SOI梯形大截面单模脊形波导的研制

报道了硅片直接键合ＳＯＩ单模梯形大截面脊形波导的研制，对于小长为１．３μｍ的光这种脊形波导的传输损耗小于０．８５ｄＢ／ｃｍ。     

硅键合SOI平面光波导探索

本文分析了ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ和ＤＷＢ／ＳＯＩ结构的性能特点。尝试用ＤＷＢ／ＳＯＩ材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品，并测试了１．１５μｍ和１．５２３μｍ激光的ＴＥ和ＴＭ模的传输损耗。１．５２３μｍ光的ＴＥ模的最小传输损耗已达０．２７ｄＢ／ｃｍ。说明ＤＷＢ／ＳＯＩ材料是一种有潜力的光波导材料。     

低损耗有机聚合物光波导的制备及其数字化测量技术

介绍了低损耗有机聚合物光波导的制备工艺, 并采用 Ｃ Ｃ Ｄ 摄像法对波导的传输损耗进行测量。制备了在 ６３２．８ ｎｍ 波长下传输损耗小于 ０．５ ｄ Ｂ／ｃｍ 的有机聚合物光波导     

低损耗有机聚合物波导的制备及其数字化测量技术

介绍了低损耗有机聚合物光波导的制备工艺,并采用ＣＣＤ摄像法对波导的传输损耗进行测量。制备了在６３２．８ｎｍ波长下传输损耗小于０．５ｄＢ／ｃｍ的有机聚合物光波导。     

集成光学TM模偏振器的制作

用扩钛和质子交换相结合的方法在ｘ切ｙ传ＬｉＢｎＯ３衬底上制成了ＴＭ模集成光波导偏振器。质子交换区位于扩钛波导的末端两侧。在质子交换区域Δｎｅ〉０，Δｎ０〈０，因此ＴＥ模辐射进入衬底。偏振器工作于１．３μｍ波长，消光比优于４７ｄＢ，光纤０－波导－光纤插入损耗３．５ｄＢ。     

高圆双折射率螺旋芯光纤

已研制出一种高性能螺旋芯光纤，这种光纤广泛使用于大电流或强磁场光纤传感系统。其性能指标分别为：螺距１．５ｍｍ、芯偏２５５μｍ、拍长３．５ｍｍ及损耗小于０．５ｄＢ／ｍ。     

单模光纤窄带波分复用器的研究

由组合波导理论出发，分析了超长耦合器合区光纤间的功率耦合特性以及器件的偏振特性，并提出了研制二段窄波分单模光纤波发复用器的新方法，在研制常规耦合器的工艺基础上，先后研制成功１３１０ｎｍ或１５５０ｎｍ单窗口窄带波分复用器及１３１０ｎｍ或１５５０ｎｍ双窗口等三种复用间隔约１４ｎｍ的窄带波分复用器，其波长隔离度大于２０ｄＢ，具有２～３ｎｍ的带宽，偏振灵敏度小于０．１ｄＢ，附加损耗小于０．５ｄＢ，这些参数     

1.5μm质子交换铌酸锂光波导TE0模偏振器

在１．５μｍ光波长，首次研制出质子交换铌酸锂光波导ＴＥ０模偏振器。器件由嵌在Ｔｉ扩散波导之间的一段质子交换波导构成，器件长度为２ｍｍ。实验测得，偏振器的消光比和带尾纤插入损耗分别为４２ｄＢ和４．３ｄＢ。     

硅衬底上锗硅合金光波导的研制

报道锗硅合金在λ＝１．３μｍ的脊形单模光波导的设计，工艺及测量结果。这种光波导的传播损耗已达０．７ｄＢ／ｃｍ。脊形的高４－８μｍ，宽８－１２μｍ，均和单模光纤芯径相当，此外，其数值孔径在光波导的输入，输出端均能和单模光纤匹配，它已满足硅光集成对光波导的要求。文中最后报道了用这种锗硅合金光波导试制Ｙ分支器，并观察到二支分路输出的单模光斑。     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式Δβ耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式Δβ耦合器．通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作．     

硅基二氧化硅波导和SOI脊型波导应力双折射研究

采用有限元方法分析了硅基二氧化硅波导和SOI（Silicon on Insulator）脊型波导内部残留热应力引起的双折射.对于硅基二氧化硅波导,应力双折射系数的数量级为10－4,对于上包层为空气的SOI脊型波导,该系数的数量级为10－5,对于上包层为SiO2的SOI脊型波导,该系数的数量级为10－3,可见在硅基二氧化硅波导和上包层为SiO2的SOI脊型波导中产生了大的应力双折射,而在上包层为空气的SOI脊型波导中应力双折射较小.     

