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The Babar Collaboration announced two new excited charmed baryons Ξc(3055)+ and Ξc(3123)+. We study their strong decays assuming they are D-wave states. Some assignments are excluded by comparing our numerical results with the experimental values of the total widths of Ξc(3055)+ and Ξc(3123)+. We also suggest some possible decay modes, which will be helpful to 相似文献
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本文利用Auger分析技术和C-V测量方法,详细地研究了PECVDSi3N4/InP界面特性,Auger能谱分析表明热处理使界面面发生互扩散,同时InP的热分解导致P元素穿过Si3N4薄膜到达表面。C-V测量表明Ag/Si3N4/InPMIS结构可以实现载流子的堆积、耗尽和反型。 相似文献
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本文解释了La2CuO4+δ(0≤δ≤0.09)和La2-xSrxCuO4(0≤x≤0.3)两种p型系统含铜稀土氧化物中的电阻和Seebeck系数与温度的依赖关系,在室温以上,一氧大气压下的La2CuO4+δ系统趋于失氧;在500 K以上,超导样品显示出失氧的一级相变,并且恢复到反铁磁相。在转变温度T1≈300 K以下,对0<δ<0.05成份的样品,相分离成反铁磁相和超导相;而在Tcρ≈100 K的温度范围内,超导相进一步分离成富空穴和贫空穴畴。在0.04≤δ≤0.09范围内,Tc处的电阻陡降出现了台阶;我们认为,它反映了电子成对的起伏。在La2-xSrxCuO4系统中,对于成分为01≈300 K以上,空穴的运动是弥散的,但是ΔHm=0;而对于x≥0.22的样品,经历了从平滑到Fermi液态的转变。成份为0c1范围(其中空穴继续以弥散方式运动)是亚稳的,但是,在Tcρ≤150 K范围,出现了电荷起伏。当样品冷却通过T1时,对于成份为0.15≤x≤0.2的样品,经历了由弥散到强质量增强巡游电子状态的转变;在Tc处,从均匀的修饰电子的正常态凝聚成超导的载流子对。在超导成份样品的正常态中,不寻常的电子-晶格相互作用,可以归结为在CuO2面上从更离子性的到共价性的Cu:3dx2-r2─O:Pσ键合的转变;通过这种转变,轨道杂化和Hubbard U参量随Cu─O键长和Cu原子上的外表局域氧化态都产生灵敏的变化。 相似文献
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The quadrupole interaction in nano-soft magnetic material Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9 has been studied by perturbed angular correlation using 62Zn probe nuclei from the ISOL radioactive nuclear beam facility at CIAE HI-13 tandem accelerator. Two quadrupole interaction frequencies ω01=440 Mrad/s with a distribution width σ=0 and ω02=90 Mrad/s with a width σ=0.48 are obtained. The fractions of ω01 and ω02 are 38% and 62%, respectively. The measured quadruple interaction parameters indicate that 62% of the implanted 62Zn are located in the grain boundary and 32% in the grain. 相似文献
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采用氙灯泵浦新型晶体Nd:Sr5(PO4)3F,以KTP晶体腔内倍频,实现了该晶体0.5295μm绿光激光BDN染料片调Q运转。测量了输出绿光激光的特性及不同腔长和染料片小信号透过率情况下的输出能量及脉冲宽度,给出了染料片调Q腔内倍频的耦合波方程组,数值求解该方程组,所得的理论数据与实验结果较好地相符。 相似文献
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以反滴共沉定法制备了NiFe2O4纳米微粉,并在不同压力下将其压制成纳成米固体,然后用XRD谱和ESR谱研究了NiFe2O4纳米固体结构和界百状态随压制压力的变化。实验结果表明,NiFe2O4纳米固体的结构在高压下没有明显的变化,但其ESR谱的共振线宽和g因子值随着压力升高均表示出先逐渐增大至最大值,然手缓慢下降的规律。这种变化可以归因于纳米固体内部界面离子间的磁相互作用在压力的下所发生和变化。这引起实验结果境示,对于NiFe2O4纳米固体而言,最佳的成型压力是4.5 GPa,在此压力下,NiFe2O4纳米粒子既可以被压制成致密的纳米固体,又能够保留下它们的纳米结构和纳米性质。 相似文献
