高温超导体超导态的场致发射

高温超导体处在临界温度以下时，能隙会引起体内电子分布的改变。本文在考虑到能隙对体内电子分布影响时，分析了高温超导体的场致发射电流密度和场致发射电子能谱。     

非平衡态对高温超导体光场致发射的影响

由于外加电场的作用 ,高温超导体材料体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,这种非平衡状态将影响高温超导体光场致发射的性质。文中对高温超导体的光场致发射受非平衡态的影响进行了研究。     

非平衡态下高温超导体的光场致发射

外加电场的作用下高温超导体材料体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态，这种非平衡状态将影响高温超导体光场致发射的性质。本对高温超导体的光场致发射受非平衡态的影响进行了研究。     

高温超导体场致发射的非平衡效应

高温超导体场致发射时 ,非平衡状态将使电场在超导发射体内增加穿透深度 ,这将使其场发射性质发生改变。本文对高温超导体场致发射的非平衡状态进行了研究。     

电场穿透对高温超导体场致发射电流的影响

高温超导体在场致发射时伴随正常态部分的空穴的产生 ,会出现非平衡现象。这会引起超导体电子平衡态的化学势偏移 ,增加外电场在高温超导体发射体内的穿透深度 ,使导带底弯曲影响超导体场致发射的电流。     

碳纳米管场致电子发射新机制

基于对长达 1μm的 (5 ,5 )碳纳米管的量子力学计算 ,作者发现使碳纳米管具有优异场致电子发射特性的因素除了人们预期的尖端场增强之外 ,电荷在纳米管尖端的积累造成有效功函数 (真空势垒 )的非线性下降也起了非常重要的作用 .对外加电场Vappl=10— 14V/ μm下的碳纳米管进行了计算 ,得到与实验结果相近的发射电流     

非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究

利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高sp³含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于20V/μm情况下，得到的场发射电流达20—40μA，薄膜的电子发射行为符合Fowler-Nordheim场发射理论．研究表明，这种非晶金刚石薄膜具有负的电子亲合势和较小的有效功函数以及相对较低的禁带宽度 关键词：     

场致发射的温度效应对微波管爆炸电子发射的影响

为研究场致发射的温度效应对微波管中爆炸电子发射过程的影响,在对比分析低温条件下的场致发射电流密度Fowler-Nordheim（FN）和一般的电子发射电流密度积分公式的基础上,利用细长圆柱形微凸起模型,重点考虑焦耳加热和热传导两个因素,编程计算得到了微凸起内部的温度分布和不同位置处温度随时间的变化。结果表明:场致发射的温度效应是一个重要影响因素,考虑温度对场致发射的影响后,微凸起内部各点的温度随时间呈非线性增长,且增长速率越来越大;在微波电场强度较弱时,若不考虑场致发射的温度效应而直接用FN公式表示的电流密度代入计算,会使爆炸发射延迟时间变短;当微波电场很强时,温度效应对爆炸发射延迟时间的影响则较小。     

场致发射的温度效应对微波管爆炸电子发射的影响

为研究场致发射的温度效应对微波管中爆炸电子发射过程的影响,在对比分析低温条件下的场致发射电流密度Fowler-Nordheim（FN）和一般的电子发射电流密度积分公式的基础上,利用细长圆柱形微凸起模型,重点考虑焦耳加热和热传导两个因素,编程计算得到了微凸起内部的温度分布和不同位置处温度随时间的变化。结果表明:场致发射的温度效应是一个重要影响因素,考虑温度对场致发射的影响后,微凸起内部各点的温度随时间呈非线性增长,且增长速率越来越大;在微波电场强度较弱时,若不考虑场致发射的温度效应而直接用FN公式表示的电流密度代入计算,会使爆炸发射延迟时间变短;当微波电场很强时,温度效应对爆炸发射延迟时间的影响则较小。     

