七段式发光二极管数字显示的改进

美国蒙三托公司的新产品对七段式数字显示作了一些改进。每一段的亮度是200呎朗伯,输入电流5毫安。或400呎朗伯,用10毫安。每一段由5个作用区组成。线宽为38微米,因背景颜色是黑的,发出的光是红的。由于光学效应,看起来好象有250微米宽。七段式矩阵加一个小数点是一整片,安装在一个铅的框架上,用透明环氧树脂包封     

RCA公司制成蓝色发光二极管显示器

据Electronics 46(3),1973报导,美国RCA公司制出蓝色发光二极管显示器。这种蓝色发光二极管是一种“金属—绝缘体n型(MIN)”器件,在室温下工作。它由宽禁带材料氨化镓(3.5伏)做成。这种材料透明于可见光。这种透明性意味着,通过控制杂质可产生各种颜色,包括其它Ⅲ—Ⅴ族化合物如磷砷化镓和磷化镓等所能得到的红色、黄色和绿色。     

采用GaP多晶材料制作发光二极管显示器

据Elcctronics,1972,45(18)报导,日本宋宜公司的中心实验室采用GaP多晶材料做成发光二极管显示器,效果良好。比用单晶便宜得多。此外,他们还用多晶材料做成一单片数字显示器,不用连线,进一步降低了成本。     

发光二极管

半导体技术的显著进展是继Ga、Si之后出现了GaAs等化合物半导体。 与Si等半导体相比,这种化合物半导体的禁带幅度一般较宽,其少数载流子复合时能发生近红外光到可见光。但是,从欲获得高的发光效率这一点来看,高质量单晶的生长技术和形成结的技术还没定型。最近发光二极管的研究迅速活跃起来,可望不久能付诸实用。     

发光二极管

本文对最新的某些有价值的发光二极管的工艺和性能作了简要评述。与其他材料相比,磷化镓更受重视,这是因为后者具有更大的科学意义和实用价值。     

七段式矩阵和“脉冲选通法”简化了发光二极管数字显示的外部电路

在数字显示中经常发生“信息通道拥挤”的问题。解决这个问题的一个办法是把显示器本身简单化。这就是在发光二极管数字显示中,有人采用七段式矩阵的原因。因为只用七个单元显示数字,使(?)销     

紫外发光二极管

国际商业机器公司一个研究中心制成了单晶氮化铝电致发光器件。以17伏直流电压驱动。发光主要在紫外区,整个发射光谱从215nm延伸到可见光的蓝区。 氮化铝单晶的生长方法大致如下:第一步,在(111)单晶钨衬底或(0001)蓝宝石衬底上用射频反应溅射法(温度1000℃)沉积一层1μ厚的AlN。这层AlN没有电致发光性能,只在下一步中起籽晶作用。第二步,在钨坩埚中放一块作为蒸发源的AlN多晶烧结片,把第一步骤中溅射的AlN层面     

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性. 关键词： 氮化镓 发光二极管 电流扩展 电极结构优化     

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

定性分析了GaN基LED的电流扩展效应，发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此，对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构，以减缓电流拥挤效应，降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布，发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀，证明芯片接触处电流扩展均匀，局部电流密度降低，减小了焦耳热的产生，增强了器件的可靠性.     

超高速发光二极管

日本电气株式会社在1984年研制成功了超高速发光二极管。这种二极管在结构上增加了一层结晶层,把注入电流时影响高速响应的“寄生容量”降到了原来的十分之一。发光孔径、各层厚度及杂质的掺杂量都设计成最佳状态。其特性:面发光型发光二极管;发光波长为1.3μm,光纤结合输出;调制速度为20亿波特/S(NRZ)。其结构见下面剖面图。     

GaN发光二极管

材料制备 用气体输运法在蓝宝石衬底上通过GaCl和NH_3反应而生成GaN。制得的“未渗杂”单晶一般为n型,电子浓度为10~(18)cm~(-3)数量级,迁移率约为130厘米~2伏~(-1)秒~(-1)。看来,施主是氮空位引起的,未渗杂的n型层生长3个小时后,能长成非常厚的GaNn型层。这样长时间生长,目的是为减小蓝宝石衬底和GaN之间的晶格失配引所起的应变。生长中间停顿几次,以便转动衬底,从而改变生长面上方的气流方向。在生     

