Y(BO3,PO4):Ce,Tb,Gd的发光特性研究

用ＢＰＯ４和稀土氧化为原料,通过单片灼烧,首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷钇绿色荧光粉,利用发射光谱和激发光谱研究了基质中Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋、Ｇｄ＾３＋的发光以及它们之间的相互作用结果表明在铈、铽或钆、铽的双掺杂体系中存在Ｃｅ＾３＋→Ｔｂ＾３＋、Ｇｄ＾３＋→Ｔｂ＾３＋的能量传递,而在铈、钆双掺杂的体系中却观察到了Ｃｅ＾３＋和Ｇｄ＾３＋离子之间的竞争吸收和独自发射。在铈、铽共激活的硼磷民体系中掺     

A3Ln（Ⅲ）1—xTb（Ⅲ）x（A=邻氨基苯甲酸;Ln=La,Gd,Y;x=0—0.1）稀土配？…

采用共沉淀法合成了掺杂Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ的Ｔｂ－邻氨基苯甲酸配合物,研究其荧光性能,结果显示,掺杂Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ后,对Ｔｂ配合物的发光有增敏作用,讨论了不同的掺杂离子（Ｌａ、Ｇｄ、Ｙ）及掺杂量对其荧光性能的影响。发现,当掺杂离子取代大部分Ｔｂ＾３＋时,其发光增强仍十分显著。     

（Gd,Y）P5O14：Ce,Tb中Gd的中介能量传递和传递几率计算

研究了稀土五磷酸盐ＧｄｘＹ１－ｘ）Ｐ５Ｏ１４：Ｃｅ０．０１，Ｔｂ０．０２体系中以Ｇｄ＾３＋子晶格为中介的Ｃｅ＾３＋→Ｇｄ＾３＋→Ｔｂ＾３＋的能量传递现象。当ｘ＞０．７，在室温下激发Ｃｅ＾３＋离子可以产生有效的Ｔｂ＾３＋的发光。对ｘ＝１和０时，激发Ｃｅ＾３＋产生Ｔｂ＾３＋的发光，前者的强度约为后者的１０倍。     

La(Ⅲ)、Gd(Ⅲ)、Tb(Ⅲ)8-羟基喹啉固体配合物的光声光谱与弛豫过程

本文合成Ｌａ（Ⅲ）、Ｇｄ（Ⅲ）、Ｔｂ（Ⅲ）８－羟基喹啉固体配合物，通过对其光声光谱的分析，研究了８－羟基喹啉稀土配合物的荧光性质和弛豫过程     

La（Ⅲ）,Gd（Ⅲ）,Tb（Ⅲ）8—羟基喹啉固体配合物的光声光谱与 …

本文合成Ｌａ（Ⅲ）、Ｇｄ（Ⅲ）、Ｔｂ（Ⅲ）８－羟基喹啉固体配合物，通过对其光声光谱的分析，研究了８－羟基喹啉稀土配合物的荧光性质和驰豫过程。     

均苯四甲酸-三苯基氧化膦-铽-钇配合物的高效发光

合成了ＰＭＡ－Ｔｂ＾３＋,ＰＭ－ＡＴＰＰＯ（Ｐｈｅｎ）－Ｔｂ＾３＋及其掺杂Ｙ＾３＋,Ｇｄ６３＋的系列配合物,常温下研究了它们的固体粉末荧光光谱,发现在二元配合物中掺杂Ｙ＾３＋比掺杂Ｇｄ＾３＋发光强,在三元配合物中以三苯基氧化膦作第二配体比以邻菲罗林作第二配体的配合物发光强,得到了鲜艳绿色的高效荧光材料ＰＭＡ－ＴＰＰＯ－Ｔｂ＾３＋,Ｙ＾３＋。     

稀土元素荧光增强效应的研究：RE对Eu—苯甲酰三氟丙酮—溴…

本文详细研究了稀土元素Ｌａ＾３＋，Ｇｄ＾３＋，Ｔｂ＾３＋，ＬＵ＾３＋，Ｙ＾３＋及Ｓｃ＾３＋对铕－苯甲酰三氟丙酮－阳离子表面活性剂体系的荧光增经效应。     

AlN：TbF3薄膜的电致发光

用射频磁控反应溅射的方法,以金属Ａｌ和ＴｂＦ３为靶材,在总压为１Ｐａ,Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下,制备了ＡｌＮ：ＴｂＦ３薄膜。研究了不同制备条件对薄膜光致光相对亮度的影响。进一步实验表明,电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度的依赖关系。在衬底温度为６００℃,ＴｂＦ３含量约为４．０ｍｏｌ％的条件下制备的ＡｌＮ：ＴｂＦ３ＡＣＴＦＥＬ器件,在交流驱动条件下,得到了Ｔｂ＾３＋离子的特征发光。     

衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．     

杂质对（Ce,Gd,Tb）MgB5O10灯用荧光粉发光量子效率的影响

研究了杂质对Ｃｅ０．１ｇＤ０．６ｔＢ０．２ｍＧｂ５ｏ１０发光量子效率的影响。低浓度的Ｐｒ＾３＋、Ｎｄ＾３＋、ＤＦ＾３＋、Ｈｏ＾３＋和Ｅｒ＾３＋不能有效地与Ｇｄ＾３＋和Ｔｂ＾３＋竞争Ｃｅ＾３＋离子的激发能。此外，因电子传递过程，Ｓｍ＾３＋和Ｅｕ３＋使Ｃｅ＾３＋的发光效率大大降低。     

衬底温度对CaS：TbF3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜地不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究，通过对薄膜的透射率和慢反射率的测量研究了薄 致密性，Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相，随着衬底温度的提高，ＣａＳ：ＴｂＦ３薄厝的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增另，从而增中了电致发光亮度。     

稀土金属表面的振动弛豫

用ＬＥＥＤ谱，研究了稀土金属表面的振动弛豫。结果表示出，对Ｓｃ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．４１３±０．００１Ａ（收缩８．６％±０．００１Ａ）和ｄ２＝２．６８±０．０２Ａ（膨胀１．５％±０．０２Ａ）。对Ｇｄ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．８０±０．０４Ａ（收缩３．１％±０．０４Ａ）和ｄ２＝２．９６±０．０３Ａ（膨胀２．４％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．７５±０．０３Ａ（收缩３．３％±０．０３Ａ），ｄ２＝２．８５±０．０１Ａ（膨胀０．１８％±０．０１Ａ）和ｄ３＝２．９８±０．０３Ａ（膨胀４．７％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛１１２０｝，原子层间距：ｄ１＝１．６５±０．０２Ａ（收缩８．３％±０．０２Ａ）和ｄ２＝１．８０±０．０４Ａ（膨胀０．０６％±０．０４Ａ）     

铽－甲基吲哚乙酰丙酮三元配合物发光过程研究

测定和分析了ＲＥ．Ｌ１．Ｌ２（ＲＥ＝Ｔｂ（Ⅲ）、Ｇｄ（Ⅲ），Ｌ１＝３Ｍ（３甲基吲哚－１－乙酰基丙酮），Ｌ２＝ＴＰＰＯ、Ｐｈｅｎ、Ｄｉｐｙ）三元配合物的荧光光谱、磷光光谱、磷光寿命及变温荧光光谱等．讨论了Ｔｂ（Ⅲ）与配体之间的能级匹配和Ｌ１与Ｌ２的三重态之间传能的问题，说明了影响这些三元配合物荧光效率的主要因素及其发光过程．     

白光LED用YAG：Ce^3＋荧光粉的温度猝灭性质

荧光粉的温度猝灭性质是影响白光LED的光效、光色参数和可靠性的关键因素之一。研究了不同激活剂浓度，不同元素掺杂的Y3-xCexAl5O12（YAG：Ce^3＋）荧光粉在460nm光激发下的变温亮度和发射光谱。结果表明温度显著影响YAG：Ce^3＋荧光粉的发光性能，随着温度的升高，发光强度下降，同时发射光谱红移。Ce含量为0．07（原子数分数）的YAG：Ce^3＋荧光粉，150℃下亮度值约为室温时的89％，200℃时的发射光谱相对室温的红移了约10nm。Ce含量的改变对YAG：Ce^3＋荧光粉的热猝灭性质影响较小。Lu的掺杂使YAG：Ce^3＋荧光粉的发射波长蓝移，同时会显著改善荧光粉的热猝灭性能。Gd的掺杂使荧光粉的发射波长红移，同时也会导致热猝灭性能的劣化。     

