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采用532 nm,10 ns的脉冲激光对面阵CCD进行辐照实验,对每一阶段的实验现象和电路层面的破坏机理进行了深入分析,根据实验现象,把脉冲激光对CCD的硬破坏分为3个阶段:第1阶段在低能量密度激光辐照下,被破坏的CCD局部出现无法恢复的白色盲点,但其它部分仍可正常成像;第2阶段CCD探测器受到激光辐照后,在光斑处的时钟线方向出现白色竖直亮线,亮线处无法正常成像且激光辐照撤去后无法恢复;第3阶段受高能量密度激光辐照后,CCD完全失效,无法恢复成像。针对CCD的饱和及恢复阶段,利用Matlab编码对分辨力靶板的成像数据进行处理,分析了激光辐照CCD对饱和像元数和对比度的影响。结果表明:当CCD受到激光辐照时,饱和像元数迅速增多,图像对比度迅速下降为零,激光脉冲消失后,整个CCD成像亮度下降,饱和像元数迅速下降为零,经过一段时间后CCD又恢复至线性工作状态,激光的能量密度越高,CCD恢复所需的时间就越长。研究还发现:当恢复时间超过0.6 s,CCD出现不可恢复的白色条带,严重影响成像质量。 相似文献
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在光测设备发展过程中,用大面阵CCD取代干版、胶片作为成像介质已成为必然,但是在实际使用过程中CCD与胶片、干版存在着质的区别。本文以CCD弹道相机为例,根据CCD成像介质的特点,详细分析了影响CCD成像的几种因素,解决了CCD相机在实际应用中的难题。 相似文献
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多环境试验条件下的微光枪瞄检测技术一直是军备生产所关注的问题。由于在振动、射击、冲击、跌落和高低温环境等载荷作用下,微光枪瞄机械、光学和电性能结构及参数会发生改变,致使微光枪瞄不能正常工作和使用,所以设计了多环境试验条件下的微光枪瞄检测与测试系统。对测试系统的光路进行了规划,即对被检查对象(微光枪瞄)的安装要求是微光枪瞄的物镜应置于平行光管出射光口的“较近处”。给出了由CCD组成检测系统的工作原理,分析了系统成像的详细过程。通过对平行光管和CCD变焦镜焦距计算,并结合实际工程应用,使该检测系统的测量精度(≤0.05密位)和测量范围(≥40密位)均满足了项目使用要求。 相似文献
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用于成像侦察的CCD探测器成像分辨力的探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
通过对CCD探测器成像过程的模拟,分析了CCD成像在像元几何尺寸及成像灰度方面的数字离散化特征对CCD成像分辨力的影响,给出了CCD成像分辨力与CCD像元分辨力的关系,同时也给出了在相应情况下的调制度传递函数(MTF)的数值。 相似文献
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一种基于工业级CCD器件的高性能制冷CCD成像组件 总被引:1,自引:0,他引:1
随着CCD器件的发展,采用工业级CCD器件研制高性能制冷CCD成像系统成为一个重要的发展方向。从高性能CCD成像和高性能微光ICCD成像应用需求出发,研制了一种基于工业级CCD器件的高性能制冷型数字视频CCD成像组件;介绍了成像组件在高性能大面阵CCD器件、低噪声驱动电路、小型化低功耗制冷技术以及特殊的制冷腔结构等方面的设计特点,指出成像组件对进一步发展高性能CCD成像系统具有积极的促进作用,在军事、工业、生物医学和科学研究领域具有广泛的应用前景。 相似文献
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针对空间光学相机重要组成部分的CCD成像电子学单元的光电参量测试需求,介绍了CCD成像电子学单元光电参量测试必要性,提出了对CCD成像电子学单元光电参量进行系统测试的试验方案,并设计、研制了测试装置。对于该装置进行了系统调试与标定,得到单色仪波长定标系数为1.003 29,并对CCD成像电子学单元辐射性能测试中积分球的稳定性及均匀性进行了测试,测试结果满足要求。通过标准探测器标定待测探测器,得到待测探测器的相对光谱响应度。整套装置满足测试要求。 相似文献
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利用晕苯增强CCD紫外响应的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
传统的电荷耦合器件(CCD),在400nm以下CCD的量子效率太低,而传统的基于CCD的紫外增强技术可以提高CCD对紫外波段的响应,但是存在光谱信号弱的缺点,并且系统分辨率也因此降低。一种自行研制的CCD紫外荧光增强技术,其创新在于去除CCD表面保护玻璃,通过真空镀膜的方法将晕苯直接沉积在CCD敏感元件表面,能有效地提高CCD的紫外响应度,并削弱薄膜对分辨率的影响。对于离散谱线,253.6nm波长的相对强度提高10倍。对于连续谱线,紫外波段的信号也得到明显增强,截止频率从290nm降至220nm。该种方法制作紫外CCD成本不高,可以实现批量生产,适合工业应用。 相似文献
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激光距离选通技术提高了微光条件下的远距离观测的视距,有效的克服了大气的后向散射对微光成像系统成像质量的影响。采用改进的同步控制技术解决了距离选通技术中激光器与摄像机的同步问题。实验结果表明,采用同步控制技术的距离选通技术对提高成像的质量和探测距离起到了关键的作用。 相似文献
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