聚乙烯咔唑超分子膜／p—Si体系的表面光电压谱研究

利用ＬＢ技术，以二十碳酸作辅助成膜材料，在疏水处理的ｐ－Ｓｉ上分别制备了２，４，６，１０和２０层聚乙烯咔唑超分子膜。对这种体系的表面光电压谱研究结果表明，表面光电压随ＰＶＫ膜层数的增加而增强，在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加，表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于ＰＶＫ的光导电性引起的。     

细菌视紫红质（BR）的表面光电压谱研究

采用表面光电压谱系统地研究了细菌视紫红质的光伏特性，结果表明ＢＲ薄膜有着独特的光电性质，并且与ＢＲ薄膜的制备方法和湿度有关，从经过ＨＥＰＥＳ修饰的ＢＲ表面光电压谱，观察到了ＢＲ的中间体Ｍ４１２和Ｏ６４０响应峰。说明ＨＥＰＥＳ对ＢＲ中间体的稳定作用，这些现象可由ＢＲ的光循环和光电压产生机理来解释。     

表面光电压谱及其检测技术实验

利用锁相放大器、单色仪、Xe灯光源等搭建了表面光电压谱检测仪.基于表面光电压谱技术的原理,并借助场诱导表面光电压谱测定了半导体材料的光伏响应、导电类型、能带隙和表面电荷分布.     

a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究

采用表面光电压谱和光电化学方法，对不同掺杂类型的氢化非晶硅(s-Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究，测定了a-Si:h薄膜的能带结构，为a-Si:H薄膜在太阳能电池上的应用提供了有用的基础数据和简单光伏测量方法。     

配位超分子[Cu(phen)(H2O)2·SO4]的合成、结构及表面光电压光谱

采用水热合成法得到了新颖结构的配位超分子[Cu(phen)(H2O)2.SO4]。通过X射线单晶衍射、红外光谱(IR)、紫外光谱(UV-VIS-NIR)及荧光光谱进行了测定和分析指认结构分析表明:标题化合物中Cu离子的配位模式分为两种,与phen分子中的2个N原子和水分子中2个O原子是通过配位键直接配位的;与硫酸根离子中的2个O原子的配位是采取Cu离子与O原子之间形成氢键,该氢键使Cu离子和硫酸根离子中的2个O原子处于亚配位状态,因此使Cu离子处于扭曲的八面体几何构型中。晶体中存在着大量的氢键将化合物连成了1D双链结构。利用表面光电压光谱(SPS)和场诱导表面光电压光谱(FISPS)研究了化合物的表面光电行为。化合物的SPS在300～800nm范围内呈现出明显的2个正的光伏响应带。FISPS的结果显示化合物呈现出一定的p-型半导体的特征。     

乙酰丙酮－5，10，15，20－四－对氯苯基卟啉稀土配合物表面光电压谱的研究

采用表面光电压谱法（ＳＰＳ）对乙酰雨酮－５，１０，１５，２０－四－对氯苯基卟啉稀土配合物Ｌｎ（ｐ－Ｃｌ）ＴＰＰａｃａｃ和卟啉配体进行了研究，并对谱带的归属和光电压产生的机制进行了探讨。发现配合物的光伏响应明显小于配体的光伏响应，且随中心离子的不同，其响应也不同。在配合物的ＳＰＳ谱中，除了可看到由配体Ｂ带和Ｑ带吸收所产生的谱带以外，在３００～３５０ｎｍ区出现了一明显的光伏响应带，随稀土中心离子（４ｆ电子数）不同，此光伏响应强度也不同，且随４ｆ电子数而呈规律性的变化。这个谱带可能是由π－π（Ｎ带）跃迁产生的。     

发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响

通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6 μm和2.0 μm,掺杂浓度为1×1019 cm-3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致,通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材...     

发射层厚度对透射式GaAs光电阴极表面光电压谱的影响

通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6 μm和2.0 μm,掺杂浓度为1×1019 cm－3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响|发现在体材料参量一定条件下,透射式GaAs光电阴极具有最佳厚度,同时最佳厚度受后界面复合速率的影响更大,同时GaAlAs窗口层也能很好降低发射层后界面复合速率.     

