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10 Gb/s电吸收调制器的微波封装设计 总被引:1,自引:1,他引:1
在高速光电子器件的微波封装过程中,需要综合考虑封装寄生参数和芯片寄生参数对器件高频性能的影响。利用封装寄生参数对芯片寄生参数的补偿作用,成功实现了10Gb/s电吸收调制激光器(EML)的高频封装。通过封装前后芯片和器件的小信号频率响应测试结果对比,器件的反射参数和传输参数有所改善,3dB带宽达到10GHz;并进行了10Gb/s速率的光纤传输实验,经过40km光纤传输后通道代价不到1dBm(误码率为10^-12),满足10Gb/s长距离光纤传输系统的要求。 相似文献
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佳水 《激光与光电子学进展》2003,40(6):16-21
报导40Gb/s的重定时、重成形、重发送(3R)的光学重生器。它采用以电吸收(EA)调制器为基础的波长转换器.在光网上执行40Gb/s或更高比特率波分复用(WDM)。该光学3R重生器结构简单,它由两个波长转换器、一个时钟还原部件及—个光学时钟发生器构成。实验演示了该3R光学重生器的稳定性以及对偏振的不敏感性,其最佳运转条件的调整亦十分简易。为探究该光学3R重生器在光网中的可用性,将它插在两段500km长的传输线之间进行评估。与未插入重生器的情况相比,传输1000km之后Q值改善约为1.5dB,在更高速、可升级的全光网中此类3R重生器极具应用价值。 相似文献
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基于高精细度F-P滤波器的40Gb/s全光时钟提取 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了一种基于高精细度Fabry-Perot(F-P)滤波器的全光时钟提取方案,并进行了实验验证。为了实现对信号波长无关的特性,系统利用光纤中交叉相位调制(XPM)效应对输入信号进行正码波长变换,使变换后的波长始终与F-P滤波器的透射峰精确对准。采用精细度为1 012的高精细度F-P滤波器提取时钟,并利用半导体光放大器(SDA)的自增益调制(SGM)效应进一步抑制时钟信号的低频噪声,保证了高质量的时钟输出。实验中,利用这种装置对40 Gb/s归零(RZ)码信号进行了时钟提取,得到了抖动为285 fs的高质量40 GHz时钟信号,验证了方案的可行性。 相似文献
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全光开关门是全光3R再生、全光解复用、全光逻辑门和全光波长变换的重要组成模块,而基于电吸收调制器(EAM)的全光开关门具有偏振无关和码型效应小等优点.依据光生载流子的输运方程,建立了体材料EAM中的交叉吸收调制(XAM)模型.通过该模型利用时域有限差分法,研究了EAM在高功率超短光脉冲抽运作用下形成的开关门特性,对不同EAM偏置电压、抽运光功率和脉冲宽度下的开关门进行了分析.同时.进行了开关门特性与偏置电压大小和抽运脉冲功率之间关系的实验研究.实验结果与理论预期相符合.EAM光开关用于光3R再生,使40 Gb/s残余色散或偏振模色散恶化信号得到再生. 相似文献
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设计制作了面向40Gb/s电吸收调制器(EAM)的高速微波过渡热沉,并进行了EAM管芯级封装测试的验证.这种基于氧化铝(A l2O3)的热沉采用共面波导(CPW)传输线以实现低损耗微波传送,以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配.采用Ti/Cu/N i/Au金属材料作为CPW传输线电极材料,从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触,使热沉的典型反射系数在0~40 GHz范围内均达到优于-21 dB的水平.作为验证,采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装,测试得到小信号调制响应带宽超过40 GHz. 相似文献
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基于10 Gb/s传输链路的40 Gb/s光传输实验研究 总被引:2,自引:2,他引:0
基于中国自然科学基金网(NSFCNet)的400 km×10 Gb/s光传输链路实现了40 Gb/s光传输,没有出现误码率(BER)平台,说明在常规的中短距离10 Gb/s系统可以直接升级至40 Gb/s系统,而不需要升级传输链路。但是,由于相对10 Gb/s系统而言40 Gb/s系统的色散容限非常小,在升级时必须精确补偿原有链路的色散,在接收机前一般需要加可调色散补偿单元。同时,还分析了光纤注入功率对系统性能的影响,结果表明在设计这种由10 Gb/s向40 Gb/s升级的系统时,不仅要考虑信号带宽增加带来信噪比要求的提高,而且必须充分考虑光纤非线性的影响。 相似文献
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通过仿真研究了10和40Gb/s RZ-DPSK电预失真(EPD)系统中的自相位调制(SPM)和交叉相位调制(XPM)等非线性效应。EPD系统中的非线性效应比光色散补偿(ODC)中的大,但在不同比特率下非线性效应不同。对800km标准单模光纤(SSMF)传输的仿真的结果表明:单信道传输时受到SPM影响,比特率为10Gb/s的EPD系统的非线性阈值比ODC系统的小6dBm以上,而当比特率为40Gb/s时的EPD系统非线性阈值只比ODC系统小2dBm。波分复用(WDM)系统中受到SPM和XPM的影响,比特率为10Gb/s的EPD系统的非线性阈值比ODC系统的小6dBm,而比特率为40Gb/s时的EPD系统非线性阈值比ODC系统的小2dBm。研究结果表明,当比特率升高时,EPD系统的非线性效应减弱。 相似文献
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采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一 5V电源供电时直流功耗为1.5W,输出最高电压幅度为2.4V,电路最高工作速率高于24Gb/s,可以应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统. 相似文献
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采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一+5V电源供电时直流功耗为1.5W,输出最高电压幅度为2.4V,电路最高工作速率高于24Gb/s,可以应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统. 相似文献
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将TSC-HBT应用于HBT光调制器驱动电路的设计中。SPICE模拟结果显示,眼图张开形状良好,可以满足10Gbit/s光发射模块应用的要求。 相似文献
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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准14脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为20 ̄30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mV,在3V的反向调制民压下消光比约为17dB。我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输 相似文献
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本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB. 相似文献
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全光码型转换技术是实现未来全光网络的关键技术之一,为此提出了一种利用半导体光放大器(SOA)和光带通滤波器(OBPF)的归零(RZ)码到非归零(NRZ)码的信号转换方案。利用通信软件数值模拟了基于40 Gb/s的码型转换,仿真实现了稳定的不同占空比的RZ码到NRZ码的码型转换以及波长转换。 相似文献
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对于系统设计者来说,主要有两种选择来满足日益增长的带宽需求,那就是部署更多的10Gb/s通道或提高单信道速率。服务提供商基本上不关心实际的线路速率。如果他们部署基于40Gb/s技术的网络,那就首先要有一个具有更高可靠性、灵活性、可管理性和低成本的全网解决方案。换句话说,能使40Gb/s光网络成功地商用化的驱动因素并不是简单地增加带宽,而是一个相对于现在和未来的10Gb/s光网络而言更好的商业模型。幸运的是,40Gb/s技术的快速进步使得它们终于能够走出实验室。光设备制造商很快就将能提供商用化的40Gb/s光网络解决方案,这种方… 相似文献
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设计了一种基于OTDM的160Gb/s全光分组网络,介绍了该网络的拓扑结构,解决了该网络的数据包冲突问题和系统偏振模色散问题.实验结果表明,该网络性能稳定,网络吞吐能力强,色散补偿效果明显,大大提高了光纤网络的传输容量,满足光通信各业务需要. 相似文献