电子束诱导沉积纳米线的电阻与场发射特性

"运用电子束诱导沉积技术在钨针尖表面沉积钨纳米线．在透射电子显微镜中,原位测量单根纳米线的电阻与场发射特性,并观察其显微结构变化．样品台为特制的电性能测试样品台,包括步进电机和压电陶瓷驱动的装置．导电铜片作为与纳米线相对的另一极．自行设计制作锁相放大器电路测量纳米线的电阻．结果表明,纳米线的电阻为0.1*10-3 -m量级．纳米线头部的几何缺陷将影响其场发射特性．纳安级电流将改变纳米线头部的几何结构与微观结构．场发射开启电压比结构变化前低11 V左右．"     

摆动器场误差对自由电子激光器自发辐射谱的影响

在考虑平面型摆动器（Ｗｉｇｇｌｅｒ）场误差△Ｂ（ｚ）的情况下，求解电子在磁场中运动的洛仑兹（Ｌｏｔｅｎｔｚ）方程，得到场误差对电子横向速度的改变，然后作傅里叶变换即为电子自发辐射谱的改变，并讨论了各种场误差对自由电子激光器自发辐射谱的影响，选择北京自由电子激光器（ＢＦＥＬ）参数，进行模拟，最后确定出各种场误差的可接受条件。     

O2非平衡态等离子体中电子平均能量的谱线监测

采用蒙特卡罗方法,模拟了O2非平衡态直流放电等离子体过程。计算了不同E/N条件下电子在氧气中的漂移速度,结果与实验数据符合得很好。模拟了电子平均能量和电子激发态粒子数随E/N的变化关系。提出了一种通过监测两条紫外谱线202.6和280nm强度之比来监测电子平均能量的方法。该方法对于非平衡态气体放电等离子体在材料制备、激光应用及微电子技术等领域中的应用具有重要意义。     

同轴空心阴极氦等离子体的电子激发温度研究

利用同轴空心阴极放电装置,产生氦低温等离子体。通过对等离子体的发射光谱进行测量和计算,研究放电功率以及氦气压强对等离子体的电子激发温度的影响。结果表明:氦低温等离子体的发射光谱主要由连续谱和原子谱线构成,放电功率和压强对谱线的强度具有明显影响。压强的变化不仅影响电子从电场中获得的能量,还会影响电子与原子的碰撞频率,从而导致电子激发温度随着氦气压强的增大,出现先上升后下降的变化趋势。     

双原子分子电子能量损失谱的解谱方法

介绍一种双原子分子电子能量损失谱的解谱方法,在利用已知的双原子分子光谱信息及理论计算的Franck-Condon(FC)因子的基础上,通过二次函数调整整个电子态振动强度的轮廓,减少拟合过程中的待定参数个数,降低对FC因子精确性的要求,提高拟合的精度和可信度.用Mathematica语言编写基于以上方法的数据处理程序,改进算法,提高了软件的运行效率.利用该软件处理氢分子的电子能量损失谱,得到氢分子不同电子态的振动跃迁的截面信息,所得结果与以前的实验结果符合很好.     

Electron temperature fluctuation in the HT-7 Tokamak plasma observed by electron cyclotron emission imaging

The fluctuation of the electron temperature has been measured by using the electron cyclotron emission imaging in the Hefei Tokamak-7 (HT-7) plasma. The electron temperature fluctuation with a broadband spectrum shows that it propagates in the electron diamagnetic drift direction, and the mean poloidal wave-number $\bar{k}_{\theta}$is calculated to be about 1.58 cm^-1, or \bar{k}_θ ρ_s≈ 0.34. It indicates that the fluctuation should come from the electron drift wave turbulence. The linear global scaling of the electron temperature fluctuation with the gradient of electron temperature is consistent with the mixing length scale qualitatively. Evolution of spectrum of the fluctuation during the sawtooth oscillation phases is investigated, and the fluctuation is found to increase with the gradient of electron temperature increasing during most phases of the sawtooth oscillation. The results indicate that the electron temperature gradient is probably the driver of the fluctuation enhancement. The steady heat flux driven by electron temperature fluctuation is estimated and compared with the results from power balance estimation.