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在约瑟夫逊效应的理论研究中,大体上有微观和宏观两种方法。采用的是宏观的方法。利用推广的Ja-cobson方法,讨论了超导体/正常金属/半导体/正常金属/超导体结的约瑟夫逊效应,并在小电流假设下,推导出了该结的电流密度与位相之间的关系。 相似文献
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一、概况 受国家技术监督局委派,我于1991年12月7—14日赴澳大利亚悉尼出席ISO/TC43(声学委员会)、TC43/SC1(噪声分会)、TC43/WG1(听阈工作组)会议。各会在悉尼北区的“标准楼(Standards House)举行。本次系列会议时间为12月5日—12日。 二、TC43/WG1会议 1987年4月初,我在巴黎召开的OIML(国际法制计量组织)的《声学、听力、振动》指导秘书处会上,曾发表了关于有关听力的国际标准中应把标准年龄由 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料。利用傅里叶光谱仪分别对势垒中Al组分为0.20,0.30的1#,2#样品进行77 K液氮温度下光谱响应测试。结果显示:1#,2#峰值响应波长为8.38,7.59 m,而根据薛定谔方程得到峰值波长为9.694,8.134 m,二者误差分别为13.6%,6.68%。针对误差过大及吸收峰向高能方向发生漂移的现象,利用高分辨透射扫描电镜对样品微观界面结构进行分析,结果显示,样品存在不同程度的位错及不均匀性。结果表明:位错引起AlGaAs与GaAs晶格不匹配,是造成1#误差较大的主要原因;峰值响应波长随势垒中Al组分的降低而增大,说明Al组分减小致使量子阱子带间距离缩小是导致峰值响应波长红移的原因。 相似文献
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介绍了一种基于新型非线性晶体Ba1-xB2-y-zO4SixAlyGaz 的可调谐深紫外飞秒激光光源. 从理论上分析了基频光和倍频光在通过非线性晶体时所造成的空间走离和群速度失配, 为了补偿空间走离以及波长调谐过程中晶体折射造成的光束偏离现象, 将两块相同的倍频晶体成镜像放置来产生二次谐波. 并调节延迟线的长度来补偿基频光和倍频光之间的群速度失配, 从而提高和频转换效率. 然后通过和频方式进行三倍频和四倍频来突破晶体相位匹配条件的限制, 产生了波长低于200 nm的深紫外飞秒激光. 利用钛宝石激光器提供基频光光源, 最终在250–300 nm, 192.5–210 nm 范围内获得了高重频、可调谐超短脉冲紫外和深紫外激光. 并在基频光波长为800 nm时, 得到的二倍频、三倍频和四倍频的功率分别为1.28 W, 194 mW和5.8 mW, 相对于前一级的转换效率依次为46.14%, 15.16%和3%. 采用互相关法测量得到266.7 nm紫外激光的脉冲宽度约为640.4 fs. 相似文献
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本文在多通道量子数亏损理论(MQDT)框架下,利用相对论多通道理论(RMCT),分别在冻结实近似、 考虑Δl=-1的偶极极化效应、Δl=+1的偶极极化效应、Δl=± 1的偶极极化效应、伸缩模效应以及同时考虑偶极极化效应和伸缩模效应等不同层次近似下,系统地计算了碱金属Li, Na, K, Rb, Cs和Fr七个里德伯系列的能级,即ns2S1/2, np2P1/2, np2P3/2, nd2D3/2, nd2D5/2, nf2F5/2 和nf2F7/2.计算结果表明,电子关联效应对碱金属原子的里德伯能级的影响很大.总的来说,偶极极化效应比伸缩模效应重要,而在偶极极化效应中, Δl = + 1的偶极极化效应比Δl = - 1的偶极极化效应重要.但对于Na的ns2S1/2,(nd2D3/2,nd2D5/2)里德伯系列的能级,和Li的(np2P1/2,np2P3/2)里德伯系列的能级,是伸缩模效应比较重要. 相似文献
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利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱。同时类InAs与类GaAs振动强度比增大。Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态。 相似文献
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采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了La2/3Ca1/3MnO3/Eu2CuO4/La2/3Ca1/3MnO3磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,发现非线性的I-V特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是发现在电极材料La2/3Ca1/3MnO3的金属-绝缘体转变温度(Tp)以下,I-V曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下~209mV.当电流增大或减小在跳变点附近出现回滞.这一跳变只发生在铁磁金属态,表明这是一个磁性相关联的效应,可能对应一种新的磁性开关过程.虽然,目前对这一现象背后的物理机理还不清楚,但是,这一现象有可能在未来自旋电子学器件方面具有潜在的应用价值.
关键词:
庞磁电阻
磁性隧道结
开关效应 相似文献
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基于k·p微扰理论, 通过引入应变哈密顿量作为微扰, 建立了双轴应变Ge/Si1-xGex价带色散关系模型. 模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge价带结构, 通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量. 模型的Matlab模拟结果显示, 应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小, 其各向异性比弛豫Ge更加显著. 本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值. 相似文献
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CUI Xiang-Zong 《中国物理C(英文版)》1988,12(1):1-5
Practical formulas for calculating position sensing by charge division were given.They were applied to experiments on self-quenching streamer (SQS) tubes with different shorter wire lengths (smallest resistance 425Ω) and the position resolution obtained was 1.1% for a 37.3cm wire.The error of position sensing by charge division on single tube was compared to that on parallelly connected double tuble tubes.Possible errors of determing position of the shower "Axis" by charge division method on the wires were studied. 相似文献
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