利用硅波导实现全混洗变换研究

根据全混洗(perfect shuffle)变换的特点,利用SOI材料(silicon-on-insulator)设计硅波导,在片上实现4 4和8 8全混洗变换;对波导设计参数包括:宽度、间距和交叉角度等进行讨论和优化,得到最佳的设计参数;模拟仿真得到8 8全混洗变换的传输特点,并对传输效率和串扰进行讨论;实验结果表明片上光波导能够有效的实现全混洗变换,具有插入损耗低和串扰低等特点,在光通信和光互连领域具有一定的应用。     

Etched-Diffraction-Grating-Based Planar Waveguide Demultiplexer on Silicon-on-Insulator

An optical wavelength demultiplexer with the etched diffraction grating (EDG) on the silicon-on-insulator (SOI) material is demonstrated. Fabricated by the wet-anisotropic-etching method, 90° turning mirrors are used to bend waveguides, and the size of the EDG-based demultiplexer is minimized to only 16×2.5 mm². The crosstalk is below −16 dB. The on-chip loss is about 9.97 dB, which is composed of about 8.72 dB excess loss and 1.25 dB diffraction loss. The polarization-dependent central wavelength shift is below 0.13 nm, and the polarization-dependent loss is about 0.35 dB. The sources of the crosstalk and loss are discussed in details, and the related measures to improve the performance are also presented.     

带有矩形过渡区的非对称Y分支光波导

提出了带有矩形过渡区的非对称Y分支光波导的两种设计方案。分别通过设置两分支波导不同的宽度和改变分支波导与矩形中心的轴偏移量,去获得非对称分支比。采用有限差分光束传播法（FD-BPM）对两种结构进行模拟,得出它们的分支比和损耗。分支比分别最高可达809／6和72．9％,其相对应的损耗分别低于0．12dB和0．23dB,充分证明了方案的可行性,为以后非对称Y分支光波导的制作提供了实验基础。     

跑道形玻璃波导谐振腔滤波器的研制

采用Ag+-Na+离子工艺,在K9玻璃上制备了跑道形波导谐振腔滤波器.测试得到该滤波器自由光谱范围为FSR=0.177 nm,对比对为Cr＝7.5 dB.同时分析得到耦合器的耦合系数为κ=0.916,耦合器和环形腔的损耗因子分别为δ=0.55,γ=0.48.耦合器的两波导几乎相连、条波导边缘不规则和一次离子交换波导表面缺陷是造成该波导滤波器具有较大损耗的主要原因.通过改进工艺技术降低波导损耗,该滤波器可以用于光通信、传感等领域,也可与其它波导结构相结合实现新的功能.     

SOI-based trapezoidal waveguide with 45° microreflector for noncoplanar optical interconnect

A silicon on insulator (SOI)-based trapezoidal waveguide with a 45° reflector for noncoplanar optical interconnect is demonstrated. The proposed waveguide is fabricated on an orientation-defined (100) SOI substrate by using a single-step anisotropic wet-etching process. The optical performances of proposed waveguides are numerically and experimentally studied. Transmittance of -4.51 dB, alignment tolerance of ±20 μm, cross talk of -53 dB, and propagation loss of -0.404 dB/cm are achieved The proposed waveguide would be a basic element and suitable for the future intrachip optical interconnects.     

Wideband Erbium-Ytterbium Co-Doped Phosphate Glass Waveguide Amplifier

A new ' (∩)' type of wideband erbium-ytterbium co-doped phosphate glass waveguide amplifier integrated with medium thin film filter is proposed, Average gain about 15.5dB between 1530nm and 1570nm with gain difference of below 2 dB is obtained.