类铍钛离子态-态双电子复合速率研究

 研究了类铍Ti¹⁸⁺离子三类态-态双电子复合过程,基于多组态准相对率自洽场方法和扭曲波方法,计算了该离子在电子温度 0.01~1.0keV范围内的态-态双电子复合速率系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型和上下能态的变化。     

单、双洞态镁离子的退激发及末电离态离子分布的研究

在分析双洞相关退激发对双洞态退激发的贡献较小的基础上，依据辐射-俄歇-双俄歇级联退激发模型(RACDA)研究了Mg¹⁺(1s^-1)（K壳层单洞态镁离子）和Mg²⁺(1s^-2)（K壳层双洞态镁离子）的退激发过程，计算了它们的末电离态离子的分布，并与辐射-俄歇级联退激发模型的结果进行了比较.RACDA模型计算的Mg¹⁺(1s^-1)的4价末电离态离子的相对丰度较大，而辐射-俄歇级联退激发模型(RAC)的结果中就没有出现4价离子；两种模型计算Mg²⁺(1s^-2)的6价末电离态离子的丰度非常大，而RAC模型下的Mg²⁺(1s^-2)退激发后不产生6价离子. 关键词： 双洞态退激发 RACDA退激发模型     

高离化态类镍离子电子碰撞激发过程的相对论扭曲波理论研究

利用相对论扭曲波方法和新发展的研究电子碰撞激发过程的计算程序REIE06,系统计算了电子碰撞激发高离化态类镍Gd³⁶⁺和Rn⁵⁸⁺—U⁶⁴⁺(Z=86—92)离子从基态到4l(l=s,p,d,f)次壳层精细结构能级的碰撞强度和截面.研究了随等电子系列变化时,从基态到与X射线激光有关的3d⁹4p和3d⁹4d激发态能级的电子碰撞激发截面随Z的变化,讨论了强的组态相互作用对高离化态类镍离子截面的影响.通过对Gd³⁶⁺离子涉及X射线激光跃迁的相关能级电子碰撞激发速率系数的计算,分析了等离子体中电子温度对碰撞过程的影响.同时,目前部分计算结果与以往的理论结果进行了比较,得到了很好的一致性. 关键词： 电子碰撞激发 相对论扭曲波方法 高离化态类镍离子     

类氦离子的KLL双电子复合过程的相对论理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，发展了计算双电子复合截面的程序.并以类锂C³⁺，Ar¹⁵⁺，Kr³³⁺和U⁸⁹⁺等离子为例，详细计算了共振双激发态1s2l2l′的辐射衰变率、Auger衰变率及相应的双电子复合截面.对于C⁴⁺，Ar^l6+和Kr³⁴⁺离子的结果与已有的计算和实验结果都能很好地符合；对于U⁹⁰⁺离子，则重点 关键词： 双电子复合 截面 MCDF     

高电荷态离子Arq+与不同金属靶作用产生的X射线

研究了高电荷态离子Ar^q+(q=16，17，18)入射金属Be，Al，Ni，Mo，Au靶表面产生的X射线谱.实验结果表明，Ar的Kα-X射线是离子在与固体表面相互作用过程中固体表面之下形成空心原子发射的.电子组态1s²的高电荷态Ar¹⁶⁺离子在金属表面中性化过程中，存在的多电子激发过程使Ar¹⁶⁺的K壳层电子激发产生空穴，级联退激发射Ar的Kα 特征X射线.Ar¹⁷⁺离子在金属表面作用过程中产生的X射线谱形与靶材料没有明显的关联,入射离子的Kα-X射线产额与其最初的电子组态有关，靶原子的X射线产额与入射离子的动能有关. 关键词： 高电荷态离子 空心原子 多电子激发 X射线     

洞态氩离子的退激发及末电离态离子分布的理论研究

在描述洞原子(或离子)退激发过程只考虑单俄歇跃迁和辐射跃迁的辐射-单俄歇级联退激发模型的基础上,进一步考虑了双俄歇跃迁的贡献,发展了辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型.据此模型研究了Ar⁺(1s^-1)(1s洞态氩离子)和Ar⁺(2s^-1)(2s洞态氩离子)的退激发过程及末电离态离子的分布,获得了与实验相符的结果. 关键词： 辐射-单俄歇级联退激发模型 双俄歇跃迁 辐射-单俄歇-双俄歇级联退激发模型 洞离子退激发     

类氢O、N离子入射Al表面俘获电子布居几率的理论与实验研究

利用“二态矢量模型”详细研究了高电荷态O⁷⁺,N⁶⁺离子入射Al表面时中间里德伯态的形成过程,给出了电子被俘获至不同量子数(n A=2-7)的几率,以及电子俘获至里德伯态最可能的离子-表面距离.计算结果表明,较大的主量子数nA对应较小的里德伯态几率,因此O⁷⁺,N⁶⁺离子入射Al表面时辐射的X射线主要来源于较小的n A至基态的退激.为了验证计算结果,测量了O⁷⁺,N⁶⁺离子入射Al表面的X射线发射谱,并运用FAC程序计算了不同高里德伯态退激到基态的跃迁能(np–1s).实验测量到O,N的K-X射线峰,其特征峰的中心值接近主量子数n=2至n=1的跃迁能,说明发射的X射线主要来源于2p–1s的跃迁,与“二态矢量模型”理论计算的几率一致.     

