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采用高温固相反应法制备了SrA l2O4∶Eu2 ,Dy3 长余辉发光粉,将发光粉掺到以碱金属硼磷酸盐低熔点玻璃熔块为基质的搪瓷釉中,并通过丝网印刷技术涂搪到铝合金基板上,然后烧制成长余辉搪瓷。研究了发光粉的加入量、釉层厚度、烧成温度、烧成时间等搪瓷工艺的各个环节对搪瓷余辉性能的影响,制得性能稳定的长余辉涂层,余辉时间长达12 h以上。这种发光搪瓷涂层可用于制作广告牌、交通标牌、建筑物标示牌等,在许多领域具有广阔的应用前景。 相似文献
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电弧法SrAl2O4:Eu2+长余辉发光陶瓷的制备及其光谱分析 总被引:15,自引:2,他引:15
采用电弧法制备出SrAl2O4:Eu^2+长余辉发光陶瓷,通过荧光光谱和激发光谱研究了它的发光和余辉特性,结果表明,陶瓷的发光衰减与多晶粉末磷光体相同,也是由初始的快衰减与后期的慢衰减的构成,但余辉的特征明显好于多晶磷光体,而且耐环境性能得到显著地改善。 相似文献
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SrAl2O4:Eu2+的长余辉发光特性的研究 总被引:56,自引:5,他引:56
本文研究了SrAl2O4:Eu2+材料的发光及长余辉特性.首次得到了这一材料的发光衰减由初始的快衰减和后期的慢衰减过程所组成,以及热释发光光谱出现两个热释发光峰值的实验结果.对所得结果进行了分析讨论,提出了这一材料的发光衰减是由两个足够深的电子陷阱所引起. 相似文献
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硼酸掺量对SrAl2O4长余辉发光材料的发光性能影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用燃烧法制备了Eu2 ,Dy3 共掺杂SrAl2O4长余辉发光材料,研究了不同硼酸掺量对Eu2 ,Dy3 共掺杂SrAl2O4长余辉发光材料发光性能的影响。为了分析B2O3在材料制备中的作用,用XRD对所合成材料进行物相分析,用荧光光谱仪记录其发射光谱,并在暗室里拍摄紫外激发下的发光照片。结果表明:硼酸掺量为0.8的样品的发光光谱,其发射峰峰值位于518 nm,是典型的Eu2 的4f5d→4f的特征发射,为一宽谱带发光光谱。硼酸掺量为2的样品的发光光谱,其在518 nm位置的峰十分弱,而在487 nm处同时出现了一个弱峰,整个谱线呈一斜坡状。随着硼酸加入量的不同,Eu2 ,Dy3 共掺杂铝酸锶的发光效果、形貌特征均不同。在某一范围内,随着硼酸添加量的增加,合成了发光主晶相,烧结温度有所降低,材料的发光性能和发光亮度均有所提高。 相似文献
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SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的上转换发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
铕镝共掺的铝酸锶是一种新型的绿色长余辉荧光材料 ,经可见 -紫外光激发后 ,能发出超长时间的余辉。本文首次用 980nm的红外激发光源激发SrAl2 O4 :Eu2 ,Dy3 磷光体后 ,在室温下观测到了SrAl2 O4 :Eu2 ,Dy3 的绿色上转换荧光。并测得了其上转换荧光光谱图。与其正常的荧光光谱图相比 ,两者的峰形及波峰的位置有很大的差异 ,这预示着两者有不同的发光机理 ,并就其发光机理进行了初步的探讨。所用的样品经高温固相法合成后 ,用XRD表征。两种荧光光谱用荧光光谱仪测定。 相似文献
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采用高温固相法制备了长余辉发光粉Ba1-xCaxAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (RE^3 =Dy^3 ,Nd^3 ),测量了其发射光谱、激发光谱、余辉衰减光谱和热释光谱,分析了其发光特性。在紫外线的激发下样品的发射波长随着x的变化而变化,x从0到0.6的范围变化时,发射波长相应地从498nm减小到440nm,当x大于0.6以后,波长保持440nm不再变化。通过XRD光谱对其结构进行了分析,得出Ca离子在BaAl2O4基质中有极限溶解度x0=0.4,当x大于0.4时,基质结构中出现杂相。通过热释光谱,对基质中的陷阱情况进行了分析,解释了由于x值的不同而造成的余辉时间长短的差异。 相似文献
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SrAl2O4:Eu,Dy发光材料的制备及其特性研究 总被引:13,自引:0,他引:13
采用高温固相合成法制得了SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料。该磷光体的合成温度在1300-1500℃范围。X-射线衍射分析(XRD)结果表明该磷光体为SrAl2O4晶体结构,属单斜晶系。其晶格常数为:α=8.4424A,b=8.822A,c=5.1607A,β=93.415。SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 发光材料的激发光谱和发射光谱均为宽带谱,激发谱峰位在300-450nm范围内,发射波长在520nm附近。这一结果表明该材料的发光是由Eu^2 的5d→4f宽带跃迁产生的。不同的制备条件,如烧成温度、保温时间等对发光材料的显微结构及其发光性能有较大的影响。 相似文献
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Eu2+,Dy3+共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷 总被引:13,自引:0,他引:13
首次介绍了一种新型长余辉材料:Eu^2 ,Dy^3 共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷,该玻璃陶瓷用紫外灯、日光、荧光灯均可激发,发射黄绿色余辉,余辉的发射峰位于516nm,来自于Eu^2 的5d→^8S7/2跃迁。用12000 lx的荧光灯激发样品20分钟,停止激发后10秒时,该玻璃陶瓷的余辉亮度为3.53cd/m^2,色坐标为:x=0.2842,y=0.5772;停止激发后5小时55分钟,该玻璃陶瓷的余辉亮度为0.01cd/m^2;停止激发30小时后,余辉在黑暗中仍肉眼可见。文中对该玻璃陶瓷的相关性质进行了表征,并提出了可能的长余辉机理。 相似文献
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ZnGa2O4长余辉发光特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga^3+替代了部分Zn^2+后相对变形八面体中Ga^3+的^2EA→^4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0^*后变形八面体中氧空位向其周围的O^2-的V0^*→O^2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn^2+空位,从而多余的的Ga^3+出现在这些空位上,其^2EA到^4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。 相似文献
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CaAl2O4:Eu2+,Nd3+纳米粉体的合成与发光性质 总被引:1,自引:2,他引:1
采用溶胶-凝胶法制备了CaAlO4:Eu^2+,Nd^3+纳米粉体发光材料。利用DTA,TG,XRD,SEM,光谱分析等手段对样品进行了结构和性能分析。实验结果表明,800℃烧结的样品形成已CaAl2O4晶相,样品平均晶粒尺寸为20~40nm,与CaAlO4:Eu^2+,Nd^3+粗晶材料相比,样品的发光光谱发生了“蓝移”,热释光峰值向高温移动了96℃,且曲线形状变宽,发光衰减是由初始的快衰减和随后的慢衰减构成,发光余辉时间5h。 相似文献
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《光学学报》2010,30(7)
通过调节基质组份比例,研究了SrAl2xO3x+1∶Eu2+,Dy3+(x=1~2)荧光粉晶体结构,发光性质及长余辉特性。选取硝酸锶和硝酸铝作为基质原材料,硼酸氨和氟化铝作为助溶剂,采用阳离子草酸盐共沉淀,湿法预先混合原材料及分步合成等方法,制备了亮度高、余辉长及良好粒径分布的系列长余辉发光材料。基于对样品X射线衍射(XRD)图谱,扫描电子显微镜(SEM)照片,激发、发射光谱及余辉衰减曲线分析,发现SrAl2xO3x+1∶Eu2+,Dy3+具有良好的结晶状态;随x增加,发射光谱峰值从520 nm蓝移至470 nm;衰减到可辨认发光强度0.32 mcd/m2,余辉时间可相应地从30 h延长到60 h以上。通过分析发现表现不同余辉特性的主要原因是Eu2+在基质中具有不同浓度、不同衰减寿命的蓝、绿两种发光中心造成的,其中蓝发光中心寿命明显高于绿发光中心。 相似文献
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采用喷雾热解两段法制备了SrAl2O4∶Eu2+ ,Dy3+长余辉发光材料,并利用XRD、SEM、荧光长余辉亮度测试等方法分析了不同制备工艺条件下SrAl2O4∶Eu2+ ,Dy3+发光材料的结构、形貌以及发光性能的变化。结果表明:采用喷雾热解两段法可制备出球形SrAl2O4∶Eu2+ ,Dy3+长余辉发光材料,SrAl2O4∶Eu2+ ,Dy3+的晶体结构与α-SrAl2O4磷石英晶体结构相同。热解温度、还原温度、添加剂对产物的形貌、粒度分布、发光性能有较大影响。较之高温固相法,喷雾热解法制备的SrAl2O4∶Eu2+ ,Dy3+具有发光性能好、形貌好、粒度分布窄等优点。 相似文献
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Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色材料的制备和长余辉性能 总被引:8,自引:9,他引:8
用高温固相法制备了Y2O2S:Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 红色长余辉材料,余辉时间达到1h以上,X射线衍射测量表明材料的晶体结构为Y2O2S。发射光谱对应了Eu^3 离子^5DJ(J=0,1,2,3)→^7FJ(J=0,1,2,3,4))的特征发射;激发光谱主峰位于345nm,另外在260,396,468,540nm等处也存在激发峰。对比测量了Y2O2S:Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 和Y2O2S:Eu^3 的热释发光曲线,Y2O2S:Eu^3 的热释发光曲线可以拟合成3个热释发光峰的叠加:237,226,301K;而Y2O2S:Eu^3 ,Mg^2 ,Ti^4 的热释发光曲线可以拟合成5个热释发光峰的叠加:149,215,262,287,334K,并计算了相应的陷阱能级。Ti^4 是引起较深陷阱能级的主要原因,Mg^2 起电荷补偿的作用。 相似文献