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We present a technology for diagnosing the D-T fusion process by detecting capture γ-rays. This technology provides an alternative route to diagnosing the D-T reaction process when a great deal of heavy Z materials surrounds the D-T region. A very important aspect of this paper is to focus on the methods of shielding low-energy γ-rays whose radiation intensity is 106 times higher than that of the capture γ-rays. Another aspect is about how to distinguish signal from noise. The result of a 50/1 signal-to-noise ratio indicates that the designed double-magnetic spectrograph is very successful for diagnosing the D-T fusion reaction process. 相似文献
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本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术,研究了R2Fe4/3W2/3O7(R=Er、Yb、Dy)化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa,1 200 ℃条件下,六方相R2Fe4/3W2/3O7化合物按两种方式分解,而直接由R2O3,Fe2O3和WO3原料出发,经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同,均为R2WO6、RFeO3、WO3和Fe2O3的多相聚合物。同时给出了R2Fe4/3W2/3O7六方相高温高压下的稳定区范围。 相似文献
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本文采用超高氧压2.3 GPa合成方法,得到超导相含量大于30%的超导化合物La2CuO4+δ所采用的压力是目前所见报导中对La2CuO4化合物施加的最高氧压。湿化学方法测量给出过量氧含量δ=0.05±0.01,而TGA(氮气中)给出δ=0.143。高氧压合成产物经在空气中、不同温度下加热,然后淬火到室温,结果发现超导体在200~300 ℃的加热处理中存在着一个一级相变。经此相变后,超导体转变成反铁磁半导体。TGA及DSC证实了此相变的存在。该相变前后所联系的氧含量变化恰好为湿化学方法给出的结果,这部分与超导电性存在联系的过量氧,实际上引起了Cu2+向Cu(2+2δ)+的转变。该结果强有力地排除了所谓“超氧化物”引起超导电性的可能性。 相似文献
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本文在常压高温和高压高温条件下合成出了Nd2-xCexCuO4(x=0~0.20)系列样品,对比研究了两种不同条件下合成产物的结构特征与室温至液氮温区的导电性质。测试分析结果表明,高温高压(1.7 GPa,800 ℃,10 min)合成的样品与常压高温(1 000 ℃,10 h)烧结的样品具有相同的四方结构,但晶格常数随掺杂量变化有所不同,高压合成产物的c轴随掺杂量基本不变,而常压烧结样品c轴随掺杂量增加呈下降趋势。两种条件合成的样品在液氮温区均呈现出不同程度的半导体特征,经过一次高温淬火后处理后,高压样品的导电性质明显优于常压样品。实验结果表明,高压可以降低固相反应的合成温度,缩短反应时间,特别是高压的还原作用有利于产物导电性质的改善。 相似文献
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The present detection limit for 182Hf at CIAE HI-13 AMS systems could not satisfy various applications (e. g. detection of a nearby supernovae signal). Therefore, techniques were developed in this work to improve the AMS measurement of 182Hf mainly on building a new injector and using a method that based on solid-phase reaction for the preparation of HfF4 samples from HfO2. The experimental results show that mass resolution of the injector can reached 630, and the F-/O- and beam current of 180HfF5- for HfF4 samples produced by dry method is about 2—3 times and 1.5 times of that by previously method, respectively. 相似文献
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基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了中性单点缺陷γ-Si3N4的能量、电子结构和光学性质. N缺陷的结合能和形成能比Si(8)和Si(4)位的都低,显示γ-Si3N4中N缺陷更易形成. 分析了各种缺陷情况下相应的态密度. Si缺陷能形成p型半导体,N缺陷使材料形成间接带隙的n型半导体. Si缺陷情况下,物质有相对大的静态介电常数,在可见光区和红外区,吸收和反射得到显著改善,但是N缺陷却没什么影响. 相似文献