The 4s~24p~3—4s4p~4 transition in Cd ⅩⅥ

The available experimental energies for the 4s~24p~3 and 4s~4p~4 configurations in As Ⅰ—like Sr Ⅵ—Ag Ⅹ Ⅴions are compared with the values calculated using the Hartree—Fock method including configuration interaction and relativistic corrections. Some energy values of the 4s~24p~3 configuration in Rh Ⅹ Ⅲ、Pd Ⅹ Ⅳ and Ag Ⅹ Ⅴ ions are improved and all the energies、wavelengths and transition probabilities of the 4s~24p~3—4s4p~4 transition array in Cd Ⅹ Ⅵ are presented.     

NH4H2PO4和ND4D2PO4晶体微结构的拉曼光谱研究

本文利用偏振拉曼光谱和第一性原理, 对磷酸二氢铵(NH₄H₂PO₄, ADP)和不同氘含量磷酸二氢铵DADP晶体的晶格振动模式进行了研究. 实验测得了不同几何配置、200–4000 cm^-1范围的偏振拉曼光谱, 分析在不同氘含量条件下921 cm^-1和3000 cm^-1附近拉曼峰的变化. 在ADP晶体中, 基于基本结构单元NH₄⁺ 和H₂PO₄^-基团的振动模, 用第一性原理进行了数值模拟, 进一步明确拉曼峰与晶体中原子振动的对应关系; 通过洛伦兹拟合不同氘含量DADP晶体的拉曼光谱中2000–2600 cm^-1处各峰的变化讨论了DADP 晶体的氘化过程, 结果表明氘化顺序是先NH₄⁺ 基团后H₂PO₄^-基团, 研究结果为今后此类材料的生长和性能优化奠定了基础.     

The Mechanical Properties of V-4Cr-4Ti in Various Thermo-mechanical States

V-4Cr-4Ti is the leading candidate vanadium alloy as structural material of a V-Li blanket. Due to the interaction between Ti and interstitial solutes of C, N, and O, precipitation occurs at 600--700℃, increases the alloy strength significantly but reduce its ductility. As the ductility reduction is in an acceptable level, the strengthening might be utilized for the components that are subjected to high stress levels. Although cold work （CW） is known as an effective way to strengthen an alloy, so far few reports were found on strengthening a vanadium alloy by cold rolling.     

基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的喇曼光谱

本文研究了基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的喇曼光谱.用群论方法分析了它们的内、外振动模式,对实验振动模进行了指认.本文还将上述喇曼光谱与Na5Eu(WO4)4、CaWO4、SrWO4、CaMoO4和SrMoO4的喇曼光谱进行了比较,Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的喇曼光谱结果表明(MoO4)2-离子团的高能量拉伸内振动是产生Eu3+的5D2→5D1,5D1→5D0-多声子无辐射弛豫的原因,这导致了Eu3+在这类材料中主要产生5DO→7Fj的发光跃迁.     

SrFeO4的不稳定性研究

为了解SrFeO_4在干燥环境中的不稳定性,本文采用恒流放电、X-射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(IR)等测试手段研究了SrFeO_4在放置不同时间后的放电性能和结构性质。恒流放电结果显示,SrFeO_4的放电性能随着其放置时间的延长而迅速降低;XRD、IR等结果显示SrFeO_4样品在干燥环境中放置时会分解生成无定形的低价态铁盐。     

Na5Eu(WO4)4单晶的光学性质研究

本文测定了Na5Eu(WO4)4单晶的吸收光谱,荧光寿命和荧光分支比,并计算了5D0→7FJ,的辐射跃迁几率、量子效率和发射截面。     

Photoluminescence Characteristics of Ca4LaNbMo4O20∶ Pr3+

采用高温固相法成功制备出荧光粉Ca4 LaNbMo4O20∶Pr3+,通过X射线衍射分析了样品的结构,其结构与CaMoO4结构相似.在Ca4LaNbMo4O20∶Pr3+的激发光谱中出现了NbO43-和MoO43-的电荷迁移(CTS)吸收和Pr3+离子的4f→4f5d激发跃迁,以及Pr3+-金属离子的价间电荷迁移(IVCT)吸收;另外在420～520 nm处,还观测到属于Pr3+离子的典型f-f激发跃迁.发射光谱中,在452 nm激发下,主要出现绿光和红光两种发射,其峰值位于490 nm和607 nm处,分别是Pr3+的3 P0→3 H4和1D2→3H4的跃迁作用;在紫外287 nm激发下出现NbO43-和MoO42-发射和Pr3+离子的4f5d→4f跃迁宽带,以及Pr3+离子的4f→4f发射蜂.     

Bi4-xLax Ti3O12-SrBi4-y Lay Ti4O15共生结构铁电材料拉曼光谱研究

在常温下 ,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4 -xLaxTi3O1 2 _SrBi4 -yLayTi4 O1 5[BLT_SBLT(x y) ,x y =0 0 0 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5 ,1 5 0 ]进行了拉曼光谱研究 .结果表明 ,在掺杂量低于 0 5 0时 ,La只取代类钙钛矿层中的Bi,当掺杂量高于 0 5 0后 ,部分La开始进入 (Bi2 O2 ) 2 层 .La取代 (Bi2 O2 ) 2 层中的部分Bi以后 ,(Bi2 O2 ) 2 层结构发生变化 ,原有的绝缘层和空间电荷库的作用减弱 ,导致材料剩余极化下降 .La掺杂量增至 1 5 0时 ,样品出现弛豫铁电性 ,这与 30cm- 1 以下模的软化相对应 ,说明La掺杂可引起材料的结构相变     

A Newly Developed Non-destructive Tritium Measurement Technique and Its Application to a V-4Cr-4Ti Alloy

Several evaluation techniques of tritium in material have been developed so far, such as imaging plate method or electrochemical etching and thermal desorption analysis, as well as conventional β-ray counting. For the latter, its detectable depth is usually limited to a very thin surface region, for example, about 1μm depth for organic and 0.1 μm for metallic materials owing to the shallow escape depth of tritium β-rays.     

Li_4SiO_4陶瓷小球水解吸行为实验研究

采用程序升温热解吸(TPD/TDS)方法对Li4SiO4陶瓷小球的水解吸行为进行了实验研究。结果表明:水解吸过程中主要存在四个解吸峰;其中100℃附近的峰可解释为物理吸附水;150,250,400℃附近的峰可分别解释为以氢键、Li-OH和Si-OH配位键形式存在的化学吸附水。氚的释放与水的解吸几乎同步进行,且氚的释放形式主要为氚水(HTO),据此推测,氚水可能存在三种释放机制:(1)-OT+H2O→-OH+HTO;(2)-OH+-OH→H2O,-OT+H2O→-OH+HTO;(3)-OT+-OH→HTO。     

4H-SiC MOSFET的温度特性研究

对4HSiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究,总结了器件的结构参数对特性的影响,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系,模拟结果表明4HSiCMOSFET具有优异的温度特性,在800K下可以正常工作 关键词： 4H-SiC MOSFET     

溶胶凝胶法合成CaYAlO_4∶Mn~(4+)红色荧光粉及其荧光性能研究

采用溶胶凝胶法合成CaYAl_(1-x)O_4∶xMn~(4+)红色荧光粉,用差热热重分析仪(DSC-TGA)、X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)以及荧光分光光度计对荧光粉进行结构和性能的表征,研究合成温度、反应时间及Mn~(4+)掺杂浓度对CaYAl_(1-x)O_4∶xMn~(4+)发光性能的影响。研究结果表明,在335 nm光激发下,荧光粉发射660~780 nm范围的红光,归属于Mn~(4+)的~2E_g→~4A_(2g)能级跃迁。在712 nm光监测下,样品呈现两组激发宽峰,分别归属于Mn~(4+)离子的~4A_(2g)→~4T_(1g)(335 nm)和~4A_(2g)→~4T_(2g)(475 nm)能级跃迁。当煅烧温度为1 200℃、反应时间为6 h和Mn~(4+)的掺杂摩尔分数为0.5%时,CaYAl_(1-x)O_4∶xMn~(4+)的发光强度最大。     

