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工作于8~12μm波段的远红外探测器在遥感、制导、夜视技术等方面有着重要的应用.特别是在海湾战争以后,更加受到各国军方和高科技界的重视.1990年美国加州理工学院喷气推进实验室发展了一种新型的锗硅异质结远红外探测器.它具有金属硅化物肖脱基(PtSi/Si和IrSi/Si)势垒探测器的优点,即工艺简单,大面积的均匀性好,读出电路简单,能和硅大规模集成技术相容等,而它的工作波长比肖特基势垒更长,量子效率更高.与当前流行的镓砷/铝镓砷量子阱红外探测器相比,它可以在垂直光照下工作,因而容易实现大面积的阵列.1991年美国麻省理工学院用它研制成… 相似文献
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二氟硅烯与乙烯环加成反应的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用RHF/6-31G^*解析梯度方法研究了单重态二氟硅与乙烯环加成反应的机理,并用统计热力学方法和过渡态理论计算了该反应温度下的热力涵 数的变化和动力学性质。结果表明,此反应历程由两组成:(1)二氟硅烯与乙烯生成了一中间配合物,是一无势垒的放热反应; 相似文献
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红外光谱法测定聚醚硅油中含氢硅油的含量 总被引:1,自引:0,他引:1
以烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)和含氢硅油为原料,以辛酸亚锡为催化剂,甲苯作溶剂,采用溶液聚合的方法合成了一种新型聚醚硅油。用红外光谱法对合成样品中残留的含氢硅油进行定量分析,利用含氢硅油中Si—H键在2 167 cm-1处的吸收峰,选择司班-60作为内标物,以朗伯-比尔定律为理论依据,推导出样品和内标物的吸光度比(Y)与质量比(X)的线性关系式为Y=kX(k为常数),从而建立了直接红外光谱法测定聚醚硅油中含氢硅油含量的方法。实验测定内标工作曲线为Y=2.072 1X+0.296 3,相关系数r2=0.998 9,通过对方法重现性和回收率的测定,得到了较为满意的结果。该法是确定合成聚醚硅油产品的反应程度和控制产品质量的一种必要手段,同时为调整聚醚硅油的性能提供了依据;从而确定了最佳合成工艺路线及工艺条件。将合成的聚合物经处理后进行了应用实验,该聚合物对醇系和苯系化合物的萃取效果很好,具有广泛的应用前景。 相似文献
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给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的静电力就会拉动台柱向下运动,从而使相应的镜面部分发生变形;通过控制通电电极的位置及电压,就可获得特定的镜面形状。在变形反射镜的加工工序中采用浅腐蚀形成键合台,采用深腐蚀加工出台柱。并采用条补偿图形对台柱的凸角进行补偿,在0.2MPa气压下进行键合,最后成功研制出有效反射面积为30mm×30mm,拥有49个静电驱动单元的变形反射镜。 相似文献
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REBaCuO(简写为RE123,RE=Y,Gd等稀土元素)高温超导涂层导体也称第二代高温超导(2G-HTS)带材,通过柔性金属基带上的薄膜外延和双轴织构技术发展而来,解决了陶瓷性铜氧高温超导体的晶界弱连接和机械加工难等问题,是当前液氮温区运行下电磁性能较为优越的实用高温超导材料。文章首先对新型电力传输材料——高温超导涂层导体的各类技术路线和国内外发展现状进行概述;随后对低成本的化学溶液法2G-HTS长带的关键制备技术和当前进展进行介绍;最后针对强磁场和大电流应用背景,对REBaCuO涂层导体的磁传输各向异性、磁通钉扎及其人工调制等最新研究进展进行评述。 相似文献
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结合纳米材料折射率(小于1.4)和AM0太阳光谱特性,对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析.分别设计了常规材料和纳米材料的双层、三层减反射膜,得到了最佳的膜系参数,并作出了反射率变化曲线.结果发现,采用低折射率纳米材料的三层减反射膜有着更好的减反射效果,新型纳米减反射膜系与采用常规材料的减反射膜系相比,优化后的最小加权平均反射率减小了15%(双层减反射膜)和24.5%(三层减反射膜).
