玻色子凝聚,费米子排斥,“任意子”呢？

众所周知,粒子被划分为玻色子和费米子两大类.但是在特定的二维系统中,这种分类可能不再成立.在这些二维系统中存在着一种性质介于玻色子与费米子之间的粒子或类粒子激发.这类粒子于1982年被命名为“任意子”(anyon).任意子存在的基础是受到了物理学中诸如磁单极、Aharonov-Bohm效应、电荷和角动量量子化等这些奇妙又极有吸引力的概念的支撑. 哈佛大学的B.Halperin于1984年指出,分数量子霍耳效应理论中所讨论的元激发,其行为类似于任意子.他的这一观点为F.Wil-czek等许多科学家所肯定.此外,P.Ander-son在高温超导材料发现后不久就指出,…     

无限长载流薄板磁场的矢势与磁感应强度计算及可视化

推导了无限长均匀薄板电流磁场的矢势和磁感应强度的解析式,将公式无量纲化,计算矢势和磁感应强度,画出中垂面上和板平面上矢势和磁感应强度曲线,并与直线电流磁场的矢势和磁感应强度进行比较,画出矢势和磁感应强度两个分量以及合磁场和方向曲面,画出了二维磁感应线,显示了磁感应强度分布规律.     

任意子体系中不存在非对角长程序

任意子体系是一种特殊的二维体系,它不满足玻色统计和费米统计,而且还破坏了时间反演(T)和宇称(P).本文利用 Bogoliubov 不等式严格证明在 T≠0时,任意子体系中不存在BCS 型和玻色型非对角长程序.     

谐振子势与高斯势的联合势阱中两分量旋转玻色爱因斯坦凝聚体的基态特性和自旋纹理

研究了两分量旋转玻色爱因斯坦凝聚体在谐振子势与高斯势的联合势阱中的基态特性和自旋纹理。通过托马斯-费米近似得到每组分凝聚体在相混合态时密度分布首次形成中心洞的临界旋转角频率,并根据旋转角频率与临界旋转角频率的关系,给出了两分量凝聚体的三种不同的基态密度分布:两个都是盘、一个是盘和另一个是环、两个都是环。对于相分离的情况,针对两分量粒子数严重不平衡的凝聚体分别作托马斯费米近似,解析地给出了两分量凝聚体的两种对称基态密度分布。同时研究了凝聚体在两分量的界面处形成的两种赝自旋纹理,它们分别是巨斯格明子和同轴双环斯格明子。     

强激光场中H~-离子二维光电子动量谱的理论研究

选用两个模型势,利用强场近似方法研究了H-离子在线性极化强激光场中二维光电子动量谱中次外层后重散射环.研究结果表明:两个模型势中的极化势对二维光电子动量谱的影响很小;随着激光强度的增加,二维光电子动量谱中出现后重散射环的数目变多,沿着次外层后重散射环的光电子的角分布波动性变小,能够通过多项式拟合的方法从二维光电子动量谱中次外层后重散射环获得精确的电子与H原子的弹性散射截面,特别适用于激光强度较小的情况.     

静磁外部球谐多极矩展开

本文讨论静磁球谐多极矩展开,包括静磁标势和静磁矢势的外部球谐多极矩展开.在磁矢势外部球谐多极矩分析中介绍了两种不同的方法,方法一基于磁标势外部球谐多极矩展开求惯用磁矢势外部球谐多极矩展开,方法二从电流对远源场点磁矢势场贡献出发借助德拜势直接求得静磁矢势外部球谐多极矩展开的惯用表示.     

两分量BEC精确Floquet解的弱驱动不稳定性分析

研究了两分量玻色．爱因斯坦凝聚系统（BEC）的精确Floquet态的不稳定性问题．将两分量玻色一爱因斯坦系统囚禁于一个光格势中,同时用一个可随时间周期调节的激光驻波驱动,可得到精确的Floquet态．应用李雅普诺夫稳定性标准和线性稳定性分析方法,如果驱动场的强度小于光格势强度的两倍时,系统将发生相的blowing-up现象而导致不稳定,将这种不稳定性称之为弱驱动不稳定性．通过调节驱动场强度可避免这种不稳定性。     

应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

本文通过求解二维泊松方程,为应变Si 全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si 全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si 全耗SOI MOSFET物理参数设计提供了重要参考. 关键词： 应变硅 FD-SOI MOSFET 表面势 亚阈电流     

理论预测晶体表面吸附二维原子岛的形状

提出了凝结势概念用以建立一种预测晶体表面吸附二维原子岛几何结构的理论方法.基于半经验相互作用势（SEAM势和OJ势）的计算表明,同相外延生长的二维原子岛在Cu和Ag的（111）面呈现正六边形结构, 而在Pt（111）面呈现截角三角形状;Cu和Ag的（100）面二维岛则形成正方形.这些理论预测均与实验观测结果一致.由于凝结势的计算不受原子数量的限制,该模型可普遍应用于预测各种表面二维原子岛形状. 关键词： 表面吸附 二维原子岛 量子点     

电磁场矢势和标势从洛伦兹势变换到库仑势的证明

电磁场的标势φ与矢势A具有规范不变性,可以进行规范变换.证明了洛伦兹势经过规范变换成为库仑势.     