彩色PDP中荧光粉发光色坐标的测量方法研究

等离子体显示器已成为平板显示领域主要发展方向之一。在等离子体显示器上测得的色坐标包含了两部分：一部分是荧光粉在PDP器件中发光色的色坐标，一部分是PDP工作时气体放电的色坐标。在PDP屏的制作过程中，荧光粉经历了浆料制备、干燥、烧结以及老炼等工艺过程。因此，荧光粉在PDP屏上表现出的色坐标比起荧光粉体来说会产生一些变化。本文以测量PDP中荧光粉发光色坐标为目的，提出了一种用单色PDP屏色坐标、亮度和同结构下气体放电色坐标、亮度来获得荧光粉在PDP屏中色坐标和亮度的方法，设计制作了测试PDP屏三基色荧光粉发光色坐标所用的单色试验屏。用CRT ColorAnalyzer（CA－100）时PDP屏和PDP屏上气体放电产生的亮度和色坐标都进行了测量，根据合成颜色的在刺激值与二种已知颜色的在刺激值具有线性叠加关系，计算出了荧光粉在PDP器件中的色坐标和亮度。同时，用WGD－3型组合式多功能光栅光谱仪对PDP屏和气体放电的发光光谱进行了测量，用计算机将测得的发光光谱在同波长下相减，从而获得了荧光粉在PDP中的发光光谱。结果表明绿粉和蓝粉的色坐标变化较大，而红粉变化较小，使得PDP白场色温向较低的方向变化。绿粉和蓝粉的发光谱线的半峰宽与原粉比较都有减小，峰值发光强度也减小了，绿粉的峰值发光波长从526nm变至523．4nm。     

Rfe10.5V1.5Nx化合物的结构和内禀磁性研究

系统地研究了Rfe_10.5V_1.5N_x（Ｒ＝Ｙ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ）化合物的结构和内禀磁性，并与相应的Rfe_10.5V_1.5N_x化合物进行了比较。同Rfe_10.5V_1.5N_x化会物相比，由于ｖ含量低，Rfe_10.5V_1.5N_{x关键词：}     

BaAl12O19:Mn2+荧光粉的表面包覆与发光性能

采用传统的高温固相反应法合成出BaAl12O19：Mn^2 荧光粉,利用乳胶法对荧光粉颗粒表面包覆MgF2。对包覆过程中的反应物浓度、反应过程进行研究,得到最佳包覆条件,确定荧光粉表面包覆的制备工艺。通过X射线衍射、透射电镜图、红外光谱等对表面包覆的荧光粉颗粒的结构性能进行分析,并在彩色等离子体平板显示器(PDP)上进行涂屏老化实验。结果表明在BaAl12O19：Mn^2 荧光粉颗粒表面成功地包覆上MgF2层,包覆后的荧光粉的初始发光亮度下降1．6％,而老化8h后,包覆的荧光粉亮度衰减明显优于不包覆的材料。     

BaMgAl10O17:Eu2+的MgF2表面包覆

采用溶胶-凝胶法对蓝色荧光粉BaMgAl10O17:Eu2 (BAM)进行表面包膜处理,获得了表面均匀包覆MgF2膜层的BAM荧光粉.并用SEM、XRD和IR手段对其表面形貌、晶格结构性能进行了表征;用EDS对BAM粉体的表面元素进行了定性分析;用荧光光谱测试对荧光粉的发光性能进行了研究.结果表明,在BAM粉体表面均匀包覆MgF2层后,BAM的晶格结构,发光性能没有改变,初始亮度较未包覆的荧光粉有所降低,经过相同条件的热处理后,包覆MgF2荧光粉的亮度热衰减程度明显低于未包覆的荧光粉,且色坐标偏移现象不明显.     

BaAl_(12)O_(19)∶Mn~(2+)荧光粉的表面包覆与发光性能

采用传统的高温固相反应法合成出BaAl12O19∶Mn2+荧光粉,利用乳胶法对荧光粉颗粒表面包覆MgF2。对包覆过程中的反应物浓度、反应过程进行研究,得到最佳包覆条件,确定荧光粉表面包覆的制备工艺。通过X射线衍射、透射电镜图、红外光谱等对表面包覆的荧光粉颗粒的结构性能进行分析,并在彩色等离子体平板显示器(PDP)上进行涂屏老化实验。结果表明在BaAl12O19∶Mn2+荧光粉颗粒表面成功地包覆上MgF2 层,包覆后的荧光粉的初始发光亮度下降 1. 6%,而老化 8h后,包覆的荧光粉亮度衰减明显优于不包覆的材料。     

GdHO_（0．15）合金电阻率研究

本文利用纯Ｇｄ掺ＨＯ构成ＧｄＨＯ０１５合金，研究居里温度变化．居里温度由纯Ｇｄ的Ｔｃ＝２９３Ｋ，变化到ＧｄＨＯ．１５合金的Ｔｃ＝２７８Ｋ．并在１．５Ｔ外磁场下，液氮温区，研究磁阻变化规律．结果纯Ｇｄ的磁阻在此范围内为负的，而掺ＨＯ后，ＧｄＨＯ０．１５合金的磁阻力正，证明了掺杂ＨＯ原子影响了Ｇｄ的自旋涨落．