用热解化学气相沉积方法合成金刚石膜

众所周知,金刚石不仅是最好的超硬耐磨材料,而且也是一种理想的功能材料。 1976年苏联科学家Derjaguin等人用化学输运反应方法首次在非金刚石衬底上合成出金刚石膜,1981年Spitsyn等人对该金刚石膜的合成机理进行了探讨。由于低压法合成金刚石可以在大面积的各种衬底上沉积出粒状或膜状金刚石,因此它将为金刚石在电子工业,光学工业和空间技术等重要领域的广泛应用开拓了崭新的局面。     

化学汽相沉积及聚合—聚对二甲苯厚膜的生成与特性

自1947年聚对二甲苯被发现后，人们就对该类聚合物表现出了极大的兴趣并进行了大量的研究。到目前已经发表了很多的关于聚对二甲苯及其特性的论文，但还没有一本这方面的专著。作者编写这本书的目的就是要全面介绍聚对二甲苯和该族聚合物，以及它们的沉积、沉积设备和生成膜的特性。     

聚-氯对二甲基苯膜的制备与光学特性

以一氯对二甲基苯二聚体为原料，通过真空化学气相沉积法制备聚-氯对二甲基苯（Parylene C）膜，对该高分子膜材料的光学性能进行了研究。     

陶瓷薄膜的气相制备及热力学应用

综述了通过气相法制备陶瓷薄膜的方法,介绍了热力学在薄膜生成时的应用,讨论了基片温度和沉积速率对薄膜结构的影响,并对薄膜与基片间的结合问题进行了简单论述。     

陶瓷薄膜的气相制备及热力学应用

综述了通过气相法制备陶瓷薄膜的方法,介绍了热力学在薄膜生成时的应用,讨论了基片温度和沉积速率对薄膜结构的影响,并对薄膜与基片间的结合问题进行了简单论述。     

聚四氟乙烯结构氟碳聚合物薄膜的研究进展

聚四氟乙烯结构氟碳聚合物(Polytetrafluoroethylene-like fluorocarbon,PTFE-like FC)薄膜具有超低介电常数、高疏水性和生物相容性等优点.综述了国外制备PTFE-like FC薄膜的实验进展,分析了PTFE-like FC薄膜可能的沉积机理,指出热丝化学气相沉积(HFCVD)和射频等离子体辅助的化学气相沉积(rf-PECVD)这2种方法更有利于减少离子对薄膜表面的轰击作用,被认为是目前沉积PTFE-like FC薄膜最好的2种方法.介绍了利用介质阻挡放电(DBD)方法在低气压下制备PTFE-like FC薄膜的最新进展.     

金刚石聚晶薄膜制备及其电子场的发射性能

微波等离子体化学气相沉积是制备微/纳米结构的方法之一,使用该方法在陶瓷衬底上制备微米金刚石聚晶材料薄膜。利用扫描电子显微镜表征了材料的表面形貌,单元尺寸一致,分布均匀。使用X射线衍射和拉曼光谱分析了薄膜的结构,测试了薄膜材料的电子场发射性能。数据表明:制备的薄膜材料开启电场为1.25V/μm,在2.55V/μm的电场下,其电子场发射电流密度达到6.3mA/cm2。     

CVD法TiO2薄膜的制备条件及光学性质的研究

以四异丙醇钛为钛源物质,采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２膜,并对其光学性质进行了研究。实验结果表明,：沉积条件是影响ＴｉＯ２膜的沉积率和光学性质的重要因素。     

CVD法制备SiO2薄膜工艺条件的研究

在Al2 O3 陶瓷基片上以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,高纯氮气作载气 ,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积(CVD)方法制备SiO2 薄膜 ,研究了基片温度、TEOS温度和沉积时间对SiO2 薄膜沉积速率的影响 .采用XRD ,XPS和SEM技术对SiO2 薄膜的组成和结构进行了分析     

新型杯[4]芳烃衍生物的合成及结构表征

为进一步研究杯[4]芳烃衍生物,并为后续衍生化反应制备中间体,用对叔丁基苯酚和甲醛为原料,利用一步法合成了对叔丁基杯[4]芳烃;再以对叔丁基杯[4]芳烃与碘乙醇的反应,得到了对叔丁基25,27-二羟基-26,28-二羟乙氧基杯[4]芳烃,其结构经1H NMR、13C NMR,、IR、MS和元素分析确证.     

