Tl—1223超导体及其复Ag带的制备

研究了用产中分熔化法制备Ｔｌ－１２２３超导体的工艺。样品的名义组成为（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。经熔化退火的样品，其磁化电流的７７Ｋ和１Ｔ下大于２×１０＾４／ｃｍ＾２。用熔化－退火的超导粉作原料制得的复Ａｇ带短样，Ｊｃ达１．６－１．７×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７ｋ，０Ｔ）。采用烧结后的超导粉作原料，在制备复Ａｇ带的工艺中，如用熔化－退火的热处理制度，可以免除…     

铊系超导单昌的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生工。生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ＾３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ＾３。Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶。     

铊系超导单晶的低温生长

采用蠕爬型助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ和蒸发型复合助熔剂ＣａＯ－ＣｕＯ－ＮａＣｌ来制备Ｔｌ－Ｂａ－Ｃａ－ＣＵ－Ｏ超导单晶，生长炉最高温度分别为８９０℃和８５０℃，因而实现了铊系单晶的低温生长．生长出的单晶分别是典型尺寸为２．０×１．５×０．２ｍｍ３，Ｔｃ在１００Ｋ与１１９Ｋ之间的Ｔｌ－２２１２相单晶和尺寸为１．２×１．０×０．１ｍｍ３，Ｔｃ约为１１５Ｋ的Ｔｌ－２２２３相超导单晶．采用蠕爬型助熔剂可以降低熔点而不引进其它非组元杂质，但导致熔料蠕爬，对生长大块单晶不利．采用蒸发型复合助熔剂克服了熔料的蠕爬现象，减少了铊的损失，对生长多铜氧层的单晶有利．     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

不同退火条件对(Hg,Tl)-1223热电势率的影响

我们测量了Ｈｇ０９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热电势率与温度的关系，并着重研究了不同退火条件对其超导电性及热电势率的影响．结果表明：室温热电势率Ｓ（２９０Ｋ）与ＣｕＯ２平面的空穴浓度ｐ及超导转变温度Ｔｃ的关系，与Ｊ．Ｌ．Ｔａｌｏｎ等人对Ｙ系、Ｂｉ系及Ｔｌ系高温超导材料给出的结果一致．因此热电势率可提供高温超导材料内空穴浓度ｐ的信息．     

超薄超导YBa2Cu3O7薄膜的外延生长和电阻温度关系

利用紫外脉冲激光源淀积生长氧化物薄膜的技术，我们在ＳｉＴｉＯ３衬底上成功地外延生长了超薄超导ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７薄膜样品．样品ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度分别为２．４ｎｍ至１０．８ｎｍ（二至九个原胞）．四端引线电阻法测量了样品的电阻温度关系和超导转变．超导零电阻温度分别为１６Ｋ至８１Ｋ．超薄超导薄膜样品显示当ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度达到和超过四个原胞层厚（９．６ｎｍ）时，厚度变化对样品超导零电阻转变的影响并不十分明显．实验观察到ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７层厚度对样品超导零电阻温度和超导起始转变影响不同．这说明样品中的缺陷对样品性能有着不容忽视的影响．超薄ＹＢａ０．２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜样品的成功制备为进一步的研究提供了有利条件．     

T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态中的输运性质的研究

本文研究了ｃ轴取向的Ｈｇ０．９Ｔｌ０．１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ超导膜（Ｔｃ＞１２４Ｋ）在混合态下的电阻展宽及霍尔效应．低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为．在膜的超导转变温度以下，我们观察到霍尔电阻率符号反常现象．霍尔电阻率（ρｘｙ）和纵向电阻率（ρｘｘ）具有ρｘｙ（Ｔ）＝ｋρβｘｘ（Ｔ）的标度关系     

TlBaCaCuO外延膜的光响应

在波长γ＝６３２．８ｎｍ，入射功率约０．８ｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光照射下，对ＴｌＢａ２Ｃａ２ＣｕＯ２（Ｔｌ－２２１２）外延膜的光响应行为进行了实验研究。结果显示：在样品转变温度（Ｔｃ＝１０５．５Ｋ）附近，ＴｌＢａ－ＣａＣｕＯ外延膜的光响应行为表现为辐射热与非辐射热效应共存现象。光响应信号电平与样品温度、偏置电流、及入射光束的调制频率等诸因素有密切关系的关系。实验结果还表明，辐射热与非辐射热效应的响应行为     

Tl系块状超导体的电磁性质

实验研究了Ｔｌ１２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣＵ２ＯＹ块状超导体的ＺＦＣ磁化强度与温度的变化关系，发现存在一些新的特性，并用Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结电流和屏蔽电流关系作了解释。指出低场强下Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结和超导晶粒构成的非超导区域可能是磁通钉扎中心。     

Bi－2223／Ag超导带材长样的制备

本文从提高超导材料的均匀性和致密性出发，采用硝酸盐热分解及多磨多烧工艺制粉．并掺入１０ｗｔ％Ａｇ２Ｏ粉，用冷等静压法压成密实棒材，经烧结且液Ｎ２淬火后装银管，拉丝后进行轧制，每道次采用１５％左右的均匀变形量进行轧制，选用预烧结－高温短时熔化处理－后退火的热处理工艺，制备了厚度为００９ｍｍ，宽度为２．３ｍｍ，长度为０．５ｍｍ的Ｂｉ系带材长样，其Ｊｃ（７７Ｋ．０Ｔ）值达８０００Ａ／ｃｍ２．     

