s＋d混合波对称性下计入库仑作用和Van Hove奇异性的超导转变…

本文在ｓ＋ｄ混合波对称性下研究了Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性、准粒子配对相互作用各向异性并再计入库仑排斥势对超导转变温度（Ｔｃ）和同位素效应的联合效应。结果表明，Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性和各向异性都能显著地增高Ｔｃ，库仑作用则降低Ｔｃ。库仑作用和Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性都能减小同位素效应指数（α），各向异性和ｄ波成分则增大α。计入库仑作用后α就随ＣｕＯ２面内各向异性参量增大而增大。由此可以推测，如果实验上肯     

s+d混合波对称性下联合模型的超导电性

提出一个联合模型，在ｓ＋ｄ混合波对称性下，合并考虑电子间配对相互作用的各向异性及二维电子结构上Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性对超导电性的影响．理论结果表明：Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性及配对相互作用的各向异性都是使Ｔ_c提高的重要因素；各向异性的电子配对相互作用自然导致序参量的ｄ波成分，当此各向异性增强时，ｄ波成分也增大．高温超导体的较高２Δ（０）／ｋ_ＢＴ_c值可能预示着在这些材料中ｓ波的权重远小于ｄ波权重．联合效应模型下的Ｔ_c处比热跳跃行为与经典的ＢＣＳ理论也完全不同 关键词：     

在Van Hove奇点模型下计入库仑作用的高温超导电性

本文在Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇点模型下系统地研究了库仑作用对高温超导电性的影响，对超导转变温度Ｔｃ、绝对零度下能隙Δ（０）、同位素效应指数α和Ｔｃ处的比热跃变ΔＣ（Ｔｃ）作了解析和数值计算。结果表明，在Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇点模型下考虑库仑作用后，我们仍能得到高的Ｔｃ，并且能较好地解释同位素效应指数很小的实验结果。同时还表明在Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇点模型下考虑载流子局域性和巡游性的竞争对于解释高温超导体的实验结     

Van Hove层间隧道模型下的高Tc与同位素效应

本文在层间随道模型下，考虑了ＶａｎＨｏｖｅ机制，无须较大的随道作用，在电声机制下，就可以给出高Ｔｃ，并可以解释同位素效应反常，结果表明层间随道模型的ＢＣＳ－ＶａｎＨｏｖｅ机制是较合理的机制．     

s＋d混合波对称下联合模型的超导电性

提出了一个联合模型，在ｓ＋ｄ混合波对称性下，合并考虑电子间配对相互作用的各向异性及二维外Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性对超导电性的影响，理论结果表明：Ｖａｎ Ｈｏｖｅ奇异性及配对相互作用的各向异性都是使Ｔｃ提高的重要因素。     

双层耦合模型的BCS—Van Hove超导电性研究

本文基于ＢＣＳ－ＶａｎＨｏｖｅ机制，考虑双层耦合模型，由此给出Ｔｃ、零温双能隙、同位素指数ａ的计算式，并进行了数值计算；结果表明双层模型的ＶａｎＨｏｖｅ机制，引入了层间配对及跃迁不但可以导致高Ｔｃ，而且可以解释同位素指数ａ的反常，同时零温双能隙也有较大提高．     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

拉伸状态NbSe3在纵向磁场下的负磁阻效应

本文研究了准一维电荷密度波材料ＮｂＳｅ３晶须自然状态（ε＝０）和受到拉伸的状态（ε＞０）下在纵向磁场中的磁阻效应．温度Ｔ≤５０Ｋ时，无论自然状态还是拉伸状态（ε＝１．５％）都没有观察到负磁阻．但是，当温度升高到Ｔ＝７０Ｋ，我们观察到ＮｂＳｅ３晶须受到拉伸至ε＝１．５％时有负磁阻效应；进一步增大ε至１．８％，负磁阻效应更明显；不拉伸（ε＝０）则没有磁阻．文中就这个现象进行了讨论．     

