SnO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光:利用TiO_2盖层提高发光强度

通过在重掺硼硅(p+-Si)衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结.基于该异质结的器件可在低电压(电流)驱动下电致发光.进一步地,通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层,使器件的电致发光获得显著增强.这是由于TiO2盖层的引入,一方面使SnO2薄膜更加致密,减少了非辐射复合中心;另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.     

溅射的Ti薄膜热氧化形成的TiO2薄膜与p+-Si形成的异质结的电致发光

利用磁控溅射法以不同条件在重掺硼硅片(p+-Si)上制备Ti薄膜,经过一定条件下的热氧化转化为TiO2薄膜,从而形成TiO2/p+-Si异质结.研究表明:要使TiO2/p+-Si异质结产生显著的电致发光,其中的TiO2薄膜必须呈现单一的锐钛矿相,这就要求在较低的功率下溅射获得晶粒尺寸较小的Ti薄膜.此外,TiO2的薄膜...     

反向驱动的异质结有机薄膜电致发光

成功制备了结构为ITO／PDDOPV／PPQ／Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV，但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加，当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时，其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ／IPDDOPV分别为1．092、1．329、1．605、2．046。换句话说，该器件的发光颜色是压控可调的，这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ／IPDDOPV受电压控制的原因。     

基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件

以电子束蒸发的方法制备硒化锌(ZnSe)薄膜，研究了基于ZnSe的有机-无机异质结电致发光器件.在双层器件ITO/ZnSe(50nm)/Alq₃(12nm)/Al中看到了峰值位于578nm的ZnSe电致发光，却很难得到单层器件ITO/ZnSe(50—120nm)/Al的电致发光；在此基础上进一步引入有机空穴传输层(HTL)，通过改变器件的结构，讨论了ZnSe对有机-无机异质结器件ITO/HTL/ZnSe/Alq₃/Al电致发光特性的影响.其电致发光光谱的研究结果证实了ZnSe在器件中的作用：ZnSe既起传输电子的作用，也起到传输空穴的作用，还作为发光层.并对ZnSe的发光机理进行了讨论. 关键词： 硒化锌 有机-无机异质结 电致发光 空穴传输层     

掺杂PPQ薄膜的电致发光及电场调制

从掺杂PPQ薄膜单层器件的电致发光光谱在掺杂前后的变化。说明掺杂PPQ薄膜中存在着基质分子和掺杂分子间的能量传递，其电致发光光谱随加电场变化说明电场对PPQ薄膜的电致发光具有调制作用。用一个由单链模型扩展到包括杂质和外场的Hamiltonian进行数值求解。结果表明：在PPQ和TPL分子之间有效的能量传递是源于它们之间的是荷转移，且随着外加电压的变化，其电致发光谱峰位的移动与掺杂前后系统总量的改变及发光强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系，这一模型很好地解释了电场对PPQ薄膜电致发光的调制作用。     

掺杂8－羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究

在具有电致发光（ＥＬ）的有机整合染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）中接以染料罗丹明６Ｇ（Ｒ６Ｇ）,用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长５７５ｎｍ的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色．并在Ａｌｑ３发光层不同区域插入一掺杂薄层（Ａｌｑ３：Ｒ６Ｇ）,利用其发光波长与未掺杂部分（Ａｌｑ３）的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题．     

染料掺杂的红色有机薄膜电致发光器件

近年来 ,有机发光二极管 (OL EDs)得到了广泛深入的研究[1～ 3] 。研究工作主要集中在探索新的有机荧光材料、载流子注入和输运材料 ,以及器件的新结构 ,力求得到发光效率高和稳定性好的各种不同颜色的发光。从目前的研究来看 ,尽管蓝色和绿色发光材料的效率已经足够高到实用 ,但红色发光材料仍然存在问题 ,对红色发光进行研究是非常必要的。有两条实现红色发光的途径 :掺杂能发红光的染料和用稀土离子配合物作基质或激活剂。利用能量传递的原理 ,在有机基质材料中掺杂荧光染料是获得高效、长寿命和所希望发光颜色的一种有效而简单的方法…     

掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究

在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G),用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G),利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题.     

H_2气氛退火处理对Nb掺杂TiO_2薄膜光电性能的影响

采用电子束沉积方法,以钛酸锶(SrTiO3)为衬底制备铌(Nb)掺杂TiO2薄膜并研究后续H2气氛退火处理对其薄膜样品光电性能的影响.结果发现H2气氛热退火处理能有效改善Nb掺杂TiO2薄膜的导电率,最佳电阻率达到5.46×10-3Ω·cm,在可见光范围内的透光率为60%—80%.导电性能的改善与H2气氛退火处理后多晶薄膜的晶粒尺寸变大和大量的氧空位形成及H原子掺杂有关.     

