晶体熔化和凝固实验的改进

对晶体熔化和凝固实验的实验装置和加热方式进行了改进，提出了控制实验时间的方法。     

基于用D I S系统对晶体凝固和熔化的研究

本文采用D I S数字化信息系统对晶体的熔化与凝固实验进行了研究. 在按照初中物理教材的实验安 排, 用海波水浴加热法测量晶体的熔化曲线的基础上, 本文做了两个改进, 一是选择用水替代海波, 先让水凝固成 冰, 然后再利用空气浴法让冰在空气中自然熔化, 从而测量冰的凝固与熔化过程温度 时间曲线( 即凝固曲线和熔 化曲线) , 全程观察冰的凝固与熔化过程其温度及状态的变化; 二是采用D I S温度传感器来替代液体温度计人工测 量温度, 实时记录了冰的凝固曲线和熔化曲线. 实验结果表明, 采取上述改进后, 既提高了该实验的准确性、 可靠性 和直观性, 也增强了实验的说服力     

萘的熔化和凝固实验的改进

针对萘熔化和凝固实验的不足,采用了在萘中掺入金属丝的方法使萘均匀传热,并用热电传感器控制实验温度,得到了萘熔化和凝固过程温度随时间变化的数据,较好地反映了晶体的熔化和凝固规律.     

传感器在固体熔化凝固实验中的运用

基于固体的熔化和凝固实验的传统做法,结合现代测量技术对其进行了改进,对晶体海波和非晶体石蜡的熔化和凝固进行了全程监控,取得了很好的实验效果并节省了实验时间,提高了实验的准确性.     

探究物质的熔化和凝固的实验改进

物理实验是学生感受物理思想、领悟物理科学精髓的最主要、最有效的途径之一,让全体学生参与并自主完成相关物理实验是教材编撰者及物理教师的努力目标,《物理》八年级上册第二章第3节"熔化和凝固中探究熔化和凝固的特点"是初中物理教学中比较难做的实验之一,许多教师都把这个实验改成了演示实验.原因是该实验的目的是使学生通过     

晶体熔解和凝固实验的小改进

将一团蓬松的细铁丝或铜丝先放到试管的底端,以增加海波的导热性能,使海波在48℃开始熔解,直到全部熔解温度仍保持48℃.     

“熔化和凝固”说课稿

如何说课是很多教师关心的问题,文章从教材分析、教学目标、教学重点和难点、教学准备、学情、教法与学法、教学过程、板书设计几个方面来阐述"熔化和凝固"这节课.     

细节决定成败——谈晶体的熔化和凝固实验中应注意事项

“晶体的熔化和凝固”在初中物理实验教学具有重要的地位,但是做起来难以成功;其主要原因是,萘本身的导热性不强,且萘粉颗粒之间充满空气,而空气也是热的不良导体,致使真实的熔化过程是从外到内进行的．经常出现的情况就是当外层萘熔化完成,温度高于80℃时,内层萘尚处于固态,温度低于80℃．凝固过程也类似;     

晶体熔化实验的一种新设计

介绍了用冰做晶体熔化实验的新方案．     

MEAM势与Tersoff势比较研究——碳化硅熔化与凝固行为

运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM 势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、 Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的体熔点(4250 K)比Tersoff势(4750 K) 的要高.表面熔化时,两种势函数描述的SiC在相同的过热度下熔化速度相近;而在相同的温度条件下,MEAM 作用的SiC表面熔化速度更快.这是由于MEAM势SiC的热力学熔点(3338 K)低于Tersoff势SiC的热力学熔点 (3430 K)的缘故.两种势函数作用的SiC在晶体生长方面差异很大.MEAM势SiC的晶体生长速度与过冷度有关, 过冷度约为400 K时晶体生长速度最快.但Tersoff势SiC晶体却在过冷度为0—1000 K的范围内均不能生长. 综合考虑,MEAM势比Tersoff势能更好地描述碳化硅的熔化和凝固行为.     

定向凝固单晶冰的取向确定与选晶

基于六方冰晶偏振光学特性,定义了用于确定冰晶晶体取向的三个参数:光轴倾角α,消光角β和与冰晶基面(0001)面内晶体学择优方向1120与温度梯度的夹角γ,提出了定量判定冰晶晶体取向的理论基础,并在定向凝固平台上采用偏光显微镜成功实现了冰晶晶体取向的精确主动控制,获得了任意取向的单晶冰.本文成功解决了冰晶的定向凝固晶体取向确定和选择的难题,为冰晶生长过程中相关理论问题的研究提供了有效的途径.     

晶体和非晶体导热性能比较实验的探讨

针对晶体与非晶体导热性能比较实验成功率不高的问题进行研究,给出了典型材料的对比实验结果,并深入探讨了影响实验的关键因素,同时对新课程中的实验研究进行了分析和反思.     

液晶棱镜双折射实验

介绍了液晶棱镜盒的制作及利用其测试液晶双折射的实验方法.这种棱镜盒的2片梯形透明导电玻璃的重合部分为等边三角形.不加电场时,液晶盒不是光学各向异性的单轴晶体,没有双折射现象,只能观察到散射现象;在电极上施加电压使液晶垂面排列,液晶盒成双折射单晶,利用三棱镜最小偏向角原理测试液晶双折射率.     

KTN晶体及其熔体结构的高温拉曼光谱研究

测量并研究了不同温度(室温—1573 K)范围内KTN晶体的拉曼光谱及其熔体的高温拉曼光谱,分析了KTN晶体结构随温度变化的规律及其熔体的结构特征.随着温度的升高,KTN晶体的拉曼光谱谱峰都不同程度地向低波数方向移动,同时存在不同程度的展宽,并伴随强度的减弱.观察并解释了温度353 K附近KTN晶体样品的四方—立方转相现象.研究了KTN晶体拉曼光谱中538cm^-1,585cm^-1,835cm^-1和877cm^-1谱峰及其 关键词： 高温拉曼光谱 熔体 KTN晶体     

基于相位硅基液晶的光衍射演示实验

计算虚拟物体的衍射光场相位分布,然后加载到相位硅基液晶器件,利用平行光照射硅基液晶器件,可在光屏上看到虚拟物体的实像.根据相位硅基液晶的采样间隔,计算出虚拟物体的采样间隔,可预计虚拟物体大小.演示结果表明:处于菲涅尔衍射区域,衍射图像清晰,亮度高;而夫琅禾费衍射区的衍射图像虽然清晰,但比较暗淡.     

The melting and solidification of nanowires

A mathematical model is developed to describe the melting of nanowires. The first section of the paper deals with a standard theoretical situation, where the wire melts due to a fixed boundary temperature. This analysis allows us to compare with existing results for the phase change of nanospheres. The equivalent solidification problem is also examined. This shows that solidification is a faster process than melting; this is because the energy transfer occurs primarily through the solid rather than the liquid which is a poorer conductor of heat. This effect competes with the energy required to create new solid surface which acts to slow down the process, but overall conduction dominates. In the second section, we consider a more physically realistic boundary condition, where the phase change occurs due to a heat flux from surrounding material. This removes the singularity in initial melt velocity predicted in previous models of nanoparticle melting. It is shown that even with the highest possible flux the melting time is significantly slower than with a fixed boundary temperature condition.