含磷杂环化合物的光电子谱能和质谱研究（Ⅰ）

本文用光电子谱和质谱方法研究了七种新合成的含磷杂环化合物。     

锡,锗化合物的光电子能谱和质谱研究

用光电子能谱（ＸＰＳ）和质谱（ＭＳ）分别研究了９种锗，锡的化合物Ｇｅ３ｄ，Ｓｎ３ｄ轨道电子结合能化学位移与其所处不同化学环境的关系。着重讨论了取代基团电负性对Ｇｅ３ｄ，Ｓｎ３ｄ结合能化学位移的影响。     

有机锡化合物的光电子能谱研究

本文研究了五种有机锡化合物的光电子能谱图，讨论了影响锡原子内层ｄ轨道电子结合能化学位移的几种因素，比如，取代基的影响，基团电负性的影响。     

有机锡化合物的光电子能谱和质谱研究Ⅲ

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ）和质谱（ＭＳ）研究了１２种有机锡化合物。通过ＸＰＳ和ＭＳ讨论了化合物中取代基对锡内层电子的影响及对ＳｎＯ键的影响。结果表明ＸＰＳ和ＭＳ对有机锡化合物某些化学键性质的讨论具有互补性。     

有机锡化合物的光电子能谱（XPS）和质谱（MS）研究Ⅱ

本文报道了７种新合成的（Ｚ）－１－（２－（三芳基锡）乙烯基）－１－环庚醇有机锡化合物的ＸＰＳ和ＭＳ结果，通过ＸＰＳ讨论了化合物中不同取代基的存在，对锡内层电子的影响及取在对Ｏｈ结合能化学位移的作用，结果表明，卤素在这里起着得要的作用，通过ＭＳ和ＸＰＳ讨论了不同取代基对Ｏ→Ｓｎ键的影响。     

杂多阴离子柱撑水滑石层柱相互作用的光电子能谱研究

本文用Ｘ－光电子能谱仪对二十二种同多和杂多阴离子柱撑水滑石层和柱中元素电子结合能的化学位移进行了研究。同时通过ＩＲ，ＸＲＤ的分析，对ＸＰＳ结果的讨论提供了一定的补充，探讨了同层不同柱，同性不同层的ＰＯＭ－ＬＤＨＳ的层柱相互作用机理。     

碘杂环类化合物的13C NMR谱研究

合成了一系列含不同杂原子的3,6二硝基二苯并六元碘杂环类化合物,应用¹³C-¹H COSY谱对它们的¹³C NMR谱峰进行了归属,讨论了杂原子及碘离子对谱峰的影响情况.     

卟啉化合物荧光性能的取代基效应研究

研究了12种四芳基卟啉化合物荧光性能的取代基效应.结果表明,卟啉化合物的苯基上供电子取代基能增加卟啉的荧光强度,而吸电子取代基作用相反;荧光强度随着卟啉的苯环上取代基卤素原子量的增加而降低;此外,荧光强度还与卟啉的苯环上取代基的取代位置有关.     

1—(4—吡啶甲酰)—4—芳基氨基硫脲类和3—(4—吡啶基)—4—芳基—1,2,4—三唑啉—5—硫酮类化合物~(13)C—NMR谱研究

本文测定了新合成的,具有生理活性的1-(4-吡啶甲酰)-4 -苯基氨基硫脲,1-(4-吡啶甲酰)-4-对氯苯基氨基硫脲,1-(4 -吡啶甲酰)-4-对溴苯基氨基硫脲3-(4-吡啶基)-4-苯基-1,2,4,-三唑啉-5-硫酮,3-(4-吡啶基)-4-对氯苯基-1,2,4,-三唑啉-5-硫酮,3-(4-吡啶基)-4-对溴苯基-1,2,4-三唑啉-5-硫酮六个新化合物的~(13)C-NMR谱,并通过~(13)C-NMR谱中的宽带去偶,偏共振及APT技术,模型化合物对照,讯号强度对比及芳基取代基常数计算等方法,进行了上述化合物~(13)C-NMR谱峰的归属,并得到了甲酰肼基在吡啶环4位取代后对吡啶环各碳所产生的取代基效应.     

近场扫描光学显微镜和近场光谱学的进展

在简要评介近场扫描光学显微镜的工作原理和有关技术问题的基础上，着重介绍了近场光谱学的最新发展，并讨论了对近场光谱结果的分析问题。     

XPS investigation of a-Si : H thin films after light soaking

Amorphous hydrogenated silicon thin films prepared by homