一个可能的117Cs核πh11/2带的观测

在对²⁸Si轰击⁹²Mo靶反应进行的在束γ测量中,观测到一个全新的转动带,通过对其跃迁强度、结构特性的分析,认定它可能是建立在¹¹⁷Cs核的h_11/2质子能级上的转动带.     

双奇核176Ir转动带的旋称反转

利用¹⁴⁹Sm(³¹P,4nγ)反应,通过γ射线的激发函数测量、X-γ和γ-γ符合测量研究了双奇核¹⁷⁶Ir的高自旋态.首次建立了双奇核¹⁷⁶Ir由4个转动带构成的能级纲图.依据从实验数据中提取出的带内B(M1)/B(E2)值与理论计算值的比较,以及相邻双奇核的带结构特征,给出了转动带的准粒子组态.基于本实验建立起的带间跃迁和在I=18h处观测到的旋称交叉,指出¹⁷⁶Ir核基于πh_9/2⊙νi_13/2和πi_13/2⊙νi_13/2组态的两个转动带在低自旋时出现旋称反转现象.     

Ir β+/EC衰变及其系统性分析

在在束实验条件下用γ-γ符合方法研究了具有β⁺/EC衰变性质的核素^176,178Ir的衰变γ射线. 另外借助氦喷嘴快速带传输系统在排除在束干扰的条件下, 进一步对¹⁷⁶Ir的β⁺/EC衰变进行了研究, 在确认在束测量新γ射线的同时建议了¹⁷⁶Ir的一个低自旋同核异能态. 从衰变系统性方面对^176,178Ir核中存在同核异能态的合理性和可能性进行了分析.     

双奇核188Au的准粒子带结构研究

利用在束γ谱学实验技术, 通过¹⁷³Yb(¹⁹F,4nγ)反应 布居了¹⁸⁸Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核¹⁸⁸Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15⁺以上的能级结构进行了讨论.     

基于上海激光电子γ源的天体核合成关键反应12C(α,γ)16O的反应率研究

正在研制的上海激光电子γ源是MeV量级的高品质γ光束线站，基于该装置可以开展一系列核天体物理实验, 从而更准确的确定各天体核合成反应的反应率. 本文研究了天体核合成中的关键反应¹²C(α,γ)¹⁶O的反应率. 根据多组实验和理论截面数据分别计算了反应率, 并给出了这些反应率计算结果的平均值和统计误差. 根据该结果拟合了理论反应率的解析形式, 确定了新的参数. 进而给出俘获反应¹²C(α,γ)¹⁶O在He燃烧环境下的反应率和误差, 并讨论了电子屏蔽效应对天体反应率的修正.     

缺中子176Ir核β+/EC衰变研究

在210MeV的束流能量下, 利用重离子熔合蒸发反应¹⁴⁶Nd(³⁵Cl, 5nγ)¹⁷⁶Ir产生具有β⁺/EC衰变性质的核素¹⁷⁶Ir,由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物传送到低本底区进行测量. 经过实验数据的离线处理分析,对早先发表的¹⁷⁶Ir衰变γ跃迁进行确认的同时又发现了3个新能级和10条新的γ射线, 丰富了¹⁷⁶Os核的低位激发态能级纲图. 并根据典型γ射线的衰变时间谱建议了¹⁷⁶Ir核的一个长寿命的低自旋同核异能态.     

缺中子130Pm和128Pr核的EC/β+衰变研究

171MeV³⁶Ar束轰击⁹⁶Ru靶由熔合蒸发反应生成了¹³⁰Pm和¹²⁸Pr核.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.基于X-γ-t,γ-γ-t符合测量,首次建立了¹³⁰Pm的(EC+β⁺)衰变纲图.重新研究了¹²⁸Pr核的衰变,订正和补充了γ射线,建立了新的(EC+β⁺)衰变纲图.     

缺中子120Ba核EC/β+衰变的再研究

利用171MeV ³²S束轰击⁹²Mo靶,熔合蒸发(2n2p)反应合成了¹²⁰Ba核.由氦喷嘴反冲快速带传输系统将反应产物送到低本底区.位于带子两侧的两个平面型高纯锗探测器对反应产物进行了符合测量.经离线数据分析,对早先发表的¹²⁰Ba衰变γ射线予以确认,并补充了19条强度较弱、能量较低的γ射线.建议了¹²⁰Ba的衰变纲图共包括35条γ射线和25条能级.     

157Yb的形状共存研究

利用在束γ谱学方法,通过反应¹⁴⁴Sm(¹⁶O,3n)¹⁵⁷Yb研究了¹⁵⁷Yb的激发态能级结构.实验中使用的¹⁶O束流能量为90MeV.基于实验得到的γγ符合关系、γ射线的各向异性度和DCO系数,建议了¹⁵⁷Yb的高自旋能级纲图.¹⁵⁷Yb的能级纲图主要由两串跃迁性质明显不同的级联能级组成,它们分别对应于νi_13/2转动带和单粒子激发态.着重讨论了¹⁵⁷Yb的形状共存和νi_13/2转动带随角动量的结构演化.     

