GaN基光发射二极管中深能级研究

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 .75N层此时全部被耗尽。改变测量的率窗 ,得到该深能级在导带下 0 .2 4e V处 ,浓度为 2 .2 % ND,俘获截面为 1 .93× 1 0 - 1 5cm2。在 Ga N材料中 ,其他小组也报道了此位置上的深能级结果。结合文中的工作 ,该深能级可能和 n-In0 .2 5Ga0 .75N层中的线位错有关。     

光微变及微光的光敏二极管探测电路的研究

光敏二极管的开路电压随光照强度的增加,成对数式增大,当光强在一定范围内变化时,开路电压随光强变化的斜率很大,利用此特性的光探测电路,对光强的微弱变化十分敏感,适用于侵入监测和需要准确监控光强变化的情况．分析比较了几种可用于光探测的运算放大器电路,提出了实现微光及光微变的光敏二极管探测的方案．     

双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有高于80%的内量子效率.这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据.     

半导体发光材料的新应用——视觉敏感GaAsP光敏二极管

本文讨论了半导体发光材料的新应用—ＧａＡｓＰ视觉敏感光敏二极管。这是在ｎ—ＧａＡｓＰ上制作浅结的光敏二极管，通过对研组份值、结深的控制，器件的｜△ＥＶ｜≤０．１，这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼，其暗电流小于０．２ｐＡ／ｍｍ２，灵敏度为０．８μＡ／ｍｍ２。该光敏二极管已成功地应用于高级自动电子相机中。     

性能优良的光泵垂直腔面发射激光器

光泵半导体（OPS）激光器是一类以特殊类型垂直腔面发射激光器（VCSEL）为基础的新型器件，与以电流注入驱动的垂直腔面发射激光器不同，光泵垂直腔面发射激光器是用二极管泵浦激光驱动的。这种器件具有所希望的性能特性组合，如小型组件的高功率和优良TEM00模特性的组合。这种技术还可做成具有特定波长输出的激光器或在850～1600nm光谱范围可调谐的激光器。这些特性意味着光泵半导体激光器具有渗透或影响许多商业化激光应用开发的潜力，其中包括在通讯方面的应用。这方面的一个重要例子是泵浦高功率掺饵光纤放大器（EDFA）。光泵光泵…     

毛细管放电抽运软X光激光产生条件的实验研究

实验探索了较低氩气气压下激光产生的条件。利用X射线二极管（XRD）测量了毛细管放电激励类氖氩46．9nm软X光激光的输出。在其他实验参量不变的情况下，改变主脉冲电流的波形，比较了激光尖峰与背景光的相对位置。实验结果表明，当氩气气压为23Pa时，激光产生时间相对于不同的电流上升沿是一个在小范围内基本稳定的值，约为40ns左右；激光尖峰产生于背景光的峰值附近，表明激光尖峰是产生在等离子体被压缩到轴心后的停滞阶段。实验结果证实了只有当等离子体的电子温度、电子密度同时在最佳范围时才能产生软X光激光，并且主脉冲电流对等离子体压缩加热到合适产生激光的电子温度需要一个相对同定的时间；这个时间与主脉冲电流前沿的快慢无关。     

结构简单的X射线二极管及其性能指标测定

研制了一种可用于测量软X光辐射的X射线二极管(XRD).该XRD具有结构简单、对偏压及真空度要求较低、响应面积大等特点.分析了 XRD的响应时间和饱和电流等特性,给出了能量计算公式,同时采用同步辐射光源对XRD进行了能壁标定,标定结果与理论计算结果一致.利用该XRD对毛细管放电类氖氩46.9 nm激光脉宽和能量进行了测量.     

LIGA技术X光深层光刻工艺研究

通过在北京高有所３Ｗ１束线上进行的Ｘ光深层光刻工艺研究,获得了测壁光滑、陡直,厚度达１００μｍ,深度比达２０的光刻胶和金属微结构,表明该光束线适应于ＬＩＧＡ技术的研究。     

EMISSION AND SURFACE CHARACTERISTICS OF A DISPENSER CATHODE COATED WITH RHENIUM

The emission and surface characteristics of a dispenser cathode coated with Re arestudied.It is found that the dispenser cathode coated with Re has both higher current densityand more uniform distribution of emission than the S-type cathode.The Auger images of Bashow that the Ba distribution on the surface of the cathode coated with Re is more uniform thanthat on the surface of the S-type cathode.The analytical results by XPS and low energy AESshow that the Ba on the surface of the cathode coated with Re has stronger metallic propertythan that on the surface of the S type cathode.     

Characteristics of a GaN-based Gunn diode for THz signal generation

A generalized large-signal computer simulation program for a Gunn oscillator has been developed.The properties of a Gunn diode oscillator based on the widely explored GaN,are investigated using the dev...     