常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究

本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。     

LiH薄膜制备技术进展

纳米厚度、表面光滑的氢化锂薄膜的制备研究具有十分重要的意义。综述了氢化锂薄膜的制备方法:电阻蒸发法和磁控溅射法。比较研究后认为这两种制备方法制备的氢化锂薄膜,表面粗糙度高,不能达到软x射线多层膜的要求。而脉冲激光气相沉积法可以制备表面超光洁,厚度最小为几个纳米的薄膜,是制备表面光滑的薄膜的一种重要制备方法。     

PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。     

金刚石薄膜光致发光的研究

本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在硅、钼和碳化钨衬底上制备的金刚石膜的光致发光特性。     

ZnO的用途及其薄膜的制备方法

1引言近年来,由于光电子器件潜在的巨大市场,使光电材料成为研究的重点。ZnO薄膜是一种光学透明薄膜,纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异光电性能,用途广阔,而且原料易得、价廉、毒性小,成为最有开发潜力的薄膜材料之一。目前,研究ZnO材料的性质涉及许多研究领域,其中包括:透明导电膜(T     

SnO2薄膜的激光化学雾状沉积

把ＣＯ２激光聚焦在玻璃基底上的小区域内，热解ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ来实现ＳｎＯ２薄膜的沉积。用Ｘ－Ｙ扫描获得了选择性薄膜图形。薄膜的电阻率约为１×１０（－２）Ω·ｍ，可见光谱区透射率为７５％～８０％．用Ｘ射线衍射对膜层进行了物相分析，判定ＳｎＯ２薄膜基本为多晶结构，其最优方向为（１１０）。此外，还用扫描电子显微镜观察了薄膜的表面形貌。     

Nd掺杂ZnO薄膜的制备及室温光致发光研究

通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了Nd掺杂ZnO薄膜.XRD和AFM分析表明,Nd掺杂没有改变ZnO结构,薄膜为纳米多晶结构.随Nd掺杂量的增加颗粒减小,表面粗糙,起伏较大.室温光致发光谱显示,薄膜出现了395 nm的强紫光峰和495 nm的弱绿光峰,Nd掺杂量和氧分压对PL谱发射峰强度产生了一定影响.     

气相法生长金刚石薄膜过程和热解CVD实验

本文简述了气相法生长金刚石薄膜的基本过程,论述了反应气体系统及碳源浓度、激活源、基片温度和预处理等参数对金刚石结构和性能的重要影响.     

基于MOCVD法制备的NiO薄膜结构与光学特性

用金属有机化学气相沉积法在Si衬底上制备了NiO薄膜。分别采用X光电子能谱、电子显微镜、X射线衍射以及紫外-可见分光光度计对样品的结构和光学特性进行测试。X光电子能谱测试结果表明:薄膜中Ni元素以二价态存在,Ni与O比值接近1∶1,表明制备的样品为NiO薄膜;电子显微镜和X射线衍射分析显示NiO薄膜呈现多晶态;紫外-可见分光光度计测试结果显示:NiO薄膜具有高透过率,400 nm附近最高透过率为96%,通过线性外推法作图得到NiO薄膜的禁带宽度在3.7 eV左右。     

正交相二氧化锡薄膜的制备与性能

二氧化锡(SnO₂)的一种晶体结构--正交相是高温高压相, 不易合成, 因此, 其性质探测和技术应用研究一直停滞不前. 利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术, 在相对较低压力和较低温度下制备较纯的正交相SnO₂薄膜. 实验结果表明, 这种正交相SnO₂薄膜的透明度优于常规四方相SnO₂, 其半导体带隙大于四方相SnO₂.