掺铒GaN薄膜光致发光的研究

采用傅立叶变换红外光谱（FT－IR）研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性，光致发光谱（PL）的测量结果表明：选用退火时间长的电阻加热退火护退火，有利于薄膜中晶格损伤的恢复，MOCVD，MBF两种方法制备的GaN薄膜，注入铒，退火后的PL谱形状基本一样，薄膜中O，C的含量越大，可能导致1539nm处的PL强度越强，不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大，在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30％，MBE生长的GaN/Al2O3样品，注入铒，退火后，当测量温度从15K变化到300K时，样品发光的温度猝灭是30％。     

退火过程中聚乳酸中间相的形成和结构演化

采用淬火法制备聚乳酸(PLA)非晶薄膜,并利用原位显微红外光谱在线研究PLA非晶薄膜在不同退火温度下的结构演化.结果表明,PLA非晶薄膜存在一个临界结晶温度,当退火温度高于临界结晶温度时,PLA非晶薄膜可以通过分子链的局部调整实现冷结晶,反之,不能发生冷结晶;在冷结晶过程中先出现中间相,随后发生中间相-晶体相的转变;中间相是通过分子链的构象调整和分子链间的堆砌调整产生的,退火温度越高,中间相出现得越早,最终得到的晶体结构越规整.     

钢注入Ti^＋离子束的真空碳化和微观结构的变化

Ｔｉ＋（１００ｋｅＶ，３×１０１７ｃｍ－２）注入Ｈ１３钢，表面注入层的化学组成和微观结构发生了很大的变化，俄歇分析表明，注入元素Ｔｉ在钢表面层的剖面含量分布呈近似高斯分布，在４０ｎｍ处原子数分数达到其峰值（２５％），离子束真空碳化导致在钢的表面形成一层约２０ｎｍ的“渗碳层”。透射电镜分析表明，表面层的微观形貌由注入前的板条状马氏体结构转变成注入后的微胞状结构，电子衍射则进一步证实，表面层已出现非晶化，并且有ＴｉＣ析出     

316L不锈钢基体上磁控溅射Er2O3／Er涂层的后处理研究

采用磁控溅射的方法在316L不锈钢表面制备了氧化铒涂层.选用金属铒作为过渡层,研究了不同热处理温度对涂层相组成、表面形貌以及涂层与基底结合情况的影响.XRD,SEM及膜基结合力分析结果表明,带有过渡层的氧化铒涂层表面致密、均匀,退火处理使氧化铒结晶性能提高,经过800℃热处理,生成了金属间化合物ErFe3提高了涂层与基底的结合强度.绝缘电阻率测试结果表明.Er2O3涂层绝缘电阻率在1×1013～1×1015Ω·cm,绝缘性能良好.     

PMMA对聚氧乙烯β转变的影响

对半结晶聚氧乙烯（PEO)/PMMA共混体系的DSC及动态力学行为研究表明：PEO在和PMMA形成半结晶PEO/PMMA共混体系后，其β转变的峰温没有明显移动；β峰只出现在淬炎的半结晶PEO/PMMA共混体系中，而在完全非晶的相容性共混体系以及退火的半结晶共混体系不出现；在β转变区，对应的模量反常地增大，对应的DSC曲线有明显阶跃。可见，半结晶PEO的β转变并不象通常所认为的源于PEO非晶区的玻璃化转变。在接受半结晶PEO及半结晶PEO/PMMA共混体系的PEO结晶区存在结晶-非晶中间相观点的基础上，认为β转变源于PEO结晶区结晶-非晶中间相的玻璃化转变过程。     

热处理对尼龙1010结构影响研究

采用ＷＡＸＤ，ＳＡＸＳ方法研究了热处理对尼龙１０１０聚集态结构的影响．结果表明，在温度为１７５℃左右对样品进行退火处理可获得较完善的结晶．利用Ｗｃ．ｘ~Ｔ关系曲线外推法得到尼龙１０１０样品的Ｔｇ大约为５８℃．根据一维电子密度相关函数法求得了系列样品在所研究条件下的结晶片层厚，过渡层厚，长周期和结晶非晶相间的密度差．得到了不同退火条件尼龙１０１０样品的结晶相密度ρｃ．     

镨和铕离子注入硅的快速热退火研究

利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Ｐｒ离子注入样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高强度１２４０℃下退火，则具有穴穴导电性，注入离子起受主作用，即有两种导电行为。     

铒偏析与沉淀对掺铒硅1.54 μm光发射的影响

用金属蒸气真空弧离子源(MEVVA)制备高浓度掺铒硅发光薄膜, 研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对1.54 μm光发射的影响. RBS分析表明, Er的掺杂浓度可达～10%(原子分数), 即Er原子体浓度为1×1021 cm-3. XRD分析掺铒硅薄膜的物相结构发现, Er在薄膜中的存在形式与离子注入参数有关. Er的偏析、沉淀以及辐照损伤等因素会影响掺铒硅薄膜的1.54 μm光发射.     

掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性

用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法，以固定的氢气（H2）流量和不同的硅烷（SiH4）和甲烷（CH4）流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC（a-Si，C1-x-H）膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料，通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H（a-SixC1-x-H：Er）膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、拉曼散射谱（Raman）等技术研究不同的SiH4／CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H：Er发光强度的影响。结果表明，高温退火引起了膜中C的分凝，对饵的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较，表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。     

甲壳胺的结晶动力学

给出了制备非晶甲壳胺的新方法，并由Ｘ衍射曲线和偏光显微镜照片及ＤＳＣ曲线得到证实。由ＤＳＣ测得玻璃化温度为８２℃，结晶温度为１５２℃，并研究了其结晶动力学。     

热历史对尼龙1212熔融行为的影响

利用DSC方法研究了不同热历史条件对尼龙1212熔融行为的影响.不同的热历史条件下,在DSC曲线上,观察到尼龙1212产生2个或3个熔融峰,依据聚合物结晶理论,对各峰的来源进行了分析.在160℃下不同温度退火120 min的尼龙1212样品DSC曲线上,低温结晶熔融峰主要由低温结晶形成的一些微晶体或者片晶熔融产生,其晶体完善程度较差,熔融峰值较低,峰面积较小;主熔融峰是由样品在淬火过程中形成的晶体和升温过程中低温结晶形成的晶体的熔融重结晶形成较为完善的晶体熔融所产生,熔融峰值较高,峰面积较大.在不同的升温速率条件下,熔融峰温度有所移动,表明不同升温速率条件下产生的熔融峰的结晶晶型是相同的.在不同结晶时间下结晶,延长结晶时间对较高完善程度晶体的生长有利.在不同温度下依次退火处理的样品,熔融产生两个附加峰,这两个附加峰的峰温都比它们相应的退火温度高,而峰高和峰面积随退火温度降低而减小.根据等温结晶结果,由Hoffman方法确定了尼龙1212的平衡熔融温度为202.8℃.     

酸性溶液中离子注入钯的玻璃碳电极上硝基苯的电化学还原

用循环伏安法在离子注入钯的玻璃碳电极上，研究了硝基苯在０．５ｍｏｌ／Ｌ硫酸溶液中的电还原过程，通过ＡＥＳ测量了离子注入电极的表面组成和各元素的浓度－深度分布，在４０ｋｅＶ下，注入剂量为１×ｌ０￣（１７）离子／ｃｍ＿２的钯注入到玻璃碳（ＧＣ）中可产生钯原子最大百分含量为２０％的近表面区。原基体注入钯后比未注入的ＧＣ对硝基苯（ＮＢ）的电还原有更高的活性，用气相色谱法检测到ＮＢ的还原产物苯胺，讨论了硝基苯在酸性溶液中电化学还原机理。     

LiF掺杂TiO2的制备及其光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备了LiF掺杂的TiO2光催化剂,并采用X射线衍射、X射线光电子能谱和光致发光光谱等技术对样品进行了表征.以亚甲基蓝的光催化降解为反应模型,考察了LiF掺杂量、退火温度和溶液pH值对催化剂光催化性能的影响.结果表明,LiF的掺杂降低了金红石相的形成温度,同时在TiO2表面引入大量羟基氧并提高了TiO2表面氧空穴浓度,因此提高了TiO2的光催化性能.在LiF掺杂量为8%,退火温度为500℃和反应液pH值为6.6的条件下,LiF掺杂的TiO2的光催化活性是未掺杂TiO2的6倍.     

