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从激光与物质相互作用理论出发,对脉冲激光作用单晶硅的热特性进行分析。建立一套实验装置,所用激光光源的波长为1 064 nm,脉宽为10 ns,重复频率为1 Hz。得到单晶硅的等离子体谱及热辐射谱,在单晶硅的光电性质基础上对其热表面损伤进行理论分析。提取380~460 nm波段的单晶硅等离子体光谱,分析了谱图中SiⅠ390.52 nm,SiⅡ385.51 nm,SiⅡ413.12 nm三条谱线的相对强度与激光输出功率密度的对应关系。 相似文献
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聚苯乙烯餐具中残留苯乙烯单体的顶空气相色谱法测定 总被引:2,自引:0,他引:2
采用顶空进样器的气相色谱仪,分析聚苯乙烯餐具中残留苯乙烯单体量;以校准曲线法进行定量测定;在选定的色谱条件下,测定苯乙烯含量的线性范围为5.0-1000mg/L,检出限小于0.1mg/L;本方法操作简便、快速、结果准确,适应于残留苯乙烯单体含量的测定。 相似文献
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以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I+离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。
关键词: 相似文献
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龙岩高岭土的苯乙烯原位聚合插层的FTIR和XRD研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以福建龙岩高岭土为主要原料,用沉降的方法得到平均粒径为1.75μm的沉降高岭土。用DMSO插层高岭土,后用苯乙烯单体取代前驱体中的DMSO分子,产物经四氯化碳洗涤后,在马弗炉中270℃本体聚合2h得到高岭土/聚苯乙烯复合物。红外在1 453,1 499和1 606cm-1的吸收振动峰证明了聚苯乙烯的存在。XRD结果显示高岭土层间距0.712nm,苯乙烯聚合后片状结构已经被剥离。热重显示聚苯乙烯占复合物质量的40%,还有约5%的未除去DMSO和4.8%的羟基,估算出高岭土∶聚苯乙烯=1.375∶1(质量比)。扫描电镜也验证了这种剥离。 相似文献
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1绪言小流量条件下汽轮机内部流动具有比设计条件下更为复杂的特征,最突出的表现是随冲角的增大而出现的分离流、先速流。这种流态不仅影响汽轮机的运行效率,更重要的是它还与汽轮机的安全可靠性密切相关,它可能诱发叶片的失速颤振而使叶片断裂。虽然大的负攻角所引起的本级叶片的脱流现象已成共识,但对小流量条件下汽轮机内部流动的认识只有一些实验观测到的现象和二维的数值分析,并且只限于末级叶片。在文献*中,我们对某一汽轮机低压缸末级和次末级叶片在0.35小流量工况下的两级流场进行了三维粘性数值分析,计算得到的分离流态同… 相似文献
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基于滑速比的气水两相流气相流量计算方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
目前对气水两相流的分相流量的研究中,多是针对两相流总流量和液相分相流量进行,对气相分相流量的研究很少.本文利用文丘里管和含气率传感器对空气水两相流气相流量计算方法进行了研究,在均相流模型基础上考虑了滑速比因素造成的影响,探讨了两相流气相流量计算方法.结果表明,该方法相对于传统的均相流模型在计算精度上得到了显著提高. 相似文献
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用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)制备了MgB2超薄膜.在背景气体压强、B2H6的流量和成膜时间等条件一定的情况下,当氢气的流量从200到400sccm范围内变化时,观察了其对成膜的影响.结果显示,随氢气流量增大,膜表面粗糙度增大,同时膜面的连接性变好,伴随着样品的超导转变温度得到提高.对于平均厚度是10nm和15nm的样品,氢气流量分别是200sccm和300sccm时,Tc分别是26K和33K与28K和37K. 相似文献
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本文通过数值模拟的方法同时考虑了耦合传热和冷却流通道流动对气膜冷却的影响.计算结果表明,在考虑耦合传热的情况下,冷却流通道流动的影响仍然存在,但随着壁面导热系数的增大,这种影响减弱;同时在考虑耦合传热的情况下,受保护壁面温度场分布更加均匀,冷却效果更好.计算结果还表明吹风比为0.5时的冷却效果优于吹风比为1.0的情况. 相似文献
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ICRF加热的等离子体反应率计算 总被引:1,自引:1,他引:0
盛光昭 《核聚变与等离子体物理》1989,9(2):86-90
本文介绍了ICRF加热的等离子体聚变反应率的计算,并对有关的<σV>-(rf)表达式作了修正。计算结果表明,ICRF等离子体的高能尾部能使反应率增加,有助于把等离子体加热到点火,节省所需要的加热功率。但<σV>_(rf)只在低温、低密度区域增加显著,<σV>_(rf)/<σV>_m随等离子体温度增加而减小,当T=10keV时<σV>_(rf)/<σV>_m大约等于3,当T=20keV时<σV>_(rf)/<σV>_m大约等于1。 相似文献
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外磁场对直流等离子体炬放电特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了新研制的磁约束直流等离子矩设备,计算了螺旋管线圈的磁场分布,通过实验研究了磁场变化对等离子体矩放电特性和伏安特性的影响。 相似文献