修正屏蔽库仑势下二维尘埃等离子体的动力学和结构特性

本文考虑等离子体密度分布变化, 得到了修正屏蔽库仑势的解析解. 数值分析以及分子动力学模拟表明, 在常见实验室参数情况下, 等离子体密度分布变化引起的屏蔽库仑势修正对二维尘埃等离 子体系统的动力学和结构特性影响很小. 在极限参数情况下, 本模型的计算结果表明二维尘埃等离子体系统的扩散能力明显降低, 并且系统组态呈圆形分布. 此外, 本文还研究了实验室常见大小磁场对二维尘埃等离子体系统的影响. 关键词： 修正屏蔽库仑势 二维尘埃等离子体 分子动力学模拟     

N维势箱函数量子特性的可视化研究

运用量子理论推导和数值计算相结合的方法,本文首先得到了一维势箱函数的示意图及其模型.接着,全面、系统地研究了量子理论中N维势箱函数的波函数、能级和概率密度.最后,运用MATLAB软件对势箱函数的所有特性进行了仿真模拟.我们发现:N维势箱中粒子的能量是量子化的、不连续;量子数n不能为零,且n越大对应的能级越高,而质量m越大,对应的能级越低.一般条件下,一维势箱长度a越大(粒子运动范围越大),对应的能级越低;节点数为n-1,节点越多,波长越短,频率越高,能级越高.二维势箱函数波函数的峰值个数为n x 0x0E?SymboltB@0x0Fn y,且与Ψ=0平面的交线数也为n x 0x0E?SymboltB@0x0Fn y;概率密度分布的极大值个数也为n x 0x0E?SymboltB@0x0Fn y.对于简并度,一般情况下,二维势箱模型下的粒子的简并度是不确定的;但对于二维正方势箱函数模型,其箱内微观粒子的能级简并度分为特殊和一般两种情况.三维势箱函数的简并度为n x+n y+n z.最后,首次借助MATLAB软件的色彩实现了四维表现,得到了三维势箱函数的四维空间切片图.这种可视化的结果与理论结果完全一致,这对于抽象性概念的理解具有重要意义.     

氧化物超导体任意子模型的实验检验尚无定论

在去年三月美国物理学会春季年会上提出的两个关键性实验互相矛盾的结果至今尚未解决.去年秋天所报道的另一实验结果使问题变得更加复杂了.问题的核心是高温超导体能否改变穿过它的偏振光的偏振方向或椭圆度.如果能改变,那么在这些新的氧化物材料中,时间反演不变性不戍立.这正是任意子理论所预言的结果.这一理论的支持者们用服从分数维统计的任意子模型解释高温超导现象. 任意子是一种元激发,它不同于玻色子或费米子.交换两个全同的玻色子或费米子分别导致量子力学波函数的0或π的位相变化,而交换两个任意子时,仕相变化可以取任意值.由于拓…     

电磁场矢势和标势的规范变换及规范不变性的一个实例

在电磁学中,当考虑由电荷电流分布激发电磁场的问题时,引入标势（？）与矢势A给求解电磁场问题带来很大的方便,且标势（？）与矢势A满足规范变换与规范不变性.近代物理学中,规范变换是作为基本方法而引入的,     

环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究

结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构, 通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布, 并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果, 分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响, 对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 关键词： 环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管 二维泊松方程 阈值电压模型 漏致势垒降低     

开边界条件下Fateev-Zamolodchikov模型的潜藏定域规范不变性

在量子反散射方法框架内详细研究了开边界条件下Fateev-Zamolodchikov模型的潜藏定域规范不变性。结果表明,尽管模型Hamiltonian量及其本征矢明显规范相关,但能量本征值和Bethe方程却是规范不变的。 关键词：     

可重整的SU(2)L×U(1)Y模型中的轴矢Ward恒等式和维数正规化

利用维数正规化方法, 通过到单圈的明显计算, 证明了包含重轻子的无Adler-Bell-Jackiw(ABJ)反常的SU(2)_L×U(1)_Y模型中的轴矢Ward恒等式的成立性是与γ₅的两个在n维中的定义无关的. 它的一个自然的推论是维数正规化方法适用于我们的有轴矢耦合费米子的模型. 当把AVV三角形嵌入到轴矢费米子顶角中时, 发现在n→4的物理极限下它并不会引起任何新的有限的反常, 从而至少到两圈的水平证明了Frampton有关存在新的与质量相关的反常的猜测在我们的非Abel情况下同样是不成立的.     

有势力和规范对称性

介绍了有势力的一般性质,针对一般非惯性系中的惯性力引入其矢势和标势,并分析了其中的规范对称性与电磁学的形式类比.     

二维半充满Hubbard模型有限温度下绝缘体──金属相变的研究

二维半充满条件下的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在有限温度下，是否经历一绝缘体—金属相变？在现有的文献中，这一直是一个有争议而又重要的问题。本文采用巨正则量子Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法，计算了二维半充满条件下Ｈｕｂｂａｒｄ模型的比热和电导率。对不同的库仑排斥势Ｕ（２ｔ－８ｔ），比热曲线在高温区出现一个峰，同时电导率在相应温区呈现一突然上升。因此，计算结果支持存在这样一个相变。 关键词：     

亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET阈值电压二维解析模型

本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100 nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸减小所导致的物理效应,如短沟道效应,量子化效应等.通过将模型的计算结果与二维器件模拟器ISE的仿真结果进行对比分析,证明了本文提出的模型的正确性.最后,还讨论了亚100 nm器件中常规工艺对阈值电压的影响.该模型为亚100 nm小尺寸应变Si器件的分析设计提供了一定的参考. 关键词： 亚100nm 应变Si/SiGe nMOSFET 二维表面势 阈值电压