钌基厚膜应变电阻力敏模型的初始讨论

通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型,提出力敏模型。用Bi2O3和RuO2合成Bi2Ru2O3并进行试验,发现应变系数随导电相粒径的增大而增大。用力敏模型解释了这一现象,并解释了其他力敏现象,诸如应变系数随势垒高度的增大而增大。     

烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响 一 烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响

摘要：通过应用毛细作用的基本公式得到钌基厚膜应变电阻烧结阶段的模型。     

钌基厚膜电阻传导模型初探

介绍钌基厚膜电阻的三种传导模型。三种模型都可以得到较满意的R—V曲线，不足处是链模型得出电阻率和导电相粒子形状及尺寸的关系和实验事实不符；有效介质模型不能反映厚膜电阻形成过程中众多因素的影响；渗透模型很多参数的获得有赖经验公式。渗透模型能反映烧结过程中更多因素的影响，并可解释方阻与导电相粒度及峰值温度的变化关系。     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。     

厚膜应变电阻的导电机理研究

制备了不同表面电阻率的Ｒｕ基厚膜应变电阻浆料,研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系,并对其导电机理与特性进行了分析。     

钌基厚膜电阻导电机理的国内外研究状况

较全面的对国内外厚膜电阻导电机理的研究状况进行了综述，介绍了均匀分布模型，均匀通道模型。非隧道势垒模型，隧道势垒模型及其优缺点。对隧道壁垒模型进行深入的分析和讨论。并运用这些理论解释了厚膜电阻的温度特性、电场特性和热电效应。     

膜厚对不锈钢基厚膜电阻电性能的影响

为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。     

钉基厚膜电阻中钽钌酸铅颗粒尺寸效应的研究

本文研究了钌基厚膜电阻导电相图钌酸铅(Pb_2(Ta_x,Ru_(2-x))O_σ+σ)(δ=0.1)颗粒尺寸对其阻值和电阻温度系数(TCR)的影响。发现适当控制颗粒度大小,可获得具有稳定阻值和TCR的厚膜电阻。     

烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响

通过应用毛细作用的基本公式得到钌基厚膜应变电阻烧结阶段的模型。用Bi2O3和RuO2合成Bi2Ru2O7并进行试验,发现方阻随烧结时间和导电相粒径的增大而增大。用该模型解释了该现象,同时解释了导电相不同的体系,应尽导电相含量一样,但方阻不同,以及方阻随玻璃粘度增大而减小。     

厚膜功率电阻的制作工艺及控制方法

本文从分析电阻浆料的性能及常用电阻图形的设计入手,对厚膜功率电阻的制作工艺进行了研究,提出了其工艺控制方法,并在实际工程中得到应用,得到了满意的效果。     

厚膜钌系应变电阻浆料的研究

讨论了影响应变系数的有关因素:(1)电阻的组成与应变系数K的关系;(2)电阻的烧成时间与K的关系,(3)导体与K的关系;(4)玻璃与K的关系。同时论述了应变电阻的导电机理、作用原理以及应变系数的测量与计算方法等。     

厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施

厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施陶文成，苏功宗，张代瑛，李同泉（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）１前言近年来，我们在研制和生产电阻浆料的过程中，发现某些中阻值电阻浆料出现严重的胶冻现象，我们称这种浆料为胶冻浆料。其胶冻现象与南方某公司使用进口的电阻...     

厚膜终端匹配电阻的试制

本文介绍了微带隔离器用于中小功率的厚膜终端匹配电阻的设计与制造工艺,以及这种电阻的特点。最后还介绍了厚膜电阻在其他方面的应用。     

钽掺杂的钌基厚膜电阻导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的研究

本文报道了钽掺杂钌基厚膜电阻制备过程中导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的实验研究结果。当导电相和玻璃相颗粒尺寸分别达到25和50nm时,电阻阻值和电阻温度系数也随之发生显著变化,并尝试根据厚膜电阻导电机理对其产生的原因进行定性的分析。     

厚膜铂电阻温度传感器研究

厚膜铂电阻温度传感器以铂膜作电阻，采用厚膜印刷工艺，线宽和间隔均为１００μｍ。铂电阻具有工艺性好、长期稳定性好、ＴＣＲ复现性极好等诸多优点，其Ｒ（０℃）＝１００Ω，ＴＣＲ＝３８５０×１０－６℃－１。     

片式厚膜电阻的硫化防护

片式厚膜电阻在电子产品中的应用非常广泛,但是传统的厚膜电阻的电极中含银,在运行环境比较恶劣,含硫污染物较多的情况下,银非常容易同硫发生反应,生成电导率低的硫化银,从而使电阻的阻值变大甚至开路。开展了多种电阻工艺方案、工艺材料的耐硫化环境试验。通过对比,提出了片式厚膜电阻防硫化的可靠性技术解决方案。