纳米固体材料的性能与界面微观结构

综述了纳米陶瓷ＴｉＯ２和纳米金属Ａｇ的力学性能，以及纳米离子导体ＣａＦ２和ＰｂＦ２等的离子导电性能，结合其界面微观结构特征，对上述纳米固体材料的优异性能进行了初步解释     

谈谈金属电导率的经典理论

在金属导电经典微观图像中,自由电子和晶格正离子的碰撞符合泊松流要求的条件,因此碰撞时间间隔服从指数分布.简明地推导出了与微分形式的焦耳-楞次定律自洽的金属电导率表达式.     

导电颗粒属性对各向异性导电粘合剂电导的影响

利用差分法对导电粘合剂中导电颗粒的属性(包括导电颗粒的形状、大小等)对导电粘合剂电导的影响进行了计算.在交流信号下，导电粘合剂的金属填充颗粒越小，导电粘合剂的电导越大.通过理论计算发现，导电粘合剂的导电颗粒若为球形(正方体)，导电粘合剂的电导与金属颗粒的半径(边长)成反比例变化；若为长方体或圆柱体颗粒，则电导随颗粒高度的增加而减小，而基本不随颗粒底面积的改变而变化. 关键词： 导电粘合剂 电导 导电颗粒 差分法     

基于裂纹模板法的金属网格透明导电薄膜制备及性能改进

基于裂纹模板法制备了一种高屏蔽性能的金属网格透明导电薄膜.采用现有裂纹模板法制备得到的金属网格透明导电薄膜,其金属网格厚度较薄,屏蔽性能有待改进.本文在研究了裂纹材料的旋涂转速对龟裂图案的影响关系分布曲线中,增加了缝隙深度因子,选取了合适的裂纹材料和旋涂方案,制备得到理想的随机图案分布的裂纹模板.通过磁控溅射法在裂纹模板缝隙内外沉积厚度为1μm的金属层,引入了超声波清洗结合有机溶剂的方法,高效去除裂纹胶模板后,得到了金属网格透明导电薄膜样品.实测的金属网格透明导电薄膜样品透光率超过85%,同时方阻值保持在2.8Ω/左右,具有良好的透光和电磁屏蔽性能.通过制备加厚金属网格透明导电薄膜改进了屏蔽性能,为后续基于裂纹模板法制备高屏蔽性能金属网格透明导电薄膜提供了参考.     

导电炭黑微观结构及其应用性能

以乙炔炭黑、副产炭黑和炉法导电炭黑为研究对象,较为系统地分析了与导电炭黑应用性能密切相关的微晶结构、表面性质、颗粒形貌和粒度分布特征,探讨了导电炭黑微观结构对应用性能的影响。研究结果表明,导电炭黑的微观结构决定了其应用性能,而决定应用性能的关键在于其与基体材料的匹配性。副产炭黑在橡胶和塑料中导电性能较好,乙炔炭黑在锂离子电极材料中的导电性能较好。     

对感应起电机特殊故障的修理一例

感应起电机的主要部件起电盘，是由适当形状的金属箔均匀地粘贴在有机玻璃圆盘上而成，莱顿瓶也是由金属箔粘贴在玻璃瓶的内、外表面后，加装电极而成．但有的生产厂家，为降低成本，用导电性能极差的们状物取代金属箔，涂敷在有机玻璃上，制成起电盘和莱顿瓶．在刚制成后，因这些糊状物尚未干透，勉强可以导电，凑合着能用，但时间一长，糊状物干透后导电性能急剧下降，甚至一点也不能导电，实验时，无论你如何操作，起电机也不会起电．我们实验室的几台起电机，均属这种故障，表面看来，均为正常，电路连接也无错误，这给修理带来一定难度…     

镅污染手套箱系统去污技术

镅污染手套箱系统去污是核退役中比较突出的技术难题。而且针对手套箱金属部件的固定性污染，电解技术可能是惟一的选择。但是电解去污过程会产生放射性废液，其处理过程导致退役费用的增加。提出了涂膜超声电解去除手套箱系统金属表面放射性污染的方法：在待去污金属部件表面涂蚀一种导电高分子膜，使得金属基质和污染物质在经过电解后不进入电解质溶液而附着在导电高分子膜内侧或者直接进入膜内，去污过程完成后将膜从金属表面剥离下来直接作为放射性固体废物处理。     

关于"超导体"教学的两个误区分析

“超导体”是中学物理结合“STS课程设计思想”编写的一个新内容．由于人们对由欧姆定律所阐述的正常导体（常温下的金属及电解质溶液）的导电性质的认识有些根深蒂固，因此它对于超导体的导电性质就产生了一些负面影响，并形成了下面需要注意的两个典型误区。     

对一道静电除尘习题流行解答的商榷

通过分析气体电离导电、金属导电和电解液导电的不同产生机理,对一道常见静电除尘习题,从物理原理及电流定义两方面阐述了与资料上广泛流行解法和答案的不同见解.     

铁磁金属薄膜纳米点连接的各向异性磁电阻

首次运用电子束光刻技术和真空沉积技术在硅片表面制备了宽度在20纳米Ni80Fe20薄膜铁磁金属纳米点连接,通过对铁磁金属薄膜纳米点连接样品在不同温度下的磁电阻和I~V的研究,得出宽度在20纳米的铁磁金属薄膜纳米点连接中所观察到的磁电阻现象是各向异性磁电阻,其导电行为主要是金属导体导电行为,受量子化电导作用较小;通过对宽...     

