Ga1—xAlxAs外延片有源区Al组份的测定方法

由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，...     

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

In_xGa_（1－x）As缓冲层上In_yGa_（1－y）As／（Al）Ga

本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格界面．据此，合理地解释了样品的光伏测试结果，并对此类样品的ＭＯＣＶＤ生长工艺给予指导．     

MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面     

约瑟夫森结AlO_x-Al隧道势垒的实验研究

通过Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、阳极氧化电压谱（ＡＶＳ）和Ｆｉｓｋｅ台阶电压的测量，研究了约瑟夫森结中ＡｌＯｘＡｌ隧道势垒．发现结的隧道势垒最佳沉积Ａｌ层厚度为７ｎｍ，Ａｌ上形成ＡｌＯｘ厚度只取决于氧化条件，与沉积Ａｌ厚无关，势垒Ａｌ氧化物可能含有一个像ＡｌＯＯＨ态的ＯＨ基团．同时，估算了剩余Ａｌ厚度，证实了结中Ａｌ／Ｎｂ间在４２Ｋ时，由常态Ａｌ而产生临近效应的存在     

生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上应变GaAs层的价电子能带结构与光学性质

采用紧束缚方法对生长在Ｇｅ_ｘＳｉ_ｌ－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层的价电子能带结构和空穴的三次非线性光学极化率ｘ￣（３）进行了计算结果表明，由于应变的存在，使ＧａＡｓ层的空穴有效质量和价带态密度变小，而使偏振方向在（００１）面内的三次非线性光学极化率变大．     

氯化钙—聚乙二醇配位聚合物的配位数研究

ＣａＣｌ２与ＰＥＧ在无水乙醇中发生反应制得的试样,以ＸＰＳ和ＩＲ测试的结果,表明该试样中存在Ｏ－Ｃａ配位键。通过溶液电导率的测量,发现１个Ｃａ＾２＋与ＰＥＧ４个链节单元的氧形成配位结构,又以电导率手段测得ＣｕＣｌ２－ＰＡＡｍ配位聚合物的配位数,其结果与利用Ｃｕ＾２＋２ｐＸＰＳ谱上的Ｓｈａｋｅ－ｕｐ效应研究所得该配位聚合物的配侠数一致,间接地验证以电导率手段测得ＣａＣｌ２－ＰＥＧ配侠聚合物配位数的可     

1MeV Si+衬底加温注入Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ⁺在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ_0.3Ｇ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。 关键词：     

脉冲激光导致的固体表面损伤研究

利用扫描电镜对波长为１．０６μｍ脉宽为１０ｎｓ的Ｎｄ：ＹＡＧ脉冲激光辐照金属Ａｌ和半导体ＧａＡｓ产生的表面形貌变化进行了观察，对不同背景气压下液体的溅射现象进行了分析。实验结果表明，液体的溅射速度和距离随着背景气压的降低而增加。在某些特定的实验条件下，在激光烧蚀ＧａＡｓ的表面上出现了等间距的波纹结构。理论分析发现，这些波纹是由横向表面声波造成的。这些周期性结构的出现与激光功率密度和背景气压密切相关。     

Amplified Spontaneous Emision of K_2 Yellow Band Excimer and Its Gain Measurement by e-beam-pumping

ＡｍｐｌｉｆｉｅｄＳｐｏｎｔａｎｅｏｕｓＥｍｉｓｉｏｎｏｆＫ２ＹｅｌｏｗＢａｎｄＥｘｃｉｍｅｒａｎｄＩｔｓＧａｉｎＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｂｙｅ┐ｂｅａｍ┐ｐｕｍｐｉｎｇＸＩＮＧＤａ１）ＷＡＮＧＱｉ２）ＴＡＮＳｈｉｃｉ１）（１）Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆ...     

喷雾热解法制备掺Cr的Al2O3薄膜及其抗腐蚀性能

用喷雾热解法制备出厚为２０００Ａ的掺Ｃｒ的Ａｌ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明其为无定形的Ａｌ２－ｘＣｒｘＯ３（ｘ＝０．０７２），ＳＥＭ和椭圆仪分析结果验证了薄膜的均匀性。该薄膜表现出良好的绝缘性质和抗腐蚀性能。     

GaAlAs／GaAs量子阱结构的实验研究

利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料，对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测量。实验结果表明，样品质量达到了设计要求，利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果。     

高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用

用高分辨率多晶多反射Ｘ射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表生半导体材料质量的手段之一。不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同。本文以ＧａＡＳ／ＡｌＧａＡｓ为例，展示了如何利用Ｘ射线的二维衍射空间图的形状来定性地分析半导体单晶样品的宏观弯曲，微观倾斜，组分梯度，应变，弛豫以及平行于界面的连续性等问题。     

后退火对InxGa1—xAs单层量子点光学性质的影响

研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体,当铟的摩尔分数（ｘ）不同时,后退火对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３,０．３７,０．５０,１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和蓝移。对于ＧａＡｓ基体,在７００℃退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移与退火３０分钟相似;（仅当ｘ＝０．２３时,退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移小于３０分钟）。对于Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ基体,在７００℃退火３０分钟和９０分钟,其ＰＬ谱蓝移是不同的。     

GaAs／AlGaAs发光二极管列阵场分布特性的电光测量

应用一种新颖的无损伤测量技术－连续波电光检测法（ＣＷＥＯＰ）对ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量。实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况；通过比较各单元电场分布，反映器件发光均匀性。文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论，最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照。     

Ba,Sr,Ca在Co／γ—Al2O3催化剂上CO氧化的作用机制（II）

用硝酸盐水溶液等量共浸法制备了分别在７５０℃和９００℃焙烧的系列催化剂Ｃｏ－Ｍ／γ－Ａｌ２Ｏ３（Ｍ＝Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｃｏ３Ｏ４／Ａｌ２Ｏ３＝８ｗｔ％，Ｍ／Ｃｏ＝１５ｍｏｌ％）测定了ＣＯ氧化转化率，用ＢＥＴ表面，ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＤＴＡ和ＴＰＲ等手段研究了助剂Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ的作用，结果表明，加入助剂后，ＣＯ完全转化温度下降了２０～６０℃左右，助剂的作用顺序为Ｃａ＞Ｓｒ＞Ｂａ，实验表明，７５０℃和９     

HIGHLYCHARGEDATOMICPHYSICSATHIRFL－

ＨＩＧＨＬＹＣＨＡＲＧＥＤＡＴＯＭＩＣＰＨＹＳＩＣＳＡＴＨＩＲＦＬ－ＣＳＲＭａＸｉｎｗｅｎＷａｎｇＹｏｕｄｅＨｏｕＭｉｎｇｄｏｎｇＪｉｎＧｅｎｇｍｉｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｏｄｅｒｎＰｈｙｓｉｃｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｌａｎｚｈｏｕ７３...     

快速热退火引起的GaAs／AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究

用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究 。用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程中进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下     

Saturable Excited State Absorption of Cr~(4 ) : YAG for Q-switching Nd : YAG Laser

ＳａｔｕｒａｂｌｅＥｘｃｉｔｅｄＳｔａｔｅＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎｏｆＣｒ４＋ＹＡＧｆｏｒＱ┐ｓｗｉｔｃｈｉｎｇＮｄＹＡＧＬａｓｅｒＷＡＮＸｉａｏｋｅＬＩＮＬｉｈｕａｎｇＯＵＹＡＮＧＢｉｎＤＩＮＧＹａｎｈｕａＸＵＪｕｎＤＥＮＧＰｅｉｚｈｅｎ（Ｓｈａｎｇ...     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．