铁电极化子动力学理论

在铁电屏蔽理论的基础上发展铁电极化子动力学理论,用来解释铁电体的极化反转现象.理论结果与TGS单晶的实验结果符合得很好.由该理论还可进一步用来研究铁电发射的基本物理过程关键词：铁电极化子极化反转慢极化效应     

铁电屏蔽理论

利用电极化的边界屏蔽近似,可计算出一些典型铁电单晶的自发极化强度．铁电屏蔽电荷处于表面束缚极化子偶状态;其产生和湮没要跨越位垒．由统计方法给出的一些常见晶体和陶瓷的四种典型电滞回线形状,和实验观察到的结果一致关键词：     

边界形变互耦混响室屏蔽效能测试系统性能评估

混混响室复杂强电磁环境下开展材料屏蔽效能测试是电磁防护领域的研究热点。研究边界形变互耦混响室屏蔽效能测试系统性能,开展了动态范围、电场分布特性和不确定度三个方面的试验验证,结果表明：在实际测试中,测试结果小于60 dB即为可信测试值;在1～10 GHz频段内,互耦混响室发射室的空间电场标准偏差小于3 dB,接收室的空间电场标准偏差小于2 dB,满足国际、国内相关标准要求,场均匀性良好;测试系统的扩展不确定度为5.90 dB,可以作为材料屏蔽效能测试平台使用。     

钛酸锶晶体的光致介电常数激增以及超顺电大极化子理论

钙钛矿类化合物钛酸锶具有明显的光致介电增长的性质,这是由于被光激发至Ti⁴⁺的3d能带上的电子具有良好的巡游特性,为了进一步揭示光致介电增长的微观机理,这里假设巡游电子同时与两类声子发生耦合作用,一方面,电子与A_1g模式的晶格呼吸子发生强相互作用,另一方面,电子还与T_1u模式的非简谐声子具有相对较弱的耦合.通过变分法计算可得,这种复杂的电声耦合作用在晶体中形成两种极化子:自陷极化子和超顺电大极化子.正是由于超顺电大极化子的形成,导致了光致介电激增的现象.     

边界条件对介电量子波导中声子输运性质的影响

运用散射矩阵方法,研究了Neumann边界条件和Dirichlet边界条件在低温下对结构不连续的纳米结构中的声学声子输运系数的影响.数值结果表明,当边界条件不同时,声学声子输运系数会有极大的不同;在一定的结构条件下,由于声子模与模的耦合作用,出现了共振透射和禁止频带.     

利用普适介电理论对银/氧化锌复合材料介电性能的研究

研究了银/氧化锌复合材料的介电特性,发现其在低频下的频率特性表现出很强的弥散现象,直流电导相对真交流电导也不可忽略.利用普适介电理论,对于频率范围为10^-1—10⁷ Hz, 温度范围为173—473 K的实验结果进行了分析.通过对电导率的标准化处理发现,不同银含量的样品其介电损耗机理相同,均属深能级的电子跳跃.试样的电位梯度E_1mA随银含量的变化可以通过α_lf随银含量的变化关系来反映.实验结关键词：普适介电理论介电特性氧化锌     

平面波照射下无限大导体板上周期孔阵屏蔽效能的解析研究

本文针对平面电磁波对无限大导体平板上周期孔阵的透射问题,首先用Bethe小孔理论将孔阵表示成偶极子阵列,然后用平均化处理得到均匀的等效磁化/极化强度,进而引入等效面源导出透射电磁波表达式,最终给出了孔阵对平面电磁波屏蔽效能的解析公式.该公式分别针对横电和横磁两种极化方式,将屏蔽效能表示成孔阵周期面积、孔的极化系数、波长和入射角的简单函数,其计算结果与全波仿真结果一致性好.结果表明,透射场强的幅值与孔极化系数和波频率成正比,与周期面积成反比;在横电极化方式,波频率和周期面积不变的情况下,透射场强的幅值与入射角的余弦值成正比,入射角越大屏蔽效能越高;在横磁极化方式下,透射场强幅值与入射角的关系相对复杂,但在入射角较小时与入射角的余弦值近似成反比,总体上入射角越大屏蔽效果越低.     

二维半导体材料中激子对介电屏蔽效应的探测及其应用

二维过渡金属硫族化合物作为二维半导体材料领域研究的重要分支,凭借较强的光-物质相互作用和独特的自旋-谷锁定等特性,吸引了广泛而持久的关注.单层的二维过渡金属硫族化合物半导体具有直接带隙,在二维的极限下,由于介电屏蔽效应的减弱,电荷间的库仑相互作用得到了显著的增强,其光学性质主要由紧密束缚的电子-空穴对—激子主导.本文简单回顾了近年来二维过渡金属硫族化合物光谱学的研究历程,阐述了栅压和介电环境对激子的调制作用,之后重点介绍了一种新颖的激子探测方法.由于激发态激子(里德伯态)的玻尔半径远大于单原子层本身的厚度,电子-空穴对之间的电场线得以延伸到自身之外的其他材料中.这使得二维半导体材料的激子可以作为一种高效的量子探测器,感知周围材料中与介电函数相关的物理性质的变化.本文列举了单层WSe₂激子在探测石墨烯-氮化硼莫尔(moiré)超晶格势场引发的石墨烯二阶狄拉克点,以及WS₂/WSe₂莫尔超晶格中分数填充的关联绝缘态中的应用.最后,本文展望了这种无损便捷、高空间分辨率、宽适用范围的激子探测方法在其他领域的潜在应用场景.     

