高压热处理对铝青铜热物理性能的影响

在5 GPa压力下对铝青铜进行750℃、保温15 min的高压热处理,对高压热处理前后铝青铜的电导率以及25～600℃温度范围内的热扩散系数、热容和热导率进行测试,结合显微组织的观察结果,探讨了高压热处理对铝青铜热物理性能的影响。研究表明:高压热处理能增大铝青铜的热扩散系数,减小热容;对热导率而言,温度低于400℃时高压热处理能增大铝青铜的热导率,而温度高于400℃时高压热处理能减小铝青铜的热导率。分析认为,产生变化的主要原因是高压热处理使铝青铜的微观组织发生了变化。     

热处理温度对MgB2超导材料的超导电性及微观结构的影响

采用粉末烧结方法在不同温度（650℃，700℃，750℃，800℃，850℃，900℃）制备了MgB2超导块材．采用X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）研究了热处理温度对MgB2超导材料的成相及微结构的影响．采用磁化法测定不同温度制备MgB2超导材料的超导电性．结果显示热处理温度对MgB2超导材料的晶粒尺寸、形状和超导电性有明显影响，700℃制备的MgB2超导体具有最高的临界电流密度和最好的磁通钉扎特性，细小的晶粒尺寸是样品磁通钉扎特性改善的原因．     

喷射成型FGH4095静态再结晶组织特征

为了研究喷射成型FGH4095高温合金经热等静压、近等温锻后固溶热处理的组织特征,采用喷射成型高温合金,经1170℃,120 MPa,3 h热等静压和75%压缩量的近等温锻,经1120℃,1140℃,1160℃保温10,20,40 min固溶热处理,再经油淬后研究其再结晶过程及晶粒尺寸、析出相的变化规律.结果表明,固溶温度强烈影响静态再结晶过程及固溶后的组织.在1120℃下固溶20 min,由于区域化的不完全再结晶,可形成项链组织;1140℃下固溶40 min可基本完成再结晶,并得到细化的再结晶组织,平均晶粒尺寸约为8μm;1160℃下固溶10 min即可基本完成再结晶,晶粒尺寸长大到约18μm.     

FePt薄膜中磁相互作用

采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)衬底上制备了纳米结构的Fe₅₃Pt₄₇薄膜，并研究热处理后薄膜中的磁相互作用、晶粒尺寸与热处理温度的关系.经400℃热处理后，FePt薄膜中有明显的面心四方相形成，薄膜表现出硬磁性，晶粒尺度在20 nm，薄膜内部存在软硬磁交换耦合作用；随着热处理温度升高，硬磁相含量增加.同时由于FePt薄膜的晶粒长大，部分软硬磁晶粒之间的交换耦合作用失效；600℃热处理后，FePt的面心立方相已经完全转变为面心四方相，薄膜矫顽力由硬磁相之间的静磁作用贡献. 关键词： 磁性薄膜 纳米晶 磁性能 热处理     

微米晶单斜氧化锆高压相变制备亚微米四方多晶氧化锆

高压相变已逐渐发展成为一种制备纳米/亚微米多晶陶瓷块体材料的有效方法。高压可以抑制原子的长程扩散进而抑制晶粒长大,高压下截获的新相不受初始材料晶粒尺寸的制约,通过热力学调控可以得到晶粒尺寸更小的多晶块体材料。陶瓷材料在特定热力学条件下通常会发生相变,新相的形成要经历形核、生长的过程。采用晶粒尺寸为2μm的单斜ZrO2与晶粒尺寸为50 nm的Y2O3以97:3的摩尔比混合,在5.5 GPa、800～1700℃温压区间内对初始材料进行烧结,采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对所得样品进行表征。研究结果表明:高压下截获了单斜相和亚微米四方相复合的多晶ZrO2块体材料,1200、1400、1600和1700℃温度下获得的四方相的平均晶粒尺寸为(145±62) nm、(246±165) nm、(183±62) nm和(245±107) nm。利用高压相变以微米晶制备细晶粒多晶块体材料,可以避免常规方法中以纳米粉末为初始材料制备细晶粒多晶块体材料存在的团聚、吸附及晶粒长大的问题,进而发展一种以微米晶为初始材料通过高压相变制备高性能细晶粒多晶块体材料的方法。     

热处理温度对碳掺杂MgB_2/Nb/Cu超导线材性能的影响

采用Nb/Cu复合管作为外包套材料,通过原位法粉末装管工艺(PIT)制备了C掺杂MgB2/Nb/Cu线材.在高纯流动氩气保护条件下、650～950℃温度区间内烧结2h.微观结构分析显示,通过该工艺制备的MgB2/NbZr/Cu线材具有良好的晶粒连结性和较高的致密度.X射线衍射(XRD)分析表明在750℃左右可以生成纯度较高的MgB2相,在低温和高温下烧结后均有杂相峰出现,并且高温烧结后所生成的相结构较为复杂.采用四引线法超导临界电流的测试结果表明,低温烧结后的线材具有超导电流传输性能,而当热处理温度超过750℃时,样品中的电流传输状态表现为正常电阻态.实验结果证实采用Nb作为原位法MgB2超导线材的包套阻隔层时,成相热处理一般应该在低于750℃的温度下进行.     

