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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在xAl =0.2→0.43和xAl=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在xAl=0.43的n-AlGaAs层里xAl值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
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液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子点,且量子点密度出现指数型增长.对此进行研究分析,给出了一个经验公式,并就现象进行了解释. 相似文献
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用X射线光电子能谱(XPS)结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同x值的AlxGa1-xAs/GaAs异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析,发现Al向表面偏析的现象及As和Al的择优溅射问题,并对此进行了讨论。同时用XPS法进行了Al的定量分析,并与光致发光法测得的X值进行了对比,发现二者有非常好的线性关系。 相似文献
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应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS1-xTex外延层深中心.Al掺杂ZnS0.977Te0.023的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS0.977Te0.023,这表明一部分Al原子形成非辐射深中心.Al掺杂ZnS1-xTex(x=0,0.017,0.04和0.046)的深能级瞬态傅里叶
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In0.5(Ga1-xAlx)0.5P合金的掺杂生长特性 总被引:1,自引:1,他引:0
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响.实验结果表明:降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由(100)向(111)A偏6~15的衬底都有利于增加IRGaAlP合金中Zn的掺杂浓度;提高生长温度和增加SIH4流量、减小Al含量和V/Ⅲ比,都有助于增加Si掺杂浓度,而衬底晶向对Si掺杂浓度无影响. 相似文献
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V. N. Kravchenko N. YA. Minina A. M. Savin I. V. Berman O. P. Hansen C. B. Sorensen 《高压研究》2013,33(2):305-308
Anisotropy of the piezoresistance relaxations has been observed in p -(0 0 1)GaAs/Al 0.5 Ga 0.5 As heterostructures. The character of relaxation process depends on the direction of the applied uniaxial compression: after loading along [1 m 1 0] direction the specimen resistance relaxes down to the lower magnitude while after loading along [1 1 0] direction it relaxes up to the higher magnitude. Shubnikov-de Haas oscillations and Hall effect measurements indicate that variation of the carrier concentration j N in the quantum well during relaxation processes has different signs for uniaxial compression along [1 m 1 0] and [1 1 0] directions and correlates with the corresponding change of the resistance. The piezoelectric field that in GaAs can reach the magnitude E =1.152 2 10 6 V/m at uniaxial stress P =1 kbar along d 1 1 0 ¢ directions is supposed to be responsible for the metastable state after loading (unloading) and redistribution of carriers during the relaxation process. 相似文献
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