氖等电子序列2p^5nl（l=s,d）系列的高激发态结构

本文用本征通道量子亏损理论方法（ＥＱＤＴ方法）计算了氖等电子序列２ｐ＾５ｎｌ（ｌ＝ｓ，ｄ）系列的高激发态结构。得到基本结构参量（ＥＱＤＴ参量）随净电荷数Ｚｃ增大的变化规律，并从静电相互作用下自旋－轨道相互作用之间的竞争角度给出确切的物理解释。以ＮｅＩ为实例，给出其高激发态结构的具体数值结果。     

不同氧含量Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶电阻率的各向异性

精确测量了在不同氧压下退火的单晶Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（Ｂｉ２２１２）样品的ＣｕＯ面内和ＣｕＯ面外的电阻率ρｃ（Ｔ）和ρａｂ（Ｔ）．发现ρｃ（Ｔ）和各向异性比（ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ））随着载流子浓度增加而迅速下降．在过掺杂样品中，高于１２０Ｋ时，ρｃ随温度线性下降，而各向异性比与温度仅有微弱的依赖关系．ρｃ（Ｔ）和ρｃ（Ｔ）／ρａｂ（Ｔ）的值可以用Ａｌｅｘａｎｄｒｏｖ和Ｍｏｔ建立的双极化子模型很好地加以拟合     

光子气的能量、热容量和压强

光子气的能量、热容量和压强沈抗存（湖南大学物理系长沙４１００８２）（收稿日期：１９９６０１１８；修回日期：１９９６０９０４）在一体积为Ｖ温度为Ｔ的平衡辐射场内，光子数Ｎ和能量Ｕ分别为Ｎ＝∫∞０ｇ（ν）ｄνｅｈνｋＴ－１＝８πＶｃ３∫∞０ν２ｄ...     

高温超导体中的涡旋运动和Hall效应——依赖时间的金兹堡-朗道理论近似

从依赖时间的金兹堡 朗道方程（ＴＤＧＬ方程）出发研究高温超导体的涡旋运动序参量，考虑为一个复数．利用层状模型（Ｌａｗｒｅｎｃｅ-Ｄｏｎｉａｃｈ模型），由ＴＤＧＬ方程与Ｌ-Ｄ模型结合，从而讨论高温超导体的Hall效应，涡旋运动的数字系数，用序参量的解计算出来。建立模型，从TDGL出发，对涡旋运动方程进行偏微分，从而计算出纵向传导和Hall传导，讨论Hall角的符号改变和Hall效应的奇异性。这些讨论拟合Hall效应的符号改变与混合态高温超导体观察到的Hall效应的结果。 关键词：     

Coulomb－Born近似下的He基态（e，2e）三重微分散射截面

在Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｏｒｎ近似下，利用满足一定边界条件且包括电子动量相关的库仑波近似描述ｅ－＋Ｈｅ（１ｓ２）→Ｈｅ＋（１ｓ１）＋２ｅ－两出射电子，得出了三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）的明晰表达式，计算了入射能为６００ｅＶ和４００ｅＶ、散射角为４°和１０°条件下的ＴＤＣＳ，并与实验值和Ｂｒａｕｎｅｒ理论结果进行了比较。结果发现，电子动量相关效应对解释ｂｉｎａｒｙ峰和ｒｅｃｏｉｌ峰的大小和位置起重要作用。     

二能带交迭高温超导理论的Van－Hove奇异性与超导转变温度和反常同位素效应

本文利用二交迭能带理论，计算费米面附近电子态密度的Ｖａｎ－Ｈｏｖｅ奇异性对超导转变温度和同位素指数因子的影响，计算结果表明：费米面附近电子态密度的Ｖａｎ－Ｈｏｖｅ奇异性能同时提高超导转变温度和降低同位素指数因子，这是普通的ＢＣＳ理论不能解释的［３］．     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