基于CuBB为阴极缓冲层有机太阳能电池性能的研究

通过定向合成Cu(I)配合物,首次将 其作为阴极缓冲层引入到有机太阳能电池(OSCs)中。实验分析发现,OSCs的光电能量转换效 率(PCE)与CuBB层厚度紧密相关,在标准太阳 光照条件下,结构为ITO/CuPc (20nm)/C60(40nm)/CuBB (x m m)/Al (100nm)的器件PCE随着CuBB厚度的增加 先增大后变小,当厚为8nm 时PCE达到0.94%。器件性能提高的原因主要是CuBB具有良好 的电子迁移率,但厚度过大时则由于串联电阻增加及电子不能经阴极缓冲层传输而使性能降 低。     

脉冲供电的空心阴极放电中电子的能量和密度

空心阴极放电具有电子能量大和密度高等优点,特别是脉冲供电的空心阴极放电,它能给出比直流供电的空心阴极放电中高好几个数量级的电子密度,而且高能电子的比例也很高。这对于激发原子的高激发态,尤其是获得双电子激发态是相当适合的。然而,目前对于脉冲供电的空心阴极放电,尤其是对极短波长受激辐射最重要的电子的能量和密度以及随放电参数变化的关系等问题,有待深入研究。 在一个脉冲供电的空心阴极放电装置上,用圆柱型双探针系统测量了氩气电子的能量和密度以及随放电参数变化的关系。并与直流放电的结果作了比较。发现在脉冲放电的条件下电子的密度比在直流放电的条件下约高4个数量级,而电子的能量提高约4～13eV。     

基于MoO3和Re-Bphen修饰有机太阳能电池性能的研究

有机太阳能电池(OSCs)的性能与材料及器件结构密切相关。以MoO3为阳极缓冲层,有机金属配合物Re-Bphen为阴极缓冲层,制备了结构为ITO/MoO3/CuPc/C60/Re-Bphen/Al的OSCs。在标准太阳光照条件下,当MoO3和Re-Bphen的厚分别为5nm和8nm时实现了器件的最佳性能,能量转换效率(PCE)和器件寿命均显著提高。结合器件结构,分析了工作机制。     

高分辨率大面阵微型相机设计

小型化相机是支持低成本微型飞行器或微小卫星对地观测等多项应用的关键设备,由此提出了一种高分辨率大面阵的小型化成像系统。首先预估了该成像系统用于目标观测的像元分辨率和幅宽。然后阐述了该系统的电子学方案,对其中的关键芯片OV14825的工作原理进行了介绍,并分析了基于FPGA的串行差分数据接收转发的软件设计。最后基于设计的相机样机开展了成像实验,在13m成像距离条件下获取图像分辨率优于0.5mm,而且图像细节丰富,层次分明,证明该方案切实可行。高分辨率大面阵微型相机具有很好的应用价值。     

Designing a Stable Cathode with Multiple Layers to Improve the Operational Lifetime of Polymer Light‐Emitting Diodes

The short device lifetime of blue polymer light‐emitting diodes (PLEDs) is still a bottleneck for commercialization of self‐emissive full‐color displays. Since the cathode in the device has a dominant influence on the device lifetime, a systematic design of the cathode structure is necessary. The operational lifetime of blue PLEDs can be greatly improved by introducing a three‐layer (BaF₂/Ca/Al) cathode compared with conventional two‐layer cathodes (BaF₂/Al and Ba/Al). Therefore, the roles of the BaF₂ and Ca layers in terms of electron injection, luminous efficiency, and device lifetime are here investigated. For efficient electron injection, the BaF₂ layer should be deposited to the thickness of at least one monolayer (～3 nm). However, it is found that the device lifetime does not show a strong relation with the electron injection or luminous efficiency. In order to prolong the device lifetime, sufficient reaction between BaF₂ and the overlying Ca layer should take place during the deposition where the thickness of each layer is around that of a monolayer.     

Improvement of the performance of the dispenser cathode with Re as a middle layer

A new type of dispenser cathode with dual-layer （Os-W/Re） is developed. The cathode coated with Os-W/Re shows better emission performance than the cathode coated with Os-W alloy. X-ray Photoelectron Spectroscopy （XPS） spectra demonstrate that ternary alloy coating （Os-W-Re） formed on the surface of the cathode with dual-layer （Os-W/Re） after full activation is the major reason why it has better emission than the cathode with Os-W alloy. The surface of each variety of the cathode is characterized with Scanning Electron Microscope （SEM） before and after activation： the emitting surface of the cathode with Os-W alloy after ageing appeared non-adherence （flaking） in localized areas, which is one of the reasons for non-uniform emission. However, the surface of the cathode with dual-layer （Os-W/Re） does not present film peeling under the same conditions. Thus it ensures better emission uniformity and functional reliability for the dispenser cathode.     

聚乙二醇阴极修饰层改善聚合物太阳能电池光电性能的研究

通过将聚乙二醇(PEG)掺入活性层制备聚合物太阳 能电池,利用PEG的迁移特性获得阴极修饰层,研 究PEG阴极修饰层对聚合物太阳能电池光电性能的影响。X射线光电子能谱(XPS)分 析表明,掺入活性层中的 PEG迁移到活性层与Al电极之间,形成了阴极缓冲层。吸收光谱、电流密度-电压 特性曲线和外量子 效率谱的分析表明,PEG阴极缓冲层的形成改善了活性层与阴极的界面接触特性, 降低了活性层与电 极之间的能级势垒,有利于载流子传输,因此显著地改善了聚合物太阳能电池的光电性能, 使得器件的开 路电压Voc、短路电流密度Jsc和填充因子(FF)都有明显提高。当P3HT:PCBM 活性层中掺入体积比为0.5%的PEG时,聚合物太阳能电池的能量转换 效率(P CE)最高,达到了3.07%,比未掺杂PEG的参考器件提 高了38.5%。     

时域相位光码分多址隐藏通信性能分析

提出并建立了基于时域相位光码分多址的单波长宿主信道光隐藏通信系统.通过对系统仿真结果分析,论证了隐藏信道的隐藏性及可用性、隐藏信道与宿主信道功率比平衡点,以及隐藏信道的加入对宿主信道的功率代价.