补体4的免疫共振散射光谱分析

在pH 7.3 Na₂HPO₄-KH₂PO₄缓冲溶液中及聚乙二醇-6000存在下,补体4(C4)与羊抗人补体4(goat anti-human C4)通过库力引力、范德华力、氢键结合力、疏水等作用力发生免疫反应,可聚集形成疏水的免疫复合物微粒,该微粒在350,390,440 nm有3个共振散射峰。激光散射法测得免疫复合物微粒的平均粒径为3 440.0 nm。分别研究了pH、羊抗人补体4和PEG浓度、温育时间和温度、共存物质的影响。在最佳条件下,补体4(C4)浓度在0.18～2.60 μg·mL-1范围内与350,390 nm处的散射强度均呈线性关系,其回归方程、相关系数、检出限分别为ΔI_{350 nm}=28.23c+9.17,ΔI_{390 nm}=31.36c+11.08, 0.993 9,0.992 3, 0.084 μg·mL-1,0.11 μg·mL-1。该法用于分析人血清中补体4(C4),结果与免疫透射比浊法结果一致,相对标准偏差在1.88%～4.36％,具有简便快速、灵敏度高、选择性好等特点,在临床检验上具有一定的应用价值。     

m-BiVO_4与t-BiVO_4的电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,计算了单斜m-BiVO_4与四方t-BiVO_4的电子结构和光学性质.计算结果表明:m-BiVO_4为间接带隙半导体,禁带宽度为2.171 e V,t-BiVO_4为直接带隙半导体,禁带宽度为2.644 e V;m-BiVO_4与t-BiVO_4均可吸收紫外光及可见光,m-BiVO_4还可以吸收部分红外光.     

W和Si使基质发光材料NaEu(MoO4)4发光增强的现象

本文研究了基质发光材料Na5Eu(MoO4)4制备过程中加入H2WO4或SiO2后发光增强的现象.对Na5Eu(Mo1-xWxO4)4体系,当0x=0.033时,增强达约30%.对Na5Eu(MoO4)4-SiO2体系,当Si与(Si+Mo)的摩尔数比y在0y=0.028时,增强达约50%.     

B位等价掺杂SrBi4Ti4O15铁电材料的性能研究

采用了传统的固相烧结工艺,制备了不同Zr和Hf掺杂量的SrBi₄Ti_4-xZr_xO₁₅（x=000,003, 006,010,020）和SrBi₄Ti_4－xHf_xO₁₅（x=000,0005, 0015,0030,0060）的陶瓷 关键词： 4Ti_4-xZr_xO₁₅')" href="#">SrBi₄Ti_4-xZr_xO₁₅ 4Ti_4－xHf_xO₁₅')" href="#">SrBi₄Ti_4－xHf_xO₁₅ 铁电性能 介电性能     

Theoretical Analysis of Structures of Ga4N4 Clusters

The structures and energies of a Ga4N4 cluster have been calculated using a full-potential linear-muffin-tin-orbital molecular-dynamics (FP-LMTO MD) method. We obtained twenty-four structures for a Ga4N4 cluster. The most stable structure we obtained is a C8 three-dimensional structure, the energy of which is lower than that of the C2v symmetry structure proposed by Kandalam et al. [J. Phys. Chem. B106 (2002) 1945] The calculated results show that the isomer with an N3 subunit is preferred, supporting the previous result made by Kandalam et al,We found that the most stable structure of Ga4N4 clusters presented semiconductor-like properties through the calculation of the density of states.     

高压下Na5Tb(WO4)4单晶的光谱

研究了Na5Tb(WO4)4单晶的高压发光规律,化学计量的Na5Tb(WO4)4基质发光单晶的发光来源于基质中高浓度Tb3+.用金刚石对顶砧显微光谱系统在0-4GPa范围内研究了Na5Tb(WO4)4的室温高压光谱,确定了各发射谱线的高压移动率.对Tb3+的5D4→7Fj(j=0,1,2,3,4,5),测到18条谱线高压移动率中除一条(5D4→7F2,常压峰值15509cm-1)蓝移外,都红移,红移率最大为-19.5cm-1/GPa(对应谱线5D4→7F4,常压峰值16876cm-1),与Tb3+在其它基质中相比,此移动率很大.     

Na_5Eu(WO_4)_4,Na_5Eu(MoO_4)_4和NaEu(MoO_4)_2的振动光谱和Eu~(3+)的~5D_1和~5D_2荧光发射的猝灭

测量了高稀土浓度化学计量基质发光材料Na_5Eu(WO_4)_4,Na_5Eu(MoO_4)_4和NaEu(MoO_4)_2的拉曼和红外光谱。用位置群分析法分析了它们的品格振动模式的对称性分类,并参照有关白钨矿结构材料的结果,对它们的实验振动模确定了归属。这些材料的高能振动模来源于(WO_4)~(2-)或(MoO_4)~(2-)的内拉伸振动,由二个或三个这样的高能声子产生的无辐射弛豫猝灭了Eu~(3+)的~5D_1和~5D_2发射。