溅射制备的Co/V多层膜微观结构特征与铁磁共振研究

研究了用射频磁控溅射方法制备的［Ｃｏ（１５ｎｍ）／Ｖ（ｄＶ）］２０（０５ｎｍ≤ｄＶ≤４ｎｍ）多层膜的结构和磁性．用Ｘ射线衍射、透射电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜等手段对其结构的分析,表明它们层状周期结构良好,沿膜的生长方向具有ｆｃＣｏ（１１１）和ｂｃｃＶ（１１０）织构,且是由小的柱状晶粒构成的多晶薄膜．界面一定程度的合金化,使其成为成分调制周期结构,也是它们的一个结构特征．由其铁磁共振谱计算得到较小的ｇ因子和４πＭｅｆ值,表明多层膜界面存在一定程度的合金化．对于Ｖ层厚度小于２２ｎｍ的多层膜,观测到自旋波共振谱,并作了分析．计算了层间耦合常数,说明Ｃｏ层之间存在较弱的层间交换耦合作用．     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

纳米晶体ZnS∶Mn~(2 )发光寿命异常减缩机理的探讨

纳米晶体ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中Ｍｎ２＋粒子４Ｔ１→６Ａ１的发光寿命比晶体减缩了５个量级，这颇令人费解，因为通常解除自旋禁戒的磁作用远无如此强的效应．假定基质态的自旋不为零，且考虑了Ｍｎ２＋的ｄ电子和基质之间的交换库仑作用．若基质存在比Ｍｎ２＋的４Ｔ１激发态能量略高的某种激发态，则这种交换库仑作用将导致这两种激发态之间的混合，从而可解除发光能级弛豫中的自旋禁戒．这种混合随基质颗粒尺寸的减小而加强．我们并对此机制进行粗略的数值估计，给出了和实验相容的结果．     

NaS和Na_2S分子解离能和生成热的从头算研究

使用分于轨道从头算方法，在ＭＰ２（ｆｕ）／６—３１Ｇ优化几何基础上，采用ＨＦ，ＭＰｎ（ｎ＝２，３，４）和ＱＣＩＳＤ（Ｔ）理论，使用６—３１Ｇ（ｄ，Ｐ），６—３１１Ｇ（ｄ，Ｐ），６—３１Ｇ（Ｚｄｆ，Ｐ）和６—３１１＋Ｇ（３ｄｆ，２ｐ）基组，计算了ＮａＳ和Ｎａ２Ｓ分子以及Ｎａ和Ｓ原子的总能量和各级电子关联修正能。在此基础上应用Ｇ１和Ｇ２理论估算ＴＮａＳ和Ｎａ２Ｓ分子的解离能和生成热。在Ｇ２理论框架下，理论估算的解离能和生成热（在室温）分别是６７．０７ｋｃａｌｍｏｌ－１和０．３５ｋｃａｌｍｏｌ－１（Ｎａ２Ｓ）以及５０．４８ｋｃａｌｍｏｌ－１和４１．５７ｋｃａｌｍｏｌ－１（ＮａＳ）。     

Au-Bi2Sr1.94La0.06CuO6+δ点接触中的Andreev反射：能隙函数及其温度关系

我们用Ａｕ 针尖对过掺杂的Ｂｉ２Ｓｒ１ ．９４Ｌａ０ ．０６ＣｕＯ６ ＋ δ（Ｂｉ２２０１） 单晶进行点接触隧道谱测量．在Ｔｃ 以下观测到典型的Ａｎｄｒｅｅｖ 反射．用扩展的ＢＴＫ 理论拟合实验数据，发现除了ｄ 波外还必须考虑ｓ 波成份才能较好的拟合，并且ｓ 波含量随不同的实验而不同．这种含量变化可能和针尖与单晶表面的接触程度有关．实验观测到的总能隙随温度的关系偏离ＢＣＳ的能隙温度关系