无机厚膜发光器件绝缘层的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL)。整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。研究不同结构的无机厚膜发光器件对器件性能的影响,并对器件的亮度—电压、亮度—频率进行测量。结果显示绝缘层在无机发光器件中不是单纯的保护作用,它对器件的性能有十分重要的影响。主要是对注入电子的加速作用,从而提高发光亮度。绝缘层本身对无机厚膜发光器件的发光机理没有关系。     

绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究

报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１作为发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１）／透明电极（ＺｎＯ：Ａ１）。制备的器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,测量了器件的电致发光（ＥＬ）光谱和亮度－电压曲线,研究了发光机理和效率－电压等特性。     

陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究

研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的无Ｙ２Ｏ３介质层和有Ｙ２Ｏ３介质层两种结构的电致发光器件,并对陶瓷厚膜的制备民厚膜厚度等对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了深入的研究。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnSvSm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳｖＳｍ , Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线, 研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在市电频率驱动下１６ Ｖ启亮, 最大亮度为１８．４ ｃｄ／ｍ ２, 最大效率为０．０６ ｌｍ ／Ｗ。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnS:Sm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｓｍ,Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线,研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在电驱动下１６Ｖ启亮,最大亮度为１８．４ｃｄ／ｍ＾２,最大效率为０．０６１ｍ／Ｗ。     

无机材料的薄膜电致发光

平板显示技术是信息时代对终端显示的基本要求,薄膜电致发光显示器具有全固体化平板显示的特点,是一种全新的终端显示器件．文章扼要介绍了薄膜电致发光原理,综述了电致发光材料尤其是蓝色和白色发光材料的研究进展,指出了目前存在的问题和解决方案,最后简述了彩色薄膜电致发光显示器的最新研究结果     

丝网印刷FeS2（pyrite）薄膜的结构及光电性能

采用丝网印刷方法制备了FeS₂(pyrite)薄膜，用x射线衍射确定了样品FeS₂(pyrite)薄 膜的 晶体结构，并用Rietveld方法对样品的结构进行了精修，确定了样品的点阵常数、键长、键 角、硫原子占位等结构参数.研究了膜厚对方块电阻、载流子浓度、霍尔迁移率、光能隙等 光电参数的影响. 关键词： 丝网印刷 薄膜 结构 Rietveld方法 光电性能     

金刚石薄膜电致发光研究

报道了金刚石薄膜电致发光现象.为进一步提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,分别采用了硼氮双掺杂法和稀土掺杂法制备出了金刚石薄膜电致发光器件,并采用低电容率的本征金刚石薄膜和氧化硅薄膜为绝缘层的夹层式器件结构.研究结果显示:采用稀土铈掺杂可以有效地提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,其蓝区最大电致发光强度可达3.5 cd/m2;采用低电容率绝缘膜的夹层式结构,能有效地提高电子进入发光层时的能量,并有助于提高器件发光的稳定性和发光寿命.     

金刚石薄膜电致发光现象的研究进展

阐明了金刚石薄膜电致发光研究的重要意义．综述了金刚石薄膜电致发光现象研究的进展情况，指出目前该方面研究中存在的问题，并提出了进一步提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度的可能途径．     

椭偏法测膜厚的直接计算方法

改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法，由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚．     

不同厚度溅射Ag膜的微结构及光学常数研究

用直流溅射法在室温Si基片上制备了4．9nm-189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜，并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明：制备的Ag膜均呈多晶状态，晶体结构仍为面心立方；随膜厚增加薄膜的平均晶粒心潮6．3nm逐渐增大到14．5nm；薄膜晶格常数均比标准值（0．40862nm)稍小，随膜厚增加，薄膜晶格常数由0．40585nm增大到0.40779nm。250nm-830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明：与Johnson的厚Ag膜数据相比，我们制备的Ag薄膜光学折射率n总体上均增大，消光系数k变化复杂；在厚度为4．9nm-83.7nm范围内，实验薄膜的光学常数与Johnson数据差别很大，厚度小于33．3nm的实验薄膜k谱线中出现吸收峰，峰位由460nm红移至690nm处，且其对应的峰宽逐渐宽化；当膜厚达到约189nm时，实验薄膜与Johnson光学常数数据已基本趋于一致。     

干涉效应对ITO薄膜光学性能的影响

为揭示ITO薄膜膜厚对透光率及色泽感影响规律,本文采用TFCalc光学薄膜设计软件计算了50～700 nm膜厚的ITO薄膜可见光透光率,平均透光率和人眼最为敏感波长550 nm的透光率与膜厚的关系.采用膜层干涉理论研究了ITO膜厚和入射角对其透光率和色泽感影响规律和物理机制.研究结果表明:对特定膜厚的ITO薄膜,其可见光随膜厚增加会出现系列透射峰,膜厚越大,对应透射峰也相应增加.ITO薄膜可见光透光率,平均透光率和特定波长550 nm的可见光透光率随膜厚的增加呈锯齿状;随膜厚增加,ITO薄膜的颜色呈现黄绿色、橙色、紫红色、青色、黄绿色周期性的变化.当ITO膜厚为300 nm,入射角从30°增加到60°时,薄膜色泽从暗紫色变为亮紫色.通过本论文的研究,建立了ITO薄膜和膜厚关系的色卡,这对工业控制及改善ITO薄膜的色泽提供技术支撑.     

衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．     

原子层外延及其进展

近十年来发展起来的原子层外延技术(ALE)实际上是对现有气相外延技术(蒸发、沉积、分子束外延、氯化物外延和MOCVL)的一种改进.它以固体衬底表面的化学反应为基础.因此用ALE方法可以获得精确膜厚、符合化学比、高化学稳定性和结构完整而均匀的化合物薄膜.本综述介绍了ALE的工作原理、特点及其进展概况.指出,ALE方法除了用于研制成功性能优良的太面积薄膜电致发光显示器以外,近年来还在单晶衬底上生长出突变异质结、多量子阱结构和超晶格,从而为研究低维数半导体薄层结构提供了一个媒介.     

ACTFEL高清晰度平板电视的发展

本文介绍了交流薄膜电致发光高清晰度平板电视和显示器的发展历史，根据ＡＣＴＦＥＬ器件的特殊性能，分析了其应用于高清晰度平板电视的优势，综述了ＡＣＴＦＥＬ平板电视的彩色化进展和主要方案。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜电致发光

电致发光薄膜是平板显示器的重要材料之一,我们从研究ZnS:Mn,Cu直流电致发光薄膜的大面积稳定发光开始,首次将稀土离子引进直流电致发光薄膜,实现了各色的直流电致发光,并研究其激发机理、过热电子的能量分布、稀土离子的碰撞截面和稀土离子发光中心在晶格中的位置等。在国内首先研制成功ZnS:Mn交流电致发光薄膜计算机终端显示器,并扩大面积到640×480像素(对角线10英寸)。为了实现彩色化显示,研制出稀土离子掺杂的各色交流电致发光薄膜。研究不同稀土离子在薄膜中的浓度猝灭,以便提高薄膜的发光亮度。在致力于实现彩色的过程中,首要的任务是提高蓝色电致发光薄膜的亮度和探索新的蓝色电致发光薄膜材料:从ZnS:TmF₃到CaS:TmF₃,发光亮度有了很大的提高;使SrS:Ce薄膜蓝色电致发光的亮度超过1000cd/m²;同时探索纳米Si和非晶Si/SiO₂超晶格结构的蓝色电致发光。成功地实现了ZnS:Mn/SrS:Ce白色电致发光和SrS:HoF₃三基色线谱发射的白色电致发光,发光亮度也超过1000cd/m²。     

X光激光薄膜锗靶的制备

 介绍了X光激光薄膜锗靶的制备工艺，在厚度为90nm的formvar膜上，采用磁控溅射技术沉积30~60nm厚的锗膜。对锗膜的应力进行了初步的测试与分析，制得的薄膜经干涉仪测量符合要求。     

紫外转化的PPV薄膜电致发光性质的研究

PPV是一种常用的高荧光效率的黄绿色的电致发光共轭聚合物,因为PPV不易溶解于有机溶剂,所以在有机电致发光(OLEDs)中PPV薄膜的制备通常是PPV的预聚体旋涂成膜,然后在高温、真空条件下转化成PPV薄膜。这种高温转化制膜的方法无法对其进行掺杂,限制了PPV在OLED中的应用。文章利用紫外光照射,PPV预聚体薄膜在室温和真空条件下转化成PPV薄膜,它与热处理得到的PPV薄膜的光致发光(PL)和拉曼(Raman)光谱一致;利用这种方法制备了非掺杂和红色荧光染料掺杂的有机电致发光器件,实现了以PPV为主体和能量给体的不同染料的掺杂发光,并获得绿色和橙色的电致发光。电致发光器件的发光效率和发光强度还有待进一步提高。     

生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响

碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。     

基于石墨烯/PEDOT：PSS叠层薄膜的柔性OLED器件

石墨烯具有独特的电学性能、优异的机械延展性和良好的化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料,但是当前石墨烯的高电阻率限制了它的实际应用。本文采用喷涂方法制备了石墨烯/聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT：PSS）复合导电薄膜,对复合薄膜的表面形貌与光电性能进行了研究。PEDOT：PSS的引入不仅降低了石墨烯薄膜的表面电阻,同时还平滑了薄膜表面。在此基础上,成功制备了柔性黄光有机电致发光器件,器件在12 V时达到效率最大值0.9 cd/A。器件在曲率半径为10 mm时弯曲了100次后,发光亮度并无明显变化。该复合薄膜可实际应用于柔性有机电致发光显示器件。