带引流条导电矩形管磁流体湍流大涡数值模拟

为研究引流条对磁流体湍流的影响，采用自主开发的低磁雷诺数流固耦合磁流体相干结构模型大涡模拟求解器，对均匀磁场作用下平行层内带引流条导电矩形管和标准导电矩形管中液态金属湍流进行了数值模拟研究。结果表明，外加垂直流动方向的均匀磁场与流动的导电流体相互作用产生与流动方向相反的洛伦兹力，能够抑制磁流体的湍流脉动，这种抑制作用随着哈特曼数增大而增强。在弱导电率条件下，当Re=16350、Ha=212 时，两种管道中的流动均转换为层流流动状态。管道内壁面摩擦系数随着哈特曼数的增大而增大。引流条能在其近壁局部区域增强横向速度，有效激发湍流，但在弱壁面导电率条件下，带引流条导电矩形管壁面摩擦系数较标准矩形管大。     

名义组份Bi6Se9Ge4CuOx块材和粉末压实样品的热电势和电导率

采用熔化淬火工艺制备Bi6Se9Ge4CuOx。块材和粉末压实样品均在300℃进行了热处理，该温度远低于玻璃转变温度419℃（由DTA热重分析得知）。无论是末经处理还是热处理后的样品，都具有多相结构。热电势测量结果表明，可能有电子和空穴的导电。载流子的导电类型主要取决于热处理条件。热电势以扩散分量为主，声子曳引可以忽略。跳跃导电是常见的，而半金属行为只在特殊的热处理条件下出现。     

掺杂锰基氧化物中的相分离和渗流效应

目前，相分离仍是锰基氧化物超大磁电阻材料研究的热点，渗流效应假设已广泛用于解释其电输运特性．作者用变温磁力显微镜首次在La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3薄膜中直接观察到了渗流过程，微观上证明了渗流效应假设的正确性．实验发现，降温过程中电阻率的陡降是铁磁金属相的渗流效应引起的，升温过程中电阻率的上升，则是由导电路径上磁畴的磁化强度随温度的升高而降低引起的，而导电路径一直存在．微观的磁回滞和宏观的电阻回滞相吻合．当然要定量解释锰氧化物中的超大磁电阻效应还需要做大量的理论和实验工作．     

Cu/La2NiO4电接触材料的制备及电弧烧蚀性能研究

解决铜基触点材料因易氧化而生成不导电物质导致触点失效的关键在于提高材料的导电性能,基于导电陶瓷La₂NiO₄因其具有导电性能,论文采用溶胶凝胶法制备获得了导电陶瓷La₂NiO₄粉体,用粉末冶金法制备出致密Cu/La₂NiO₄复合材料并进行微观形貌观察和物相分析。经过电弧烧蚀后,观察表面烧蚀形貌,探讨氧化层的微观组织,并进行温升测试。研究结果表明,电弧烧蚀后的Cu/La₂NiO₄复合材料表面有裂纹并且触点表面有多种侵蚀形貌特征并存,氧化层可能因接触力的作用而脱落以提高导电性能。本论文的研究工作表明,采用铜掺杂导电陶瓷La₂NiO₄的方法,可以有效提高电触点材料电弧烧蚀后的导电性。     

防静电阻燃聚丙烯材料制备方法的研究

进行了以氧化锌晶须为导电性添加剂改善聚丙烯－阻燃物质复合体系防 电性能的试验。发现当氧化锌晶须的含量在10%-12%时，复合材料的表面电阻率和摩擦静电压分别降至最低值10^9Ω和250V左右，表明该添加剂可使聚丙烯获得良好的防静电性能，且与阻烯物质相兼容。认为氧化锌晶须提高复合体系导电性能的微观机理可归结为网络导电、隧道效应和尖端放电等作用。     

p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓 (p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能，发现当温度低于900℃时，材料的电阻率较高 ；在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外，电导性能除与掺杂浓度有关，还与p- GaN生长条件有关，氮镓摩尔比过低导电性能就较差，过高则会引起表面粗糙.采用优化后的 p-GaN制作了绿光发光二极管器件，发现生长温度越低器件发光强度越高，反向电压也越高 ，但正向电压只是略有升高. 关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体 氮化镓 发光二极管 金属有机物化学气相淀积     

金属的霍耳效应

一、前言霍耳效应是在1879年研究铜的导电性能时发现的.如今已广泛地应用于半导体材料的研究和测试之中.相比之下,人们很少注重金属的霍耳效应.事实上,通过金属霍耳效应的观察和研究,有利于对金属导体导电机理的认识,了解自由电子气模型的不足,从而知道对一些反常现象必须用固体能带理论进行解释.随着真空镀膜技术的日益普及,目前已能制备很薄的金属膜样品,因此观察金属霍耳效应不再需要大电流和强磁     

液态金属和玻璃的若干研究进展

概述了液态金属和玻璃的的结构和性质研究的一些近期发展，如液态金属的原子间相互作用势和结构的普适性描述，二元液态合金的物理性质的计算和金属－－非金属转变的解释，以及玻璃的结构、熔化和弛豫的微观描述。     

回路技改中的钠钾安全处理

液态金属实验回路自1992年建成以来，已开展了一系列如导电、绝缘管道流的磁流体动力学（简称MHD）效应等实验研究，同时开展了自由表面流体的MHD效应研究。由于回路管道中的钠钾合金化学活性极其活泼，潮湿的空气中发生剧烈燃烧，遇水发生剧烈反应并爆炸，     

关于安培力的微观机制

在纠正了传统错误以后，若把安培力解释为自由电子对霍尔电场的反作用力，仍然存在一些问题．本文分别讨论了霍尔系数为负值的单价金属导体、霍尔系数为任意值的三种半导体和霍尔系数为零的非单价金属导体中，安培力的经典微观机制．