C(γ,η)X反应与N(1535)在核内的性质

在N^*(1535)共振模型下,研究了γ在原子核上产生η的反应,通过N衰变的实验数据以及γp→ηp反应确定了模型参数,结果表明,M_N*=1550MeV才较好地符合γp→ηp的实验,对¹²C上的η介子光生的总截面计算发现,N^*(1535)在核内的宽度由于多体修正而增大,N^*－核的相互作用具有排斥性质.     

83Rb的低激发态能级结构

用γ射线单谱测量和γ–γ–t符合测量研究了⁸³Sr(β⁺+EC)⁸³Rb衰变,将⁸³Sr衰变的γ跃迁由102条扩展到196条,发现了⁸³Rb的19条新能级,否定了前人测得的8条能级.测定了⁸³Sr(β+EC)衰变的分支比,重新确定了⁸³Rb各能级的自旋和宇称值.     

152Gd核高自旋态的研究

利用¹⁴⁸Nd(⁹Be, 5n)¹⁵²Gd重离子熔合蒸发反应, 对¹⁵²Gd(Z=64, N=88)核的高自旋态进行了研究. 在¹⁵²Gd核中发现了10多个新的高自旋能级和一个新的S带结构. 实验中首次观察到¹⁵²Gd核完整的第一个带交叉, 与推转壳模型计算结果和邻近核实验结果的比较显示带交叉是由一对i_13/2中子的顺排造成的. 通过对¹⁵²Gd核运动学转动惯量的分析, 得到¹⁵²Gd核的形状随着自旋变化的实验证据.     

131Pm衰变的首次观测

利用³²S轰击¹⁰⁶Cd靶,通过3p4n反应产生了¹³¹Pm,反应产物经过毛细管及带收集传输系统传输到低本底区,测量了反应产物的X,γ单谱,并进行了X-γ,γ-γ符合测量,得到了¹³¹Pm的半衰期及衰变γ线,并建立了简单的衰变纲图.     

首次测定短寿命缺中子同位素153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图

利用¹⁶O重离子束轰击¹⁴²Nd和¹⁴⁷Sm同位素靶分别生成¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb的EC/β⁺衰变纲图.从中指认出¹⁵³Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出¹⁵⁷Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.     

丰中子核112Ru的集体带结构

通过对重核²⁵²Cf自发裂变产生的瞬发γ谱的测量, 对丰中子核¹¹²Ru的能级结构进行了研究, 确认和扩展了基带和单声子γ振动带, 同时识别了两个新的边带, 认定它们分别为二准粒子带和二声子γ振动带. TRS模型计算表明¹¹²Ru核具有三轴形变, 其形变参量为β₂～0.27, γ～－29°. 推转壳模型的计算结果表明¹¹²Ru核基带回弯是由h_11/2轨道的一对中子发生角动量的顺排所致. 对该核二准粒子带以及γ振动带的特性也进行了讨论.     

高能核碰撞中的K+/π+比与次级碰撞效应

用程函近似分析在高能核碰撞中次级作用对K⁺/π⁺比的影响.计算表明,在K⁺/π⁺比中次级碰撞效应是重要的.     

175Hf核ε衰变的IXK/Iγ(343keV)比值计算和分析及其辐射数据计算

简要地介绍了¹⁷⁵Hf核ε衰变的I_XK/I_γ(343keV)比值的计算方法与实验测量的比较与分析,并在此基础上,计算得到了P_γ(343keV)=0.869±0.004,还给出了¹⁷⁵Hf核ε衰变的辐射数据的计算与推荐     

117Xe负宇称同质异能态寿命测量

利用在束Y实验方法对¹¹⁷Xe的激发态进行了γ－γ－t延迟符合测量,从¹¹⁷Xe的401keV(15/2^－→11/2^－)和205keV(7/2^－→5/2^＋)两γ跃迁的延迟符合时间谱中,提取出T_1/2=(59±20)ns和(16.5±8.0)ns两个半寿命,并将其分别指定给了11/2^－、7/2^－两个能级.     

208Hg鉴别

本文较详细地描述了新丰中子核素²⁰⁸Hg的鉴别及半衰期测定程序.²⁰⁸Hg的鉴别采用了二步离线化学分离:第一步是基于热色谱原理的高效、高选择性的Hg产物收集,第二步是周期性地提取生长起来的T1.在提取的T1样品中观察到半衰期约3min的2614.6keVγ活性.该γ活性可归结为由²⁰⁸Hg β^－衰变而生长起来的²⁰⁸T1的衰变γ.     

在重离子碰撞中的K－介子吸收对其产生的影响

用RBUU方法研究了中高能重离子碰撞中K^－介子产额及谱的情况.我们发现K⁺/K^－产额比是与核系统大小相关的,这种相关性与K^－介子在核介质中所受的吸收效应有关.还研究了在三种不同核系统中的K^－平均吸收路程,发现K^－平均吸收路程在轻核系统中与在中、重核系统中存在较大的差别,从而定量地解释了这种K⁺/K^－比与核系统的相关性.研究结果给出了核介质对K^－介子的吸收程度还与不同反应道的贡献有关,这是导致Bπ→K^－X道在核系统,特别是在轻、中量核系统中起重要作用的一个重要原因.