Y0.8Pr0.2Ba2Cu3O7—δ单晶的热力学参数

用ＳＱＵＩＤ磁强计测得了Ｙ０．８Ｐｒ０．２Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶在外场平行于ｃ轴条件下的磁化强度随温度的变化。在超导转变下，除了磁化强度是可逆的以外，由于磁通涨落而导致的磁化强度交叉发生在超导转变温度以下约２Ｋ处。利用Ｈａｏ－Ｃｌｅｍ模型拟合可逆磁化强度得到了热力学临界场Ｈｃ（Ｔ）和金兹堡－朗道参数ｋ。其它超导参数由Ｈｃ（Ｔ）和ｋ推得，比较ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ的热力学参数，讨论了Ｐｒ离子的效应     

高温超导体Hg0.9Tl0.2Ba2Ca2Cu3O8+δ的热导

测量了高温超Ｈｇ０．９Ｔｌ０．２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ的热导率,温度范围为２０～３００Ｋ。在超导转变温度Ｔｃ以下观察到热导率明显的增加。在６５Ｋ（～０．５Ｔｃ）附近,超导体的热导率表达到了一个宽的极大,热导率的极大值为的１．６倍。用正常态电子散射的模型对实验结果进行了拟合。     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

Bi—2223／Ag超导带材长样的制备

本从提高超导材料的均匀性和致密性出发，采用硝酸盐热分解及多磨多烧工艺制粉，并掺入１０ｗｔ％Ａｇ２Ｏ粉，用冷等静压法压成密实棒材，经烧结且液Ｎ２淬火后装银管，拉丝后进行轧制，每道次采用１５％左右的无效变形量进行轧制，选用预烧结－高温短时熔化处理－后退火的热处理工艺，制备了厚度为０．０９ｍｍ，宽度为２．３ｍｍ，长度为０．５ｍｍ的Ｂｉ系带材长样，其Ｊｃ值达８０００Ａ／ｃｍ＾２。     

不同Ba含量的Y－Ba－Cu－O体系多晶材料的相组成及其超导电性

本文采用Ｒａｍａｎ光谱分析方法对名义组分为ＹＢａｘＣｕ３Ｏ（ｘ＝２．０，１．８，１．６，１．２，０．６）的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析．结果表明：１）在制备Ｙ（１２３）相材料过程中，Ｂａ元素的含量对样品的成相有着重要影响．在高Ｂａ含量的Ｙ（１２３）相样品中，容易产生ＢａＣｕＯ２相杂质，在低Ｂａ含量的样品中则容易产生Ｙ（２１１）、（Ｙ２ＢａＣｕＯ５）相杂质，而Ｂａ含量适当低于标准化学剂量配比时有利于Ｙ（１２３）相的生成２）样品的相组成对超导转变温度Ｔｃ值影响不大，但与超导转变温度宽度△Ｔｃ密切相关．当ｘ＝１．６时，其△Ｔｃ最小，说明样品中适量的Ｙ（２１１）相杂质的存在对超导转变特性的改善是有利的．     

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8＋δ超导膜（Tc〈124K）在混合态中的输运？…

本文研究了ｃ轴取向的Ｈｇ０．９Ｔｌ０．１Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ超导膜（Ｔｃ〉１２４Ｋ）在混合态下的电阻展宽及霍尔效应。低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为。在膜的超导转变温度以下,我们观察到霍尔电阻率符号反常现象。霍尔电阻率（ρｘｙ）和纵向电阻率（ρｘｘ）具有ρｘｙ（Ｔ）＝ｋρｘｘ＾β（Ｔ）的标度关系。     

不同Ba含量的Y—Ba—Cu—O体系多晶材料的相组成及其超导电性

本文采用Ｒａｍａｎ光谱分析方法对名义组分为ＹＢａｘＣｕ３Ｏ７－ｙ（ｘ＝２．０，１．８，１．６，１．２，０．６）的系列样品的相组成和超导转变温度的关系进行了分析，结果表明：１）在制备Ｙ（１２３）相材料过程中，Ｂａ元素的含量对样品的成相有着重要影响，在高Ｂａ含量的Ｙ（１２３）相样品中，容易产生ＢａＣｕＯ２相杂质，在低Ｂａ含量的样品中则容易产生Ｙ（２１１）、（Ｙ２ＢａＣｕＯ５）相杂质，而Ｂａ含量适当低于     

Y稳定的ZrO2基体上YBa2Cu3O7／SrTiO3／YBa2Cu3O7异质外延三层…

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜。利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征。研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．５Ｋ和８６．７Ｋ之间。ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶     

激光沉积法制备（Y1—xHox）Ba2Cu3O7—δ薄膜

本文报道了用激光沉积法在（１００）ＬａＡｌＯ３衬底上制备（Ｙ１－ｘＨｏｘ）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ（ｘ＝０，０．２，０．４）超导薄膜．结果表明，新超导薄膜表面光滑，具有很强的ｃ轴织构，零电阻温度Ｔｃ０约９１Ｋ，最佳临界电流密度Ｊｃ为４．７×１０６Ａ／ｃｍ２（７７Ｋ）．