带状注行波管E面和H面宽带耦合器

设计和分析了应用于W波段带状注行波管的E面多孔输入输出耦合器和H面多孔输入输出耦合器。研究表明,采用多孔耦合,不仅可以实现电磁场与电子注的汇聚和分离,还可以实现极宽工作带宽。HFSS仿真分析结果表明:E面多孔定向耦合器1dB相对带宽达43GHz,且隔离度优于20dB的相对带宽达到40GHz;H面定向耦合器在E面耦合器的10个耦合孔数的基础上,通过增加2个耦合孔数,1dB相对带宽提升到30GHz,且隔离度大于15dB的相对带宽达到32GHz。两种新型耦合器在极宽的工作带宽内实现低反射、高隔离的性能。与E面耦合器相比,H面耦合器易于加工和利于与周期永久磁体的封装集成。     

关于厚透镜H面与H＇面的相对位置的讨论

根据等效光学系统理论，讨论厚透镜两主平面交换位置的条件及有关性质．     

E面和H面方向图等化的双模圆锥喇叭设计

 介绍用于Φ7.3 m Cassegrain天线的高功率馈源喇叭的设计。为使E面和H面方向图在照射区域内具有高的等化度,选择双模圆锥喇叭作为馈源的结构形式。由于高功率源采用BJ-32波导输出信号,故馈源系统中还应包含一个矩形到圆形的模式转换器,将TE10模转换为TE11模。设计了双模圆锥喇叭和模式转换器,并进行了功率容量估算。测试结果表明,所设计的馈源达到了设计要求,理论计算结果和实验测试数据吻合良好。     

He+H2+→HeH++H反应的从头算势能面

运用多参考组态相互作用(MRCI)方法及aug-cc-pv5z基组构造了HeH+2体系基态(12A′)从头算势能面.采用多体展开法共拟合了8840个能量点,拟合误差为0.0677 Kcal/mol.基于新势能面,采用准经典轨线方法计算了碰撞能在0～2 eV范围内的积分反应截面,计算结果与实验结果符合较好.     

He+H2+ HeH++H反应的从头算势能面"

运用多参考组态相互作用（MRCI）方法及aug-cc-pv5z基组构造了HeH2+体系基态（1 ）从头算势能面。采用多体展开法共拟合了8840个能量点,拟合误差为0.0677Kcal/mol。基于新势能面,采用准经典轨线方法计算了碰撞能在0-2 eV范围内的积分反应截面,计算结果与实验结果符合较好。     

反应体系F+H2→HF+H的一个全域从头算势能面

采用多参考组态相互作用方法和 aug-cc-pV5z 基组并虑及 Davidson 修正计算了反应体系 F H_2→HF H 的约15,000个对称性唯一的构型点的势能值,并利用三次样条插值发展了该体系的三维全域势能面.在反应入口通道,还考虑了旋轨耦合效应.     

三厘米波段H面谐振式微波铁氧体隔离器的初步研究

遵照伟大领袖毛主席光辉的“五·七”指示和“教育必须为无产阶级政治服务,必须同生产劳动相结合”的教导,我们工农兵学员到工人阶级身边接受再教育,理论联系实际,进行了毕业实践,在三大革命运动的斗争中锻炼成长.在工人师傅和革命技术人员及辅导教师的帮助和指导下,对三厘米波段H面谐振式微波铁氧体隔离器展宽频带进行了初步研究. 描述隔离器恃性的主要参数为正向损耗α+,反向隔离α-,驻波系数p,承受脉冲功率　和平均功率　及频带宽度　等.由于社会主义革命和社会主义建设事业的需要,有关部门迫切要求研制工作频带宽,插入损耗(即α+)低,承…     

S_1流面H型与C型双重网格计算

本文发展了一种S_1流面的H型和C型双重网格计算方法,即首先采用H型网格进行全流场计算,再在叶片前缘附近采用局部C型网格进行加密计算,在生成C型网格时采用了一种组合二次曲线拟合方法以便适用于各种压气机及透平叶型.文中给出的算例表明,本方法是提高S_1流面亚声速绕流计算精度和预测叶栅变工况性能的有效手段。     

The H—H+, H+—H+ and H—H fragmentation in the collision-induced dissociation of H 2 + ions

The collision-induced dissociation of 10 keV H ₂ ⁺ ions incident on H₂ has been studied in this paper. Total cross sections and angle distributions for the H⁺-H, H⁺-H⁺ and H-H fragmentations are given. Distributions over both angle and velocity have been measured for the H-H⁺ and H-H fragmentation.     