关键词:
折射率
减反射膜
纳米材料
空间硅太阳电池 相似文献
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针对应用于薄膜太阳能电池的一种混合陷光结构进行了分析研究,该结构由位于电池正面的电介质颗粒和位于电池背面的金属颗粒构成.运用有限时域差分法模拟分析了正面电介质颗粒与背面金属颗粒对光吸收增强的不同作用范围.运用电场图分析了其对光吸收增强的机制,包括两种颗粒的散射作用和金属纳米颗粒的表面等离子体近场增强作用.分别优化了正面电介质颗粒和背面金属颗粒的材料、大小等参量,获得了一种优化后的混合陷光结构.实验表明带有这种混合陷光结构的电池短路电流密度相对于参考电池提高了30.3%,该方法为提高薄膜太阳能电池效率提供了新思路. 相似文献
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研究了重金属氧氟硅铋酸盐玻璃 (50-x)SiO2 xBi2O3 50PbF2(x=0, 3, 5, 8, 10, 13, 15 mol%)中Er3+离子的吸收光谱、荧光光谱、荧光半高宽、荧光 寿命和热稳定性能.应用Judd Ofelt理论计算了玻璃的强度参数Ωt(t=2,4,6),应用 McCumber计算了能级4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射截面. 结果发现荧光半高宽与Ω6有较大联系,Ω6越大,荧光半高宽越宽.对Er3+
关键词:
重金属氧氟硅铋酸盐玻璃
光谱性质
Er3+离子
Judd Ofelt参数 相似文献
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HL-1M装置第一壁锂-硅复合涂层及其效果 总被引:1,自引:0,他引:1
在HL-1M装置上新开发出一种第一壁原位锂-硅复合涂覆技术。装置涂覆后,真空室内的真空度上升,杂质气体的分压强下降,低于单一的硅化或锂涂覆。在相同放电参数下,具有锂-硅涂层的放电与原位硅化放电相比;等离子体中的氧杂质浓度下降了30%,尤其是随着等离子体密度上升碳杂质下降得更显著;等离子体能量辐射损失降低了25%;等离子体边缘温度和密度有所降低,这表明等离子体内部约束得到改善,有原位锂-硅复合涂覆的放电结果略好于或同于单一原位锂涂覆放电的结果,但这种复合涂层能维持100余次托卡马克放电,较单一原位锂涂层维持的放电次数高一个数量级,这证明了锂-硅复合涂覆技术的优异性能。 相似文献
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为了设计功率集成电路所需的低功耗横向功率器件, 提出了一种具有阶梯氧化层折叠硅横向双扩散金属-氧化物-半导体(step oxide folding LDMOS, SOFLDMOS)新结构. 这种结构将阶梯氧化层覆盖在具有周期分布的折叠硅表面, 利用阶梯氧化层的电场调制效应, 通过在表面电场分布中引入新的电场峰而使表面电场分布均匀, 提高了器件的耐压范围, 解决了文献提出的折叠积累型横向双扩散金属-氧化物-半导体器件击穿电压受限的问题. 通过三维仿真软件ISE分析获得, SOFLDMOS 结构打破了硅的极限关系, 充分利用了电场调制效应、多数载流子积累和硅表面导电区倍增效应, 漏极饱和电流比一般LDMOS 提高3.4倍左右, 可以在62 V左右的反向击穿电压条件下, 获得0.74 mΩ·cm2超低的比导通电阻, 远低于传统LDMOS相同击穿电压下2.0 mΩ·cm2比导通电阻, 为实现低压功率集成电路对低功耗横向功率器件的要求提供了一种可选的方案. 相似文献
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介绍了近年来新发展起来的几种硅基远红外探测器件,其中包括硅化物/Gexsi1-x肖特基势垒型探测器,锗硅异质结内光电发射探测器,锗硅/硅多量子阱型探测器和δ掺杂阱型探测器,并就这些器件的工作原理及影响其响应率,截止波长和工作温度的因素分别进行了讨论和比较。 相似文献
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几类新型含硅唑类化合物1H NMR研究 总被引:1,自引:1,他引:0
讨论了4种新型含硅唑类化合物的1H NMR谱,它们是1-三甲基硅氧基-1-芳基(叔丁基)-2-唑基乙烷(1:1,2,4-三唑;2:咪唑;3:苯并三唑;4:苯并咪唑).芳基对Me3SiO的化学位移影响很小,而不同唑基屏蔽作用的差异影响Me3SiO的化学位移,其影响的次序为:
此结果得到了分子力学计算的证实.
化合物1中1位次甲基质子的化学位移(δH)与芳基对位取代基的取代基常数σp存在良好的线性关系, 相似文献
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新型硅基蓝光材料—多孔β—SiC 总被引:2,自引:0,他引:2
硅基蓝光发射是集成化全色固态显示和光电子集成的基础材料,是发光材料研究的前沿课题。利用离子注入技术,将碳离子注入到硅中,直接形成硅基纳β-SiC,多孔化后,由于量子限制效应,它将发射稳定的蓝光,并且可以直接制成发光图形,这是一种具有极好应用前景的硅基蓝光发射材料。 相似文献
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由于钛及钛合金具有优越的理化性能,其已被广泛应用于各种植入体,例如骨科、牙科及心血管支架等。然而,钛基材表面具有生物惰性,其与周边骨组织形成骨整合的能力较弱,延缓了组织愈合的时间。因此,改善钛植入体表面生物性能具有重要的临床意义。钛基材表面羟基磷灰石(HAP)复合涂层的制备已成为一种重要的表面生物活性改良手段。在含有F-,Mn2+,Ca2+和PO3-4的电解液中,用单电流阶跃沉积法,在钛金属(Ti)表面上涂覆锰和氟共修饰羟基磷灰石(FMnHAP)复合薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线谱(EDS)、X-射线衍射(XRD)对涂层进行初步表征,用傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术验证了氟离子和锰离子的共修饰对HAP分子构象和生物活性的影响。结果表明:锰部分取代磷灰石中的钙,氟部分取代磷灰石中的羟基,FMnHAP晶格常数变小,薄膜表面形貌由微米级的针状变为纳米级的绒毛状。FTIR技术验证显示,由于磷灰石晶体结构中F取代部分OH,致使改变了结构中OH的弯曲振动模式的对称性;模拟体液体外矿化表明,涂层表面有含碳酸根的类骨磷灰石形成,则涂层的体外生物活性较好。极化曲线测试表明,涂层提高了Ti在生理环境中的耐腐蚀性。 相似文献