Cu掺杂SnO_2/TiO_2复合薄膜的制备及性能研究

制备Cu掺杂的纳米Sn O2/Ti O2溶胶,采用旋涂法在载玻片上镀膜,经干燥、煅烧制得Cu掺杂的Sn O2/Ti O2薄膜,通过对比实验探讨掺杂比例、条件、复合形式等对结构和性能的影响。采用XRD、SEM、EDS、UVVis等测试手段对样品进行表征,并以甲基橙为探针考察了其光催化降解性能。XRD测试结果显示薄膜的晶型为锐钛矿型,结晶度较高。SEM谱图显示薄膜表面无明显开裂,粒子分布均匀,粒径约为20 nm。EDS测试结果表明薄膜材料中含有Cu元素,谱形一致。UV-Vis吸收光谱表明Cu掺杂以及Sn O2/Ti O2的复合使得在近紫外区的光吸收比纯Ti O2明显增强。光催化实验表明Cu掺杂后使得Sn O2/Ti O2复合薄膜对甲基橙的光催化降解效率进一步提高,Sn O2/Ti O2复合薄膜的光催化活性在10%Cu掺杂时达到最高。     

ZnqCl2薄膜与器件的制备及其光电特性

用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜，并制作成有机发光嚣件。紫外吸收谱分析表明，器件在225，290，350，392．5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究衰明，ZnqCl2薄膜有良好的发光特性，器件的发光亮度大。并分析了ZnqCl2薄膜的能级结构。     

RuO2/TiO2/漂珠复合光催化剂的制备及性能

"利用RuO2/TiO2前驱体溶胶,采用溶胶-凝胶-浸渍法在漂珠(FP)表面沉积RuO2/TiO2膜,经120 ℃干燥、500 ℃焙烧制备复合光催化剂RuO2/TiO2/FP,并通过SEM、XRD以及FT-IR分别对其结构进行了表征． 结果表明,RuO2/TiO2膜的平均厚度(三层)约1 1m,膜材料中TiO2主要呈现锐钛矿型结构,而RuO2是以非晶态高度分散在粒子表面．以高效氯氰菊酯杀虫剂的光催化降解为模型反应,研究了RuO2/TiO2/FP的光催化性能,探讨了影响催化剂活性的因素及采用太阳光做光源处理     

Ce~(3+)注入掺杂金刚石薄膜蓝区电致发光研究

采用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积了一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的Ce3+,从而制备出了Ce3+掺杂的金刚石薄膜.研究了其电致发光特性,得到了发光主峰位于蓝区(476 nm和435 nm处)的光发射.实验中发现随着Ce3+注入剂量的增加,电致发光强度也随之增加.     

溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2多层增透膜

在酸催化体系中以钛酸丁酯为前驱体制得TiO2溶胶,以正硅酸乙酯（TEOS）为前驱体制得SiO2溶胶,采用提拉法在普通载玻片上镀膜。辅助MASS膜系设计软件进行模拟计算,得到了透射率为99%的膜片。根据理论模拟结果,实验采用交叉镀膜,制备出了宽带增透TiO2-SiO2多层膜,其方法有别于以往的TiO2/SiO2复合膜法。用紫外-可见分光光度计测量了样品的透射光谱。实验发现,样品具有明显的宽带增透效果：在400-700nm波段,当光线垂直入射时,增透6%左右;45°角入射时,可增透10%。     

硅基掺锰富硅氧化硅薄膜的电致发光

硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源,文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜,然后用热扩散法进行了锰（Mn2＋）掺杂和光学活化。高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3～5 nm的硅纳米晶体。该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光,光致发光谱峰位在524 nm（2.36 eV）,一般认为这是来自Mn2＋能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射;其荧光寿命为0.8 ms。将该掺锰富硅二氧化硅（SiO2∶Si∶Mn2＋）做成电致发光结构,在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光（EL）,光谱范围覆盖了400～800 nm。研究表明,该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2＋以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加;Mn2＋的发光是靠薄膜中的热电子来激发的;并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。     

Electroluminescence of Thin Films of Organic Compounds (Review)

This paper is a brief review of investigations on the electroluminescence of organic compounds. It considers the background of the problem, the organic electroactive materials, the structures based on them and the technology of their preparation, the main physical characteristics of electroluminescence (spectra, polarization, volt-luminance and volt-ampere characteristics, kinetics, temperature dependence, quenching, efficiency and operation time, and ways of increasing them). A brief analysis of the investigations on injection of charge carriers, their transport, and the formation of excited states of molecules as well as applications and prospects of development of organic electroactive materials and structures is carried out.     

Electroluminescence from Si／SiO2 films deposited on p—Si substrates

The structure of Au/Si/SiO₂/p-Si has been fabricated using the magnetron sputtering technique. It has a very good rectifying behaviour. Visible electroluminescence (EL) has been observed from the Au/Si/SiO₂/p-Si structure at a forward bias of 5V or larger. A broad band with one peak around 650－660 nm appears in all the EL spectra of the structure. The effects of the thickness of the Si layer in the Si/SiO₂ films and of the input electrical power on EL spectra are studied systematically.     

薄膜沉积过程中TiO_2的金红石相向锐钛矿相转变

用ＲＦ磁控放电方法以纯金属钛做靶材在氩氧混合气体中制备了ＴｉＯ２薄膜,Ｒａｍａｎ光谱测量表明,在２Ｐａ工作气压下制备的ＴｉＯ２薄膜为锐钛矿结构,而在０２Ｐａ工作气压下制备的是金红石结构。工作气压的改变引起了ＴｉＯ２薄膜沉积中的相转变。     

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

利用射频磁控溅射方法 ,在n Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .