硅／多孔硅异结光生电压谱研究

首次报道硅／多孔硅异质结光生电压谱，发现多孔硅的激发能有不连续性，表明多孔硅量子点由一层层硅硅原子有序排列而构成，其尺寸分布是不连续的，其差值为硅晶格常数的整数倍，光生电压谱是研究多孔硅和硅／多孔硅异质结能带结构的有效方法。     

光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究

光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带...     

气体吸附对SnO2／Si光电压的影响

测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２、液化石油气等还原性气体前后光电压的变化；分析了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面的吸附性和机理。     

GaAs／GaxAl1—xAs异质结的调制反射光谱研究

用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大，并计算出表面费密以级与导带底的距离ｆ＝０．２７（０．０３）ｅＶ，通过对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ调制光谱分析，发现表面复盖层对Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ层的调制光谱线形有调节作用，不同厚度的     

S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的     

电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响

研究了GaAs HBT高能电子(～1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大。因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因。     

GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

本文对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ正向肖特基结电压Ｖｇｓｆ随温度的变化特性进行了测量与分。析，得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Ｖｇｓｆ随温度的变化有很好的线性关系，并发现其温度系数α＝ｄＶｇｓｆ／ｄＴ与测试电流有关，随着Ｉ的增大｜α｜减少．经过对试验点的拟合发现，ｋＴ与Ｉ的变化满足指数关系，且Ｖｇｓｆ随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性，即在绝对零度时，不同电流下的Ｖｇｓｆ具有相同的值．据此，我们得到了新的肖特基结电流电压关系式，很好地解释了Ｖｇｓｆ－Ｔ曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特     

可用于GaAlAs／GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法

基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式．针对带缓冲层ＧａＡｌＡｓ可见光激光器计算得到的有源层应力可以很好地解释Ｓｈｉｍｉｚｕ等有关器件寿命的实验结果．分析并指出了一些文献中处理半导体异质结多层结构应力问题的不合理之处．     

MBE生长Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

本简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和渗数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有良好的纵向元素分布。     

应变异质结ZnSe／Si2（110）的价带带阶的第一原理计算

本文从第一原理出发,用Linearized-Muffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格（ZnSe)n/(Si2)n(110)(n=2-7)进行自洽计算,在此基础上采用冻结势计算了应变异质结ZnSe/Si2(110)的价带带阶,得到其理论值为0．93eV,说明该异质结的价带带阶值较大,由其构成的量子阱对空穴运动有较强的限制作用。     

CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

本文提出了精确测量内建电压Ｖ_Ｄ的Ｗ（结宽）－Ｎ（Ｎｅｆｆ为有效空间电荷密度）新方法．文中严格证明了由Ｗ－Ｎ曲线的斜率可计算异质结的ＶＤ．在零偏压下测量了ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的ＶＤ，样品ＣＩＳ－１的ＶＤ为０．４３７Ｖ，样品ＣＩＳ－２的ＶＤ为０．２９３Ｖ．我们的测量结果表明，光照不改变ＶＤ，但使异质结变窄．内建电压是异质结的固有参量．利用Ｗ－Ｎ方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响．     

GexSi1—x／Si异质结脊形光波导结构参数的研究

通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ脊形光波导中的ＴＥ模式的理论分析与计算，得出了不同内脊高ｂ对应的脊宽Ｗ与外脊高ｈ的关系曲线。为这种脊形光波导的结构设计提供了可以信赖的依据。     

SnO2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化

制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品,在不同温度下,分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量结果,分析了光生电压谱变化的机理     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．