用低能电子衍射研究清洁Al(100)和Al(110)表面的振动弛豫

前言清洁Al(100)、Al(110)和Al(111)的表面结构,从70年代开展研,并先后发现Al(110)表面存在振动弛豫。但这些结果彼此差别较大。本文采用自建的低能电子衍射动力学理论的能带近似公式,分别对Al(100)、Al(110)和Al(111)表面经理论计算与观测值的比较,结果发现Al(110)和Al(111)表面都存在振动弛豫。而Al(111)表面无此现象。     

Fe{001}表面吸附氧和硫的表面结构研究

一前言 Legg和Jona等观测与计算了Fe{001}c(2×2)-S和Fe{001}-O表面的LEED谱,并发现衬底第一原子层间距几乎不变。Simmons等和Bruncker等观测了覆盖度θ=0.5L的Fe{001}c(2×2)-O表面的LEED图,但未获得其LEED谱。Legg等观测与计算了覆盖度θ=1L的Fe{001}(1×1)-O表面的LEED谱,并发现衬底第一原子层     

CO分子在TiC(001)表面上的吸附构型与电子结构

采用第一性原理方法和平板模型对CO分子在TiC(001)表面的吸附构型和电子结构进行了详细研究. 结果表明, CO分子倾向于采用C端吸附在表层Ti原子上方. 对于该吸附方式, 计算得到的吸附能、CO各电子态所处能级位置以及C—O键伸缩振动频率的红移值均与实验观测结果相吻合. 由能带结构和Mvlliken布居分析结果可知, 当采用C端吸附时, CO的5σ和2π鄢态受到底物影响最为显著, 尤其是C端的桥位吸附方式. 此外, 还进一步对底物表面态在CO吸附过程中的作用进行了探讨.     

Cl/Ag体系研究 Ⅱ.Cl吸附引起的表面结构变化

运用LEED,UPS和HREELS等表面技术研究了氯吸附至(c)阶段的Ag(111)表面结构.结果表明,表面上有三维的AgCl(111)生成,其生长按修正的Stranski-Krastanov模式进行.伴随着AgCI(111)生长的同时,表面上产生缺陷.这种缺陷只有在氯吸附至(c)阶段时表面上形成三维AgCI的过程中才能产生,它一旦在表面上形成后,表面上氯的存在与否对其不产生影响.本文提出了一个(c)阶段时的Cl/Ag(111)体系的结构模型.     

用低能电子衍射研究Ag(100)表面吸附氯的表面结构

引言我们曾研究了金属镍,铜,钛,钨,铝,铁,银,铂,钼等和非金属硅与石墨及ⅢA—VA与ⅡB—ⅥA化合物晶体等的弛豫、重构和吸附表而的60多个表面结构。本文报道研究Ag(100)c(2×2)—C1表面的结果。Zanazzi和Jona观测了Ag(100)c(2×2)—C1表面结构的21束LEED谱,并采用层—KKR(Korring—Kohn—Rostocker)法,对清洁的Ag(100)表面吸附C1原子时假设了4种结构模型。经理论计算与观测值的比较,提出了C1原子的单层吸附和C1原子与Ag原子     

不同覆盖度下Li原子在Si(001)表面上的吸附构型和电子结构

采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论, 对不同Li原子覆盖度下Li/Si(001)体系的吸附构型、电子结构以及吸附Li原子对表面性质的影响进行了系统研究. 计算结果表明, 在所考察的覆盖度范围内, Li原子倾向于吸附在相邻两个Si-Si二聚体之间各种对称性较高的空穴位, 其中覆盖度为0.75 ML(monolayer)时具有最小的平均吸附能. 由能带结构分析结果可知, 随着覆盖度的增大, Si(001)表面存在由半导体→导体→半导体的变化过程. 在覆盖度为1.00 ML时, 由于表层二聚体均受到显著破坏, 使得体系带隙明显增大. 吸附后, 有较多电子从Li原子转移到底物, 导致Si(001)表面功函显著下降, 并随着覆盖度的增加表面功函呈现振荡变化. 此外, 从热力学稳定性角度上看, 覆盖度为0.75 ML的Li/Si(001)表面较难形成.     

MgO缺陷和不规则表面吸附Cl2的电子结构研究

采用从头算程序对MgO表面 3种不同配位位置吸附Cl2 的构型进行优化 ,并用扩展休克尔紧束缚 (EHT)晶体轨道方法对MgO的缺陷和不规则表面吸附Cl2的可能构型进行能带计算 ,讨论了吸附前后能带组成和成键性质的变化。研究表明 :MgO表面吸附Cl2 将更趋向于吸附在O原子上而非Mg原子上 ,而且在 3种配位中MgO表面三配位氧最有利于吸附Cl2 ;吸附时 ,电子从O原子转移到Cl2 分子的反键轨道 ,但是各种吸附构型的MgO表面对Cl2 的吸附作用均比较微弱 ,是典型的物理吸附。     

ANISOTROPIC STRAIN EFFECT ON MORPHOLOGY AND ATOMIC STRUCTURE OF VICINAL Si(001) SURFACE

On vicinal Si(001) surfaces, dependence of growth morphology on the applied strain direction and formation of vacancy lines from Ag-induced missing dimer vacancies are studied. Both phenomena are intimately related to the anisotropic nature of the strain field which originates from the surface dimerization. Strain relief mechanism, reflecting on the surface morphology, is shown to be different in two orthogonal directions. Normal to the steps, step-pair bunching and waving lead to formation of hillocks and pits. Along the step direction, bending of step pairs forms a cusp which later develops into a deep groove. Toward the atomic scale, the formation of the vacancy lines is driven by the short-range attractive interaction between the vacancies in adjacent dimer rows and the long-range repulsive interaction between them in the same dimer row. A full form and magnitudes of the interactions are derived from the thermally-excited wandering of the vacancy lines formed by a nominal amount of Ag depositing onto the surface.     

表面增强喇曼光谱研究聚合物在金属表面的排列形态

本文报道了用硝酸刻蚀金属片的方法制备有表面增强喇曼散射(SERS)活性的金属表面,研究聚(4-乙烯基吡啶)(P4VP)和聚苯并咪唑(PBIM)的SERS光谱。证明这种方法比经典的Ag/CaF_2岛膜法有较大的增强因子和较好的热稳定性。通过对P4VP和PBIM分子中环的振动模式的分析,发现不同的成膜制样方法导致聚合物分子在金属表面不同的排列形态,在一定条件下,有的排列方式可发生转化。     

增感染料1556、798吸附在银电极上的表面增强拉曼光谱

本文利用表面增强拉曼光谱研究了增感染料1556、798在银电极上的吸附,通过比较染料的固体拉曼光谱和染料的表面增强光谱,我们发现两种染料在银电极表面的吸附行为不完全相同,吸附时染料分子的平面基本上与电极表面相垂直。     

苯骈噻唑类化合物在银电极表面上的SERS

自七十年代中期,吸附在银电极表面上的吡啶的表面增强拉曼散射效应被发现以来,大量的有关表面增强拉曼散射效应的研究集中在含氮有机化合物上.对含硫化合物,尤其是对含硫和氮的杂环化合物的研究较少.在六十年代中期,Califano,Sbrana 和Davidovics 等人及其合作者分别研究了噻唑和异噻唑的红外和拉曼谱.本文研究了含巯基化合物,即系列的苯骈噻唑类化合物的普通拉曼谱(NRS)及其吸附在银电极表面上所产生的表面增强拉曼谱(SERS),并讨论了噻唑杂环上不同取代基对谱图的影响.