W^71＋离子态—态双电子复合速度系数的计算

基于Ｃｏｗａｎ相对论多组态ＨＦＲ程序，计算了高离化类锂钨离子在０．１－９ｋｅＶ能量范围内，对应于Δｎ＝０．１的态－态双电子复合速率系数。讨论了速率系数随电子温度，复合类型及中间双激发态中俘获电子的主量子数的变化。     

Ni27+ 离子Kα和Kβ 型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni²⁷⁺等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道，分析了Ni²⁷⁺等离子体Kα 型和Kβ 型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l与电子温度的变化行为，计算了Ni²⁷⁺等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明，在低密度条件下，Kα 型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数l有重要关系，前者的分支速率系数远大于后者. 关键词： 27+离子')" href="#">Ni²⁷⁺离子 Kα型和Kβ型辐射衰变')" href="#">Kα型和Kβ型辐射衰变 双电子复合 速率系数     

高离化态Cu18+离子的双电子复合及共振转移激发过程的理论研究

在准相对论理论框架下计算了Cu¹⁸⁺离子的双电子复合截面，分析了组态相互作用对截面的影响.基于这些数据，在冲量近似下，通过对靶原子中电子动量分布的卷积，进一步得到了Cu¹⁸⁺与H₂碰撞过程中的共振转移激发截面，并与已有的实验结果作了比较，符合得很好.A 关键词： 双电子复合 共振转移激发     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

Ionization equilibrium and radiative energy loss rates for C,N, and O ions in low-density plasmas

The results of calculations of the ionization equilibrium and radiative energy loss rates for C, N and O ions in low-density plasmas are presented for electron temperatures in the range 10⁴–10⁷ °K (～1–10³ eV). The ionization structure is determined using the steady-state corona model, in which electron impact ionization from the ground states is balanced by direct radiative and dielectronic recombination. Using an improved theory, detailed calculations are carried out for the dielectronic recombination rates in which account is taken of all radiative and autoionization processes involving a single-electron electricdipole transition of the recombining ion. The radiative energy loss processes considered are electron-impact excitation of resonance line emission, direct radiative recombination, dielectronic recombination, and electron-ion bremsstrahlung. For all three elements, resonance line emission resulting from 2s?2p transitions produces a broad maximum in the energy loss rate near 10⁵°K(～ 10 eV).     

Field enhanced dielectronic recombination of Si11+ ions

The enhancement of dielectronic recombination by applied electric fields has been observed and measured for the first time in a wide range of controlled and measurable fields using multiply charged ions. The heavy ion storage ring, CRYRING, at Stockholm University was used to store a beam of Si¹¹⁺ and collide it with a cold electron target. The observation of a substantial monotonic increase of the rate coefficient for the group of higher Rydberg states is in puzzling disagreement with theoretical calculations of electric field enhanced dielectronic recombination. This revised version was published online in July 2006 with corrections to the Cover Date.     

双电子复合过程在激光在Au靶耦合物理中的作用

 描述了考虑双电子复合过程的平均原子模型,通过与流体力学耦合计算,对双电子复合过程在激光－Au靶耦合物理中的作用进行了总体计算,结果表明,双电子复合对等离子体状态及X光转换等有明显影响,特别表现在晕区电子温度、电离度的降低,激光－X光的转换效率的提高以及X光的发光区域变宽等。     

Evidence for strong Breit interaction in dielectronic recombination of highly charged heavy ions

Resonant strengths have been measured for dielectronic recombination of Li-like iodine, holmium, and bismuth using an electron beam ion trap. By observing the atomic number dependence of the state-resolved resonant strength, clear experimental evidence has been obtained that the importance of the generalized Breit interaction (GBI) effect on dielectronic recombination increases as the atomic number increases. In particular, it has been shown that the GBI effect is exceptionally strong for the recombination through the resonant state [1s2s(2)2p(1/2)](1).     

Measurement of the KLL Dielectronic Recombination Resonances in He-like to C-like Kr Ions

The KLL dielectronic recombination processes of highly charged He-like to C-like Kr ions have been studied experimentally. The measurement was performed on the newly developed Shanghai electron beam ion trap （Shanghai-EBIT） facility. Characteristic x-rays from both dielectronic recombination and radiative recombination are detected as the electron beam energy is scanned through the resonances. The KLL resonant strengths obtained are 5.41×10^-19, 4.33×10^-19, 3.59×10^-19, 2.05×10^-19 and 0.98×10^-19 cm^2 eV for He-like to C-like Kr ions, respectively.     

高Z等离子体中的双电子复合与电子碰撞激发

 采用准相对论性Hartree-Fock-Relativistic方法与不可分辨跃迁组模型相结合,对Au和Ta元素的类Ni离子的双电子复合速率,以及Au元素类Cu离子的电子碰撞激发速率进行了计算。计算结果表明,对于Au类Ni离子的3d¹⁰-3d⁹4l5f-3d¹⁰4l双电子复合过程以及类Cu离子的3d¹⁰4l-3d⁹4l5f电子碰撞激发过程,当电子温度高于1.0 keV时,电子离子碰撞激发速率随电子温度增加而增加,双电子复合速率随电子温度增加而减小,并且电子碰撞激发对谱线辐射的贡献要比双电子复合大得多。     

Systematic trends in the radiative emission rates for low- and medium-Z elements in high-temperature plasmas

The power radiated by an optically thin, low-density (N_e ≤ 10¹⁴ electrons/cm³) plasma has been calculated for the electron temperature range 1–10⁶ eV taking into account resonance line emission, direct recombination radiation, dielectronic recombination radiation, and bremsstrahlung from the ions of a given element. The ionization structure has been determined by using a corona equilibrium model in which collisional ionization and inner-shelled excitation followed by autoionization are balanced by direct radiative and dielectronic recombination. Based on the results for respresentative elements from carbon through nickel, graphs are presented of the maximum radiated power, the maximum emission temperature, and the mean charge at the maximum for each shell as functions of the atomic number Z. Assuming that the maximum emission temperature can be achieved, aluminum and iron are predicted to be the most efficient K-shell radiators for Z ≤28.