热处理温度对MgB2超导材料的超导电性及微观结构的影响

采用粉末烧结方法在不同温度(650℃,700℃,750℃,800℃,850℃,900℃)制备了MgB2超导块材.采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了热处理温度对MgB2超导材料的成相及微结构的影响.采用磁化法测定不同温度制备MgB2超导材料的超导电性.结果显示热处理温度对MgB2超导材料的晶粒尺寸、形状和超导电性有明显影响,700℃制备的MgB2超导体具有最高的临界电流密度和最好的磁通钉扎特性,细小的晶粒尺寸是样品磁通钉扎特性改善的原因.     

高压下尼龙1010-单壁碳纳米管复合材料的结晶行为

 采用XKY-6×1200MN型六面顶压机,在不同温度、压力条件下处理30 min后制备了尼龙1010(PA1010)-单壁碳纳米管（SWCNT）复合材料的高压结晶样品,通过X射线衍射（XRD）、差热分析仪（DSC）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）,研究了高压处理样品的结晶行为、结构变化及形貌特征。结果表明：在1.0~2.5 GPa压力下,属于高压熔体结晶;在3.0和4.5 GPa压力下属于高压退火处理;高压结晶或高压退火均有助于聚合物片层晶体的增厚,并且高压熔体结晶的增厚效果优于高压退火处理。XRD结果表明,PA1010的三斜晶型在高压处理后保持不变,高压熔体结晶或高压退火都可以使(100)晶面和(010)晶面间距减小,即高压处理致使聚合物分子链紧密堆积。DSC结果表明：在高压熔体结晶过程中,升高压力和温度可以得到片层厚度较大的PA1010晶体;在2.0 GPa、350 ℃下获得的高压结晶样品的熔点和结晶度最高,分别达到208.5 ℃和64.6%。SEM和TEM结果表明：与常压结晶样品相比,高压结晶样品内部出现c轴厚度超过150 μm的大尺寸晶体;SWCNT与PA1010基体之间形成相互穿插的网络结构,刚性的SWCNT作为高压成核剂促进PA1010晶体生长和增厚。     

LiIO_3多型性相变的进一步研究

本文用差热分析、恒温热处理、X射线衍射等方法,对LiIO_3在常压的相变过程做了进一步的研究。对于LiIO_3的常压相变机制有了较为详尽的了解 。并发现LiIO_3在高温可相对稳定存在三个相:β,η和δ,它们可分别自行熔化,其熔点相应为:432℃,421℃和416℃,从它们的热经历和存在的温度范围,表明其稳定性顺序为β>η>δ。在室温干燥空气中,与α相和β相共存的还有相,相升温放热转变为β相。在α相存在的温区里,相经过长时间热处理并不转变为α相,同时,相转变为β相的温度比α相高。与α→β的情况相同,β对→β也有诱导作用。而且的存在对α→β也有促进作用。θ相(θ_1与θ_2)与γ相一样,是相变过程的中间过渡相。     

高压下ZnO超快极性扩散过程研究

 利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等手段,研究了在5 GPa 压力下六方ZnO粉末的结晶过程。系统考查了温度与保温时间对ZnO扩散与结晶过程的影响。结果发现,在高压下ZnO固体的扩散速度大大增加,400 ℃保温0.5 h即可获得理论密度达99%以上的单相、致密的六方相ZnO陶瓷,所有样品均沿晶界开裂,并导致500 ℃以上只能获得单晶与多晶混合的粉末样品;850 ℃保温5 min可制备出平均尺寸超过100 μm、最大尺寸超过350 μm的浅黄色单晶。对实验结果的分析表明：ZnO固体在高压下可能存在一种超快极性扩散机制,这一效应使高压下的ZnO晶粒沿择优方向迅速生长,晶界快速迁移,相邻晶粒生长融合,最后形成单晶;而晶粒在生长过程中沿其它方向发生收缩,促使样品沿晶界开裂。     

Pressure Effects on Solid State Phase Transformation of Aluminium Bronze in Cooling Process

Effects of high pressure （6 CPa） on the solid state phase transformation kinetic parameters of aluminum bronze during the cooling process axe investigated, based on the measurement and calculation of its solid state phase transformation temperature, duration and activation energy and the observation of its microstructures. The results show that high pressure treatment can reduce the solid phase transformation temperature and activation energy in the cooling process and can shorten the phase transformation duration, which is favorable when forming fine-grained aluminum bronze.     