用WAXD和SAXS研究辐照聚酰胺1010结构

用ＷＡＸＤ和ＳＡＸＳ方法研究了聚酰胺１０１０的聚集态结构和结晶结构的辐射损伤过程和机理。辐射交联与裂解主要在非晶区和结晶表面或中间相发生；辐射损伤并从这里开始，随辐射剂量增大，非晶化逐渐向晶区伸展，有氢键的（０１０）晶面损伤几率高于（１００）晶面；辐射后效应导致新的交联与裂解生成，主要影响（０１０）晶面的形成与完善，使Ｌ１００及Ｗｃ变小。     

Er注入Si的芦瑟夫背散射和发光研究

用芦瑟夫背散射和光致发光研究了Ｅｒ注入Ｓｉ的退火性能。ＲＢＳ分析表明，退火时，损伤层再结晶的同时伴随着Ｅｒ向表面迁移。退火后，Ｅｒ浓度峰的深度与表面剩余损伤层的深度是一致的。Ｅｒ在Ｓｉ中主要占据非替位。大量间隙Ｅｒ的存在延缓了损伤层的再结晶。在７７Ｋ观察到了与Ｅｒ有关的位于１．５４６μｍ的ＰＬ。     

盐卤硼酸盐化学ⅩⅩⅨ-MgO·2B2O3-18%MgCl2-H2O过饱和溶液结晶动力学

对MgO·2B2O3-18%MgCl2-H2O过饱和溶液在不同温度条件下的结晶动力学过程进行测定,给出结晶动力学方程.析出固相采用X-射线粉末衍射、红外光谱和热分析进行物相鉴定.提出使用结晶法合成章氏硼镁石的新方法.     

热致液晶性羟乙基纤维素醋酸酯/聚乙烯共混物的热行为

本文用DSC方法研究了热致液晶性羟乙基纤维素醋酸酯（HECA）与聚乙烯（PE）共混物的相转变过程．结果表明，HECA与PE不相容，但当HECA含量＞50％时，则明显影响PE的结晶过程，使其在冷却过程中出现多重结晶。将共况物在393K退火，可改善PE结晶缺陷；在425K退火，可提高HECA液晶相的取向度。     

用DSC测量葡萄糖溶液部分玻璃化转变温度的新方法

用差示扫描量热仪, 采用经过退火处理的连续扫描法, 以不同浓度(20%、45%)的葡萄糖溶液为研究对象, 研究了退火温度对Tgf(部分结晶的玻璃化转变温度)的影响, 给出了确定Tg′(部分玻璃化转变温度)的新方法. 研究发现, 不同退火温度下的Tgf不同. 在−50 ℃以上退火, Tgf随着退火温度的增大而减小; 在−50 ℃以下退火, Tgf随着退火温度的增大而增大, 都有很好的线性关系. 不同浓度的溶液具有相似的规律. 提出从Tgf确定Tg′的方法: Tgf在−50 ℃上下随退火温度变化线的交点所对应的部分结晶玻璃化转变温度即为Tg′. 使用该方法测得葡萄糖的Tg′为−55 ℃.     

淬火温度对聚偏氟乙烯形态结构的影响

用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和傅里叶交换红外光谱（ＦＴＩＲ）等方法研究了结晶温度对聚偏氟乙烯（ＰＶＦ２）晶相结构的影响．结果表明，从ＰＶＦ２熔体高速淬火到较低温度等温结晶可直接生成β相结晶，临界淬火温度为３０℃．淬火温度在４０—７０℃时，α和β相共存．当淬火温度较高时（８０—１５０℃），生成α相结晶．在淬火温度高于１６５℃时，则得到ＰＶＦ２的γ相结晶．在临界温度以下淬火的ＰＶＦ２薄膜含有β相微晶，而高于临界淬火温度时则生成α相或γ相的片晶或球晶结构．     

乙烯共聚单体对双轴拉伸聚丙烯薄膜用树脂的结晶及拉伸性能的影响

采用热分析、光学显微镜、拉伸测试与广角X-射线衍射等方法研究了双轴拉伸聚丙烯薄膜用均聚聚丙烯(h-BOPP)与含有少量乙烯单体的共聚聚丙烯(c-BOPP)材料的熔融、结晶特性和拉伸性能.研究发现,与均聚样品相比,共聚样品的等规度低,结晶速率慢,在相同的结晶温度条件下,其半结晶时间较长.退火处理后,结晶完善程度增加,均聚和共聚样品的断裂伸长率均比其未退火处理的低.但共聚样品的结晶速率慢,经过退火处理后其结晶完善性稍低于均聚样品,所以其断裂伸长率略大于均聚样品.经过拉伸形变后,样品的结晶结构被部分破坏,取向的非晶的分子链在后续的升温过程中很容易重构为更加完善的结晶结构,由于分子链结构的差异,均聚样品的结晶重构能力更强.阐释了由于链结构的不同导致的BOPP拉伸性能和结晶性能差异的机理.