改进的屏蔽氢离子模型中量子修正△nl的推算

此文用等电子系列实验抛物线关系推算出了改进的屏蔽氢离子模型中量子修正△ｎｌ的值，从而提高了屏蔽氢离子模型计算离子能量的精度。     

用改进的屏蔽氢离子模型计算离子的能量

:用改进的屏蔽氢离子模型[1]计算了离子的电离势和次壳层能量。大量计算数据表明,改进模型计算的结果在低Z低离化时与实验相符;在高Z高离化时与MCDF的结果相符,从而弥补了R.M.More屏蔽氢离子模型、Slater单电子模型、WBEPM模型的不足。     

改进的屏蔽氢离子模型中量子修正Δ_nl的推算

此文用等电子系列实验抛物线关系推算出了改进的屏蔽氢离子模型中量子修正Δnl的值,从而提高了屏蔽氢离子模型计算离子能量的精度     

类氢离子的新势函数模型

给出了类氢离子的一个新势函数,该势函数包含了离子电离度效应,求出了相应的离子能级与波函数。用该理论研究了高离化态的类氢氟离子和类氢氖离子的部分激发光谱,计算结果与实验结果吻合很好。     

The energies of ions calculated by the improved screened hydrogenic ionization model

:用改进的屏蔽氢离子模型[1]计算了离子的电离势和次壳层能量。大量计算数据表明,改进模型计算的结果在低Z低离化时与实验相符;在高Z高离化时与MCDF的结果相符,从而弥补了R.M.More屏蔽氢离子模型、Slater单电子模型、WBEPM模型的不足。     

等离子体屏蔽效应对类氢离子束缚态的影响

在Debye屏蔽近似下,通过求解Schrödinger方程,计算了处于等离子体中的类氢离子的束缚态能量本征值与本征函数. 研究了氢原子和类氢Fe25+离子的n l ( n =1-4, l = 0-3)态能级随Debye 屏蔽长度λ的变化规律. 进一步,分析了等离子体屏蔽效应随主量子数n及角量子数l的变化规律, 发现对于给定的l, 等离子体屏蔽效应随主量子数n的增加而增大;对于给定的n,等离子体屏蔽效应随角量子数l 的增大而减小. 最后,我们分析了等离子体环境中类氢等电子序列离子的能级和波函数随屏蔽参数λ的变化规律,发现随着原子序数增大,等离子体屏蔽效应的影响逐渐变小.     

电离度效应对高电离态类氢离子平均寿命的影响

利用类氢离子新势函数模型,研究了电离度效应对高电离态类氢离子平均寿命的影响,计算了类氢Kr+35离子2p-8p态的平均寿命.发现电离度效应使类氢O+7-Pm+60离子各态的平均寿命相对减少0.26%～9.41%.结果对估价高电离态原子光谱和寿命的测量值有一定影响,有利于识别离子状态.     

类氢氖基态电离势随等离子体温度密度的变化

采用自洽场离子球模型,研究类氢氖基态1s的电离势随等离子体电子温度及电子密度的变化规律,计算得到基态电离势的百分偏移量随等离子体电子密度的变化关系,拟合结果表明两者的对数值满足很好的线性关系.该结果对计算等离子体电离态分布及光谱模拟具有一定意义.     

等离子体效应对碳的类氢离子能级的影响

通过在狄拉克方程中考虑德拜休克尔(Debye-Hückel)屏蔽势,研究了类氢离子C5 低能级能量1s(2S1/2),2s(2S1/2),2p(2P1/2和2P3/2)随等离子体电子温度及电子密度的变化规律,计算得到类氢离子C5 能级能量及能级电离势随等离子体环境的变化关系。同时,拟合得到了基于德拜休克尔屏蔽势下相当好的束缚态能级能量随等离子体环境变化的解析公式,利用该公式得到了类氢离子C5 相应各能级发生压致电离的临界电子密度,其结果与其它文献比有很好的可比性。结果表明:束缚态能级能量随等离子体电子温度的升高而减小,随等离子体电子密度的增大而增大。能级能量百分漂移量的对数值与等离子体电子密度的对数值以及等离子体电子温度的对数值之间均呈现出近似线性关系。对计算等离子体电离态分布及光谱模拟具有一定的意义。     

类Be离子电子碰撞电离的速率系数计算

本文用Ｓａｍｐｓｏｍ等的“Ｚ－标度类氢模型和库仑玻恩交换近似”方法，修改了Ｓａｍｐｓｏｎ理论中关于屏蔽常数的定义，选用电子机轨道平均半径标准，使用多组态Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ（ＭＣＨＦ）及多组态Ｄｉｒａｃ－Ｋｏｃｋ（ＭＣＤＦ）方法计算屏蔽常数，并给出了类Ｂｅ离子Ｃ＾２＾＋，Ｎ＾３＾＋，Ｏ＾４＾＋，Ｎｅ＾６＾＋及Ｆｅ＾２＾２＾＋的电离速率系统。从计算结果，可以看到高荷电靶离子的相对论效应。     

CHARGE AND SPIN GAPS IN THE DIMERIZED HUBBARD MODEL

By using the bosonization and renormalization group methods, we have studied the low energy physical properties in the one-dimensional dimerized Hubbard model. The formation of charge and spin gaps is investigated both for the half-filled electron band and away from the half-filled band. The scaling laws of the charge and spin gaps with the dimerization parameterΔ and the repulsive interaction strength U are obtained.