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经过高温高压合成的CeTbO3+δ进行了XPS研究,发现在1.0 GPa下,Tb4+在~600 ℃开始转变成Tb3+,而Ce4+在~800 ℃开始向Ce3+转变。在1 000~1 200 ℃形成单相萤石结构化合物CeTbO3+δ的Ce是以Ce3+、Ce4+混合价形式存在,Tb全部变成Tb3+。实验表明,用Ce3d谱上~888 eV峰的峰位及其与882 eV峰的相对强度变化可以定性判断化合物中是否含有Ce3+。研究了高温高压合成的CeTbO3+δ的稳定性随时间的变化问题。 相似文献
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本文采用超高氧压2.3 GPa合成方法,得到超导相含量大于30%的超导化合物La2CuO4+δ所采用的压力是目前所见报导中对La2CuO4化合物施加的最高氧压。湿化学方法测量给出过量氧含量δ=0.05±0.01,而TGA(氮气中)给出δ=0.143。高氧压合成产物经在空气中、不同温度下加热,然后淬火到室温,结果发现超导体在200~300 ℃的加热处理中存在着一个一级相变。经此相变后,超导体转变成反铁磁半导体。TGA及DSC证实了此相变的存在。该相变前后所联系的氧含量变化恰好为湿化学方法给出的结果,这部分与超导电性存在联系的过量氧,实际上引起了Cu2+向Cu(2+2δ)+的转变。该结果强有力地排除了所谓“超氧化物”引起超导电性的可能性。 相似文献
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Co2+:ZnAl2O4晶体电子光谱及其2E态双重谱线结构的Jahn-Teller效应研究 总被引:5,自引:3,他引:2
在中间场耦合图象中,利用Racak不可约张量算符法和Wigner-Eckart定理,建立了3d7(C3v)电子组态的完全能量矩阵;利用该矩阵研究了Co2+:ZnAl2O4晶体的电子光谱,理论与观测十分吻合.首次定量地解释了2E态的双重谱线结构,并从理论上预言了4A2基态2.93cm-1的零场分裂(ZFS).研究结果定量地表明,Jahn-Teller效应所致Co2+:ZnAl2O4晶体Co2+中心局域结构的畸变假设是合理的. 相似文献
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The Babar Collaboration announced two new excited charmed baryons Ξc(3055)+ and Ξc(3123)+. We study their strong decays assuming they are D-wave states. Some assignments are excluded by comparing our numerical results with the experimental values of the total widths of Ξc(3055)+ and Ξc(3123)+. We also suggest some possible decay modes, which will be helpful to 相似文献
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利用高压合成方法,在压力为2 GPa、温度为900 K的条件下,以NaN3作为添加剂,成功地合成出了Na填充型的方钴矿化合物CoSb3。X射线衍射(XRD)研究结果表明,当Na填充量达80%时,合成的Na填充型方钴矿化合物CoSb3仍为单相方钴矿结构,没有Na和NaN3等杂质峰。在室温下对不同Na填充量的样品进行了电阻率(ρ)和Seebeck系数(α)的测试,研究了不同Na填充量对样品电阻率、Seebeck系数和功率因子(α2σ)的影响。研究结果表明:室温下,样品的电导率随Na填充量的增加而增大,Seebeck系数的绝对值随Na填充量的增加而减小。当Na填充量为0.4时,样品获得了最高的功率因子(8.72 μW·cm-1·K-2),此值高于He等报道的利用热压法制备的CoSb3的值。填充量对样品电输运特性的影响规律与Pei等研究的K填充型CoSb3的研究结果相一致。上述研究结果表明,高压合成技术有利于提高填充型方钴矿化合物的填充量,并有效地提高样品的电输运特性。 相似文献
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首次采用高压高温方法合成了Sr2SiO4:Er3+Bi3+和SrSiO3:Er3+Bi3+发光材料,研究了合成压力、合成温度对发光特性的影响。与常压合成产物相比较,发光谱发生了红移;谱线半宽度显著增大;发光强度和量子发光效率下降。X射线衍射分析得出,SrSiO3:Er3+Bi3+发生了结构相变,Sr2SiO4:Er3+Bi3+结构未变但晶格参数发生了变化,且主衍射峰强度发生了反转。分析表明,发光特性的变化是压致晶场、库仑及自旋-轨道相互作用的变化引起的。 相似文献
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本文首次利用高温高压方法合成了双稀土氧化物LaEuO3、PrEuO3、NdEuO3和SmEuO3。此外,还合成了CeEuO3.5。X射线衍射分析表明LaEuO3属A型(六方)结构,PrEuO3、NdEuO3和SmEuO3属B型(单斜)结构,CeEuO3.5属F型(萤石)结构。室温下用151Eu的21.6 eV γ射线测量了它们的Mossbauer谱,观察到了151Eu同质异能移位和四极劈裂强烈地依赖于Eu离子配位体体积而呈线性关系。超精细相互作用的这种体积效应,主要原因是由于Eu离子5s壳层的重叠畸变所引起。 相似文献
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系统地研究了在0~3 MPa氧压下T1系超导材料的制备过程及其超导性质。结果表明:0.25~0.90 MPa氧压下所制备的样品为纯2223相,Tc0最高可达125.3 K;1.45~3.00 MPa氧压下样品为纯2212相,Tc0在95~100 K之间;0.90~1.45 MPa氧压下样品为2223及2212两相共存。对两种单相样品的高压研究结果表明,2223相样品比2212相样品有着较强的压力效应,在0~0.52 GPa压力下分别为4.0 K/GPa及2.0 K/GPa。 相似文献
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本文首次报道在3.15 GPa、1 200 ℃高温高压条件下合成出了SrSiO3:Eu3+Bi3+发光材料,并与常压合成产物相比较,研究了高温高压合成产物的结构以及合成压力、温度对发光特性的影响。结果表明,高压合成产物SrSiO3:Eu3+Bi3+的结构为膺正交(单斜)结构,而常压合成的为六角结构,高压使发光强度下降,量子发光效率下降了88%,谱线红移达756 cm-1,半值宽度也显著增加,发光性能的改变是由于压致结构的变化引起的。 相似文献
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