高压处理对Cu75.15Al24.85合金组织与电阻率的影响

本文借助金相显微镜, XRD, SEM和DSC等手段对Cu_75.15Al_24.85合金经1-5 GPa压力, 750℃保温15 min处理前后的组织结构进行了分析,并用电阻率测试仪对合金的 电阻率进行测试,以此探讨了高压处理对Cu_75.15Al_24.85合金组织与电阻率的影响. 结果表明:高压处理能细化Cu_75.15Al_24.85合金的组织,增大合金的电阻率, 当压力为3 GPa时,该合金获得的组织最细小,电阻率最大.     

Influence of pressure on the solid state phase transformation of Cu-Al-Bi alloy

The solid state phase transformation of Cu-Al-Bi alloy under high pressure was investigated by x-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy and transmission electron microscopy. Experimental results show that the initial crystalline phase in the Cu-Al-Bi alloy annealed at 750℃ under the pressures in the range of 0-6 GPa is α-Cu solid solution (named as α-Cu phase below), and high pressure has a great influence on the crystallisation process of the Cu-Al-Bi alloy. The grain size of the α-Cu phase decreases with increasing pressure as the pressure is below about 3 GPa, and then increases (P 3 GPa). The mechanism for the effects of high pressure on the crystallisation process of the alloy has been discussed.     

氧化硅（Si3N4）—稀土氧化物陶瓷的超高压烧结研究

 在5~7 GPa，600~1 800 ℃的压力-温度范围内对组份为氧化硅-稀土氧化物微粉混合物（3α-Si₃N₄+0.5La₂O₃+0.5Pr₆O₁₁（mol.%））的烧结产物进行了研究。所得结果表明其成相规律与Sialon体系在高温高压下烧结时不同。在直到5 GPa的高压下，α-Si₃N₄表现出相当高的稳定性，并不转变成β相。当烧结温度低于1 600 ℃时，烧结体仍然由以α-Si₃N₄为基础的固溶体及稀土氧化物组成，而后者则表现出一系列相变化。当压力超过6 GPa、温度高于1 600 ℃时，物料烧结成一个新的单相高压结构ReSi₃O₂N₄。其衍射数据可以用一个正交点阵来拟合。其晶格参数为：a=1.298 3 nm，b=0.814 0 nm，c=0.428 5 nm。     

一种新的恶二唑衍生物在金刚石对顶砧中的电阻率随压力和温度的变化关系

利用金刚石对顶砧测量了恶二唑衍生物微晶, 1,4-bis[(4-methyloxyphenyl)-1,3,4-oxadiazolyl]- 2,5-bisheptyloxyphenylene (OXD-2), 电阻随压力和温度的变化关系，并利用有限元分析方法计算了样品的电阻率。实验中，测量压力和温度达到了16 GPa和150℃。样品的电阻率随着温度的升高而降低，说明样品表现出半导体传导特性。在90-100 ℃之间，样品的电阻率有一明显的下降，说明这时发生了温度诱导的相变。随着压力的增加，样品的电阻率在6GPa左右达到最大值，此后随着压力的增加而下降。结合原位x光数据，在6GPa左右的电阻突变应该是由于样品在压力的诱导下发生了无序化的相变。     

Changes in the crystalline structure of chlorpropamide at high pressures and temperatures

The crystalline structure of chlorpropamide is studied by the X-ray diffraction method at high pressures up to 4.2 GPa and in the temperature range 300–450 K. At normal pressure and upon heating to its melting point T = 396 K no phase transitions are found in chlorpropamide. When the initial α form of chlorpropamide is recrystallized, the appearance of a polymorphic ε phase is observed. After recrystallization, the high pressure effect causes partial amorphization of chlorpropamide at pressures of P ～ 3 GPa. Baric and temperature coefficients are obtained for the α and ε forms of chlorpropamide.     

压力及高压增氧对La2-xSmxCuO4结构及输运性质的影响

 对常压、高压、高压增氧条件下合成的La_2-xSm_xCuO₄（0≤x≤2.0）结构进行了研究。常压合成样品清晰地反应出样品由T→T+T′→T′相的变化，其中，T相：0相似文献   

静高压下Al-Mn准晶形成及其结构稳定性的研究

 静高压（4.5 GPa）下Al₆Mn合金熔态淬火（冷却速度约为10² ℃/s），得到Al₆Mn合金的高压淬火样品。X射线分析表明：Al₆Mn合金的高压淬火样品中含有准晶二十面体相、Al₆Mn相及Al的面心立方相；与常压结果相比，高压淬火方法的冷却速率可比常压的低约3个数量级的条件下产生准晶二十面体相。其晶化温度与急冷甩带的相近。对静高压（2.5 GPa）下Al₆Mn准晶条带样品的晶化过程进行了研究。X射线分析表明：静高压下Al₆Mn准晶条带样品的晶化过程中，出现了一种新的未知亚稳相——准晶向晶体转化中的一种中间过渡态，具有类T相形式；与常压结果比较，高压下准晶相晶化温度提高。