cu膜的厚度对形成的CuO/ZnO异质结构起着重要的作用.在Cu膜适度较薄时,获得了直径仅5 nm、分布较均匀的高密度（2.05×1010mm-2）CuO/ZnO量子点异质结;而Cu膜较厚时,形成的是CuO/ZnO同轴纳米线异质结构.利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）进一步对量子点异质结和同轴纳米线异质结的界面晶体结构进行了研究.     

Fe-Co-Ni衬底上准定向ZnO亚微米杆的制备及其光学性质

以Fe-Co-Ni合金为衬底,硝酸锌(Zn(NO_3)_2·6H_2O)和氨水(NH_2·H_2O)为原料,采用水热法生长出准定向的ZnO亚微米杆阵列.运用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.在合适温度(85℃)下长出的ZnO亚微米杆直径较均匀,定向性较好,具有良好的紫外发光特性;在较高的生长温度(100℃)下得到的ZnO样品是分叉杆簇团.Ni衬底上的生长实验获得了类似于Fe-Co-Ni衬底上的准定向ZnO亚微米阵列.     

界面聚合法合成聚联苯胺及其衍生物

采用界面聚合法合成了聚联苯胺,聚（3,3＇-二甲氧基联苯胺）和聚（3,3＇-二甲基联苯胺）.利用红外光谱（FT-IR）,紫外可见吸收光谱（UV-vis）,电子扫描显微镜（SEM）,X-射线衍射（XRD）,循环伏安（cyclic voltam-ogram）等测试方法,对聚合物进行了表征.从环取代基的电子效应和立体效应以及界面聚合反应的特点,初步探讨了环取代基对界面聚合法合成的聚合物分子链的结构,结晶性,颗粒形貌以及电化学活性的影响.结果表明,界面聚合法合成聚联苯胺表现出尺寸在微米范围内的棒状分布,在紫外可见吸收光谱中,相对于聚联苯胺,聚（3,3＇-二甲氧基联苯胺）的吸收峰发生红移.聚（3,3＇-二甲氧基联苯胺）的结晶性在三种聚合物中相对较好.聚（3,3＇-二甲氧基联苯胺）的氧化还原峰电位与其余两种聚合物相比,有负移.说明界面聚合得到的聚合物的分子链的结构,结晶性,颗粒形貌以及电化学活性由环上取代基的电子效应和立体效应不同而有所变化.     

海藻酸／明胶共混膜结构表征及性能

由海藻酸钠和明胶的水溶液共混,在5％（质量分数）的CaCl2水溶液中凝固,然后1％（质量分数）的HCl水溶液处理,成功制得海藻酸／明胶共混膜,采用红外光谱,X－射线衍射,原子吸收光谱,扫描电镜对共混膜进行了结构表征,并对共混膜的透光率,吸水率及力学性能进行了测试,结果表明,共混膜中海藻酸与明胶分子间存在着强的相互作用及良好的相容性,其中Ca^2 交联和海灌酸与明胶分子间静电作用使共混膜力学性能是到了显著改善,此共混膜可望成为一种潜在的伤口包扎,止血及人造皮肤材料。     

Au-LiNbO_3纳米颗粒膜的制备和物性分析

采用复合靶共溅射技术,在单晶 Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 和 Ａｕ Ｎａ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合颗粒膜．利用 Ｘ 射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析．观测到 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合频粒膜在５９３ ｎｍ 波段存在强等离子体共振吸收     

非晶GeO2-SiO2复合薄膜的制备及其红外吸收谱

采用锗－硅复合靶射频反应溅射技术,制备了ＧｅＯ_２含量ｘ＝０％～８１％的非晶ＧｅＯ_２－ＳｉＯ_２复合薄膜．用自动椭偏仪进行测量,得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ_２的含量．用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ_２含量的变化关系,并讨论了其结构特征．     

近距离升华制备大晶粒CdTe掺Sb薄膜的结构性能研究

采用近距离升华(Co lse-Spaced-Sub lim ation,CSS)技术制备纯CdT e薄膜.然后通过离子注入的方法对纯CdT e薄膜进行Sb(锑)掺杂及热处理,并利用XRD、SEM、紫外可见分光光度计及H a ll测试系统研究其结构,表面形貌和光电性能.结果表明,通过离子注入的方法在纯CdT e薄膜上掺杂Sb离子可以改善CdT e薄膜的结晶性能、并且明显提高了其电导特性,掺杂对CdT e薄膜的光能隙影响不大.