H原子在δ-Pu(100)面吸附行为的周期性密度泛函理论研究

采用密度泛函理论结合平板周期性模型研究了H原子在δ-Pu(100)面上的吸附行为.方法为广义梯度近似(GGA),同时考虑了自旋极化和无自旋极化两种情况.通过对不同吸附位置的吸附能和平衡几何结构比较发现, 吸附属于较强的化学作用, 心位吸附最稳定,桥位次之,顶位最不稳定.在无自旋极化水平,H原子吸附位距离Pu表面0.063 nm,吸附能-3.16 eV.考虑自旋极化时,H原子位于Pu表面正上方0.060 nm处,吸附能为-2.26 eV.与H配位的Pu原子数目是决定吸附过程的主要因素,配位的Pu原子数目越多,吸附越稳定.Mulliken电荷布局分析表明H和Pu表面的作用主要发生在第一层,另外两层几乎没有影响.H原子在钚表面的吸附造成了钚金属表面功涵的明显增加.     

氪的贝特面

用高分辨快电子能量损失谱方法, 在入射电子能量2.5 keV、激发能范围8-88 eV、动量转移范围0.056-3.56 ato. unit的条件下, 测量了氪的贝特面, 并进一步分析了贝特面的特性.     

非晶态异质结构a-Si:H/a-SiN_x:H和a-Si:H,a-SiN_x:H薄膜的应力研究

实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiN_x:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiN_x:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiN_x:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。     

H+4, H+5和H+7团簇离子的测量和确认

报告了H+4, H+5, H+7等团簇离子的测量结果. 确认可以由H+3与一个或多个H和H2相互作用形成较大的H+4, H+5, H+7等团簇离子.     

H+2离子和H原子相互作用研究

应用改进的排列通道量子力学方法(ACQM)对H+2离子与H原子的相互作用进行了研究.研究结果表明,H+2离子与H原子相互作用能够形成稳定的正三角形构型的H+3离子,从而为实验上制备H+3离子找到了一种新的方法.     

H2 的外场效应

本文计算H2从基态到激发态的跃迁矩阵元(μ)0n,振子强度f0n,自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1-6),还计算了在电场AE→U2=-72.0,-36.0,0.0,36.0和72.0 V/M下H2的行为.对进一步研究高分子材料的外场效应有参考价值.     

磁场强度H的场源特征

为了澄清对磁场强度H场源的错误认识,用矢量场原理讨论了H线的场源特征。介质的磁化状态决定了H线的通量源的分布,传导电流和位移电流决定了H线的涡旋源的分布。并用典型的例子作了详尽的说明。     

H定理的一个补充

一.引言 统计力学中研究一个力学体系的平衡态通常所用的基本出发点,便是将体系的平衡态看作为它的态对于一个极长的时间的平均。由此推论在平衡态中体系的相空间占有相同体积的各部份有同样的几率,再由此推广到量子统计学中的“力学体系的各个量子态有同样几率”的假定。自这里起,Fowler讨论了一个含有许多近独立子系的力学体系(子系的所谓“近独立”,乃是指在计算整个体系     

分级构建势能面中低级别势能面精度

通过构建一系列H3体系的UHF(UCCSD(T)、DFT-B3LYP、UMP2)/vtz和UCCSD(T)/avqz级别的势能面,研究了分级构建方案中低级别势能面对最终势能面精度的影响. 基于这些势能面计算得到的H+H₂反应的总反应几率表明,UCCSD(T)/avqz势能面的精度与著名的BKMP2势能面非常接近,得到的势垒略微偏高. 作为对比,尽管低级别理论(UHF、UMP2、DFT-B3LYP)加上vtz基组在复杂体系中得到了广泛地应用,但是它们对这个最简单的反应只能提供一个定性的描述. 另一方面,尽管这些理论不能准确描述这个反应,但是可以应用它们来得到分级构建中的低级别势能面,从而建立精度级别为UCCSD(T)/avqz的势能面,使得所需要的UCCSD(T)/avqz能量的数目大大减少.     

a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的掺杂效应

采用带有可转动掩板的沉积系统,合成出一类新的a-Si:H/掺杂a-SiN_x:H超晶格。样品中各子层厚度及a-SiN_x:H子层中N/Si比固定,仅改变掺杂浓度。结果发现:此类超晶格中的费密能级可以通过a-SiN_x:H层中的掺杂来控制,即a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格可以从n型转变为p型,依赖于a-SiN_x:H子层中B的掺杂比。然而,a-SiN_x:H子层中P的掺杂对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格传输特性影响并不大。