聚合物发光二极管

聚合物发光二极管是８０年代末期发展起来的一类发光二极管，尽管目前尚未来走向实用化，但它的诸多特性已引起愈一愈多的研究工作者的浓厚兴趣，在这篇文章中，我们将主要讨论聚的发光二极管的发光原理，设计方法、制造工艺、发展现状，并指出了为使聚合物发光二极管走向实用化而迫切需要研究解决的问题。     

高亮度绿色发光二极管

西德的西门子公司制成一种新的绿色发光二极管,它非常亮,可以用于仪表面板照明,诸如按钮、标尺之类。这种发光二极管的型号是LD57C,用60毫安电流驱动时,     

新型氮化镓发光二极管

美国IBM公司试制了一种氮化镓发光二极管,结构如下: 1.衬底——无势垒的硅衬底,P型电导。 2.氮化镓层——半绝缘,具有高比电阻(10~7欧姆/厘米),用阴极溅射法镀在硅衬底上,厚500～3000A 3.SiO_2膜——1000～3000(?)厚,开一窗口,窗口形状按需要而定,用腐蚀法做成。 4.透明电极——氮化铟,重掺杂锡。1000～5000(?)厚。     

红色有机发光二极管

制备了以芳香族二胺类衍生物TPD为空穴传输层、8－羟基喹啉铝Alq3掺杂红光染料DCJTB作为发光层LiF/Al为复合电极的红色发光二极管。研究了不同掺杂质量分数对器件发光光谱、亮度电流电压特性的影响。发现由于DCJTB的自极化作用,发光峰值位置有30nm的移动,当掺杂质量分数为0.2％和3％时,器件的最高亮度分别为17400cd/m^2和2900cd/m^2,20mA/cm^2时其亮度又分别为1080cd/m^2和150cd/m^2,量子效率分别为2％和0.5％。     

双结多色发光二极管

——在GaAs:Si—GaAsP异质结基片上涂复NaYF_4:Yb,Er磷光体,已经研制出具有多色性能的发光二极管。这种双结单个管芯的发光二极管,其绿光和红光强度具有中心对称分布。调整磷光体厚度,可以得到介于绿光和红光之间的中间光色。在电流密度30A/cm~2的情况下,每种颜色光的亮度都高于100 fL,绿光的功率转换效率为 2—3×10~(-4)。对于单个GaAs:Si发光二极管,由于红外光在 GaAsP层中的折射,在20A/cm~2时,亮度低于250fL。     

荧光体发光二极管

荧光体发光二极管是一种特殊的发光二极管,它由GaAs红外发光二极管和特殊的荧光体组合成的。 这种二极管的构造如图1所示,荧光体覆盖在GaAs红外发光二极管的外部,GaAs发出的红外光作用在荧光体上使荧光体发出波长较短的可见光。 以前人们是把波长较短的光(如紫外光)照射到荧光体上转换得到波长长的可见光。与     

光子晶体发光二极管

利用光子晶体的光子禁带和光栅衍射效应可以提高LED的出光效率,扩大LED的应用范围。总结了光子晶体发光二极管的原理和典型器件。通过比较表明,与光子禁带效应相比,利用光栅衍射效应提高LED出光效率的方法更适用于电注入发光。因此可望用更廉价的方法在LED表面制造光子晶体,可通过光栅衍射效应来有效地提高其出光效率。     

发光二极管的最新进展

一、前言 发光二极管近几年来在计算机、钟表、仪表的数字显示及分立的超小型灯等方面得到了广泛的应用,成为一种最成功的新型显示技术。这种器件具有亮度高、价格低、功耗小、坚固可靠,能与集成电路匹配等特点,因之有着商业生产的价值。 本文将对市场上出售的或正在研制的发光二极管的工艺现状作一评述。有关发光二极管的工艺,已经有了几篇出色的评述性文章。因此,本文的内容将限于介绍最近几年来所取得的新进展。在撰写这篇文章时,用GaAsP和GaP材料制成的红、橙、黄、绿几     

ZnSe黄色发光二极管

从掺Al的ZnSe二极管中获得了黄—橙色发光,峰值为5900A。在300°K下,外部量子效率为0.1％。当输入功率为100毫瓦时,测得亮度为200呎——朗伯。