多芯屏蔽电缆电容的多极理论分析

 介绍用多极理论计算多芯屏蔽电缆电容的基本原理和求解过程,给出多芯屏蔽电缆电容与多极理论级数项系数之间的关系。３个工程实例的计算结果表明：用多极理论计算多芯屏蔽电缆电容,不仅具有较高的计算精度,而且可以很方便地应用于各类复杂截面多芯屏蔽电缆的工程设计与计算,多极理论是分析多芯屏蔽电缆电容的一种有效方法。     

用子动力学理论研究介观体系的输运

从子动力学理论出发,计算了介观体系的输运公式,得到了包含高阶修正的Kubo公式,这对于任意外场的作用下的介观体系具有重要的意义     

晶界内耗研究的新进展

由不同取向差的纯Al双晶的内耗实验观察到，不同类型晶界的弛豫参量有明屁差别。用耦合模型对内耗数据的分析表明，小角度晶界内耗的基本机制是位错攀移，而大角度晶界内耗的基本机制是晶界扩散。在此基础上，对多晶中晶界内耗的一些特征也作了解释。     

旋涡动力学方程非定常动边界条件

详细讨论了旋涡动力学方程非定常动边界条件。给出了任意非定常运动边界上速度旋度的确定方法。并采用了“局部线性化及再校正”技术、时间滞后求解方法,求解每一时间步边界上速度旋度值。这样可以很大程度上节省计算时间。并讨论了数值实验结果,指出动边界问题的非线性特征,对这样复杂的非线性问题不宜作过份简化。     

图像边界识别法对气液传质理论的实验研究

文章根据双膜理论,分析了气液反应的吸收机理,用图像边界识别法测量亚硫酸盐强制氧化气液反应速率。在测量氧化速率时,让单个氧气泡在亚硫酸钠溶液中反应,用数码相机拍下氧气泡由于反应而不断缩小的照片,用图像处理程序进行分析、识别,最后计算得出氧化速率。实验结果与理论分析结果相同,证明了该方法的正确性及其可以作为气液传质理论研究的测量方法。     

铁电薄膜性能测量实验

利用铁电性能综合测试系统测量了SrBi2Ta2O9薄膜的铁电性能,分析了电压变化对于电滞回线的影响,同时对疲劳行为进行了研究。     

圆管层流入口段数值模拟的差分格式与出口边界条件研究

通过数值模拟,分析了Re≥1000时,圆管层流入口段流场计算中采用一阶差分与QUICK格式的差别,研究了出口界面位置及两种不同的出口边界条件的影响。结果表明,对管内层流入口段流场计算,采用QUICK格式较一阶差分格式能更细致地反映流动过程。Re≥1000时,出口界面位置对采用一阶差分格式的计算结果影响不明显;对采用QUICK格式的计算,两种出口边界条件的差别与出口界面位置有关。     

用小波理论研究湍流边界层湍动能的特征

在三个雷诺数下,用热线风速仪测量了光滑壁面湍流边界层的脉动速度信号,利用离散正交小波理论分解该测试信号,得到具有最大湍动能的分量及其发生频率,并得到了这两个参数沿ｙ＋的分布曲线．分析表明,在试验雷诺数下,最大湍动能的无量纲尺度沿ｙ＋分布雷诺相似,其发生频率沿ｙ＋基本是一常数,且湍动能主要集中在几个有限的尺度分量上．     

用于气球模理论的一种新磁面模型

为了便于做数值分析,需要将气球模方程表示成磁面量形式。考虑圆形磁面情形,并假定磁面位移(Shafranov位移)△为小量,如图1,图中ζ为环向角. R=R_0+△+rcosθ =rsinθ。其中r为磁面横截面半 θ为极向角,由平衡理论可知     

一种聚变反应堆装置的新概念

本文提出了一个聚变反应堆装置的新概念,它由两个轴对称的类似串联磁镜的部分和两个螺旋仿星器U形弯曲段组成,并综合了直管和环形、快过程和慢过程的优点。文中研究了起动、过渡和运行阶段,讨论了D-D反应堆参数和稳定性。射频和高能分量只在起动阶段才需要,在整个过程中只有瞬时的能量消耗。端塞也只须在起动阶段存在,这大大降低了工程技术要求。     

圆柱面上再附边界层流动的级数分析

按普朗特边界展理论,将圆柱面上再附边界层流动表示成级数的形式,并根据实验所测圆柱表面上的压强分布导出再附边界层外边界上的流速分布,取有限项级数解的形式解出了圆柱表面上再附边界层内的流速分布及流动再分离点。