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简要介绍半导体器件的单粒子效应及其机理,重点分析当前国外主要的单粒子效应试验方法标准,针对标准中辐照源及重离子射程的关键问题进行研究,并对如何制定我国的单粒子试验方法标准提出了建议. 相似文献
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半导体放电管维持电流的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对提高半导体放电管的维持电流进行了研究。实验结果表明:应用一般晶闸管维持电流公式进行调整,不易得到大的维持电流,必须在放电管结构上进行改进,并进而给出了共维持电流IH的新表达式。 相似文献
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温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40~130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计. 相似文献
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温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40~130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40~130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计. 相似文献
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对一款国产抗辐射加固SPARC-V8微处理器进行了高低速两种模式下的单粒子试验.试验获得了单粒子功能中断的阈值和饱和错误截面,并预估了GEO轨道在轨错误率.经过比较分析,国产微处理器与国外同类产品具有相同量级的抗单粒子指标,微处理器在开CACHE的高速模式下抗单粒子能力优于低速模式约2倍. 相似文献
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在Ne、Fe、Kr、Xe、Ta五种重离子入射条件下获得了运放的SET幅值-宽度分布,发现SET脉冲具有宽、窄两种形态。在SET幅值-宽度特性基础上,采用概率密度方法获得了任意SET阈值下散射截面与LET的关系。考虑入射深度与器件敏感区域的匹配,根据产生的电荷量,可对重离子-激光的SET进行关联,以便获得等效重离子的激光能量。激光与重离子的对比试验表明,选取恰当的激光能量,能够反映重离子产生的SET幅值。研究结果为双极模拟集成电路抗SET选型评估及激光试验条件的选取提供了参考。 相似文献
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