有机分子膜中各向异性的微扰理论和实验研究

采用微扰方法,对有机分子膜中分子规则取向所导致的各向异性进行了研究.给出了有机分子膜的二次谐波强度与基频光和倍频光的偏振方向,以及基板的拉膜方向之间关系的理论表达式,并对常见的几种组态进行了讨论和实验研究.理论计算和实验结果相一致. 关键词：     

自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描．明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23～39 meV．     

菁染料共价键合在单晶硅表面的X－光电子能谱

在单晶硅表面通过多步化学反应共价键合多种菁染料，对它们的ＸＰＳ分析表明，单晶硅表面存在着与各单体染料组成相同的化学元素及化学环境，并由有关元素结合能的分析证明它们是通过硅氮键键合于单晶硅表面上的。     

CdS薄膜的染料敏化

用ＬＢ方法在电沉积ＣｄＳ薄膜上修饰了ＰｃＣｕ单分子膜，并利用表面光电压谱对ＣｄＳ薄膜与ＰｃＣｕ修饰的ＣｄＳ薄膜进行了测试。结果表明，修饰后的ＣｄＳ薄膜其表面光电压值提高约５０倍，并且光电压响应由３００－５００ｎｍ扩展为３００－７００ｎｍ。紫外－可见偏振光谱测试表明，ＬＢ膜中酞菁环的取向角为４５度。     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

铝的激发光谱的测量

用１２０ｋｅＶ的Ａｌ＋离子与１０μｇ／ｃｍ２的碳箔相互作用，研究ＡｌⅠ、ＡｌⅡ和ＡｌⅢ的激发光谱，其结果与其它实验进行了比较。     

超导薄膜表面电阻测量新方法

本文报导一种测量高温超导薄膜微波表面电阻的新方法和测试装置.通过对加载两个不同蓝宝石的同一谐振腔进行测试,可以得到测试样品以外所有其它损耗对应的Q值.根据电磁场分布计算出谐振腔的结构参数G.用网络分析仪测量出谐振腔的无载Q值,便可计算出超导薄膜的微波表面电阻Rs.测量过程中既不会损伤超导薄膜样品,同时可以实现单片超导薄膜表面电阻的绝对测量,不需要校准件,测量简便可靠,精度高.     

玻璃表面层对薄膜光学参数测量的影响

利用p偏振光在镀膜平板玻璃前后表面反射光强比γ与膜层光学参数之间的密切关系,给出了玻璃表面层的光学参数分布。对典型的薄膜系统-单面镀膜与双面镀膜两种情况,理论分析了玻璃表面层对薄膜光学参数测量的影响。实验上对PMTES和SnO₂薄膜参数进行了测量,仅当计及玻璃表面层作用时,反射光强比γ的角度调制曲线才与理论拟合结果相吻合.     

SURFACE CAPPING OF TiO2 COLLOIDAL NANOPARTICLES STUDIED BY FOURIER TRANSFORM RAMAN SPECTRA

Surface capping of TiO₂ colloid nanoparticles with tetrasulfonated gallium phthalocyanine chloride (GaTsPc) was studied by Fourier Transform (FT) Raman spectra. A striking FT-Raman signal enhancement of GaTsPc is observed, indicating that a surface complex is formed during surface capping of GaTsPc dye molecules on TiO₂ colloid via sulfonate groups. This effect is attributed to a strong Raman resonance with the charge transfer transition in the surface complex. Surface complexation also have considerable influences on the FT-Raman signals for TiO₂ nanoparticles.     

紫外光电材料ZnO的反应溅射制备及研究

采用直流反应溅射法分别在Si(111),Si(001),及K4玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了氧氩比、衬底温度以及退火处理对于晶体结晶质量的影响,发现生长过程中的退火处理提高了薄膜质量和晶面取向.通过优化生长条件,在衬底温度为350℃,氧氩比为1:2的条件下生长出了XRD半高宽为01°、C轴取向高度一致的ZnO薄膜.     

铜－多孔硅光致发光和红外光谱研究

本文报道了铜-多孔硅的稳态光致发光,瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面吸附产生的表面电子态所起的非辐射复合中心的作用。