薄膜光学 薄膜光学理论与膜系设计

O4842006010501光电子封装中新型激光焊接吸收薄膜的设计=Design ofnovel absorptive thinfil mfor laser weldingin optoelectron-ic device capsulation[刊,中]/江绍基(中山大学光电子技术与材料国家重点实验室.广东,广州(510275)),李伟多…∥红外与激光工程.—2005,34(5).—505-510设计了一种用于对Si O2、Si和Li NbO3等材料进行激光焊接的吸收薄膜。这种“金属-介质-金属”的3层吸收薄膜减少了夹在透明母料之间的焊料表面对Nd∶YAG激光束的反射。该设计使激光能量在实验中的实际吸收率超过99%。这种吸收膜与焊料层的结合使激光能更…     

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O484．1 2005021282 HWE生长大面积CdTe／CdZnTe／Si薄膜的结构和形貌分 析=Analysis of structure and morphology for big area CdTe／CdZnTe／Si thin film grown by HWE technique[刊, 中]／杨爱明(云南大学化学与材料工程学院．云南,昆明 (650091)),吴长树…//激光与红外．-2004,34(6)．- 457—459 用热壁外延法(HWE)生长直径30 mm的CdTe／ CdZnTe／Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向     

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O484．1 2005053671 苝染料杂化氧化锌薄膜的电沉积制备与表征=Dye sensi- tized ZnO hybrid films grown by cathodic electro deposition from non-aqueous electrolyte[刊,中]／何冯耀(上海交通大 学化学化工学院精细化工研究所．上海(200240)),陈秋萍 …∥感光科学与光化学．-2005,23(2)．-123-128     

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O484.1 2006032350一种新型三层双波段减反射膜设计研究=Study on a newdesign method of three layers antireflecting coating withtwo wavelengths[刊,中]/张耀平(中科院光电所.四川,成都(610209)) ,许鸿…∥光电子技术与信息.—2006 , 19(2) .—22-24双波段增透膜在激光系统中得到越来越多的应用,目前薄膜设计方法仅能设计简单的V与W型增透薄膜,利用矢量方法提出了一种新型的三层双波段减反膜设计方法。基于所提出的薄膜设计方法,设计一个实例,与实际镀制薄膜反射光谱进行了对比。结果表明,实际镀制结果与理论计算结果具有较好的吻合,…     

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O484.12007043566非晶碳化硅材料与光学微腔的制备与发光=Preparationand luminescence of amorphous SiC material andits opticalmicrocavity[刊,中]/陈德媛(南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室.江苏,南京(210093)),钱波…//发光学报.?2007,28(1).?121-125利用等离     

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O484．1 2005032005 金属网栅结构参数设计与制作=Characteristic dimension design and fabrication of metallic mesh[刊,中]／冯晓国(中 科院长春光机所．吉林,长春(130033)),方梁…∥光学精 密工程．-2005,13(1)．-59-64 研究了金属网栅结构参数对其光电特性的影响,并通 过工艺实验结果测试,验证了分析计算成果。实验采用清 洗、涂胶、光刻、显影、镀膜、去胶、电镀工艺流程,并用激光 直写曝光代替掩模投影曝光。在MgF2基底上制作出线     

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O484.1 2004053087 MCP电子透射膜的制备及半视场特性=Fabrication of electron transmission film at the input of MCP and its half view properties[刊,中]/闫金良(烟台师范学院物理系,山东,烟台(264025))∥半导体光电,—2004,25(3),—188-190,241 介绍了微通道板(MCP)电子透射膜在成像器件中的     

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O484．1 2006065221表面覆盖退火对ZnO薄膜光学性质的影响=Effect of surface-covered annealing on optical properties of ZnO films grown by MOCVD[刊,英]/王立(南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌(330047)),蒲勇…//半导体学报．—2006．27(3)．—409-412研究了暴露在空气中退火和表面覆盖蓝宝石基板退火对MOCVD生长的ZnO薄膜光学性质的影响,研究发现,暴露在空气中退火虽可以去除薄膜中的氢杂质,并在低温光致发光(PL)谱中观察到与氢相关的束缚激子峰消失,但是退火后样品室温PL谱中可观察到很强的可见光     

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O484．4 2005042867 离子束清洗在激光薄膜中的应用=Application of ion beam cleaning to the laser films[刊,中]／张大伟(中科院上海光机所,上海(201800)),张东平…／／光学技术,-2005, 31(2),-238-240 介绍了在激光薄膜中End-Hall型离子源离子束清洗的应用。通过实验验证了基片的二次污染和离子束的清洗效果,观测了离子束清洗前后基片的表面形貌变化。研究了离子束清洗基片时对薄膜抗激光损伤阈值的作用。分析了用离子束清洗基片时其基片表面的性质,如清洁度、表面能、接触角、表面形貌的变化机理。指出了杂质微粒的去除和附着力的增加是如何使薄膜抗激光损伤阈值显著提高的。图5参6(杨妹清)     

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O484.1 2006043345钛酸铋基铁电薄膜研究进展=Progress in study on BIT-based ferroelectric thin fil ms[刊,中]/张端明(华中科技大学物理系.湖北,武汉(430074)) ,杨斌…∥功能材料.—2006 ,37(3) .—351-354 ,357钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。图3参38(严寒)O484.1 2006043346有ITO透明导电膜的平面分层介质系统的电磁波性能理论研究=Electromagnetic performance of…     

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O484．1 2005064295 溶胶-凝胶方法制备BiFeO3薄膜及其铁电性质=Ferro- electricity of BiFeO3 film prepared by sol-gel proceSS[刊, 中]/刘红日(湖北师范学院物理系．湖北,黄石(435002)), 刘堂昆…∥功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-168-172 用溶胶-凝胶方法制备了BiFeO3薄膜,XRD研究表明 薄膜呈随机取向,扫描电镜研究表明薄膜表面呈致密的多 品结构,薄膜与底电极之间没有互扩散。铁电性测试表明     

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O484.1 2007054569利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用=Study on modified surface layers of CIGS thin fil msby Raman spectra[刊,中]/刘玮(南开大学物理科学学院光子学中心.天津(300071)) ,田建国…//光谱学与光谱分析.? 2007 ,27(4) .? 716-719研究了采     

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O484.1 2005010406 R.F.溅射Ba0．5Se0．5TiO3／RuO2薄膜及其介电特性研究= Dielectric propertics of sputtered Ba0.5 Sr0.5 TiO3 thin film on RuO2 bottom electrode[刊,中]／张柏顺(湖北大学物理学与电子技术学院．湖北．武汉(430062)),章天金…∥光电子技术与信息,-2004,17(2).-19-22 用R.F．磁控溅射法在p-Si(100)衬底上沉积Ba0.5 Sr0.5TiO3／RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用 XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时。薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大。电容器InGa／BST／RuO2的     

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O484.1 2004010438 纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性=Field emission characteristics of BN thin films with nanometer thickness[刊,中]/顾广瑞(吉林大学超硬材料国家重点实验室.吉林,长春(130023)),李英爱…∥液晶与显示.—2003,18     

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O484.12007010560电沉积-烧结法制备Y2O3∶Eu荧光薄膜的研究=Re-search of luminescence fil m of Y2O3∶Eu prepared bymethod of electrodeposition-sinter[刊,中]/曾冬铭(中南大学化学化工学院.湖南,长沙(410083)),舒万艮…//感光科学与光化学.—2006,24(2).—126-132采用电沉积-烧结方法制备出了氧化钇铕红色荧光薄膜。在0.1mol/L硝酸钇溶液中加入4%(摩尔分数)0.1mol/L硝酸铕掺杂,用三电极体系进行阴极电沉积,工作电极的电位为-1.2V(相对于Ag/AgCl电极),温度65℃,沉积时间为400s,500℃灼烧2h,制备出的发光薄膜与高温固相法制备的…     

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O484.1 2004032075 聚乙烯咔唑/铟锡氧化物的界面分析=Interface analysison the poly(N-vinylcarbazole)/indium-tin-oxide[刊.中]/彭应全(兰州大学物理科学与技术学院.甘肃,兰州(730000)),郑代顺…∥光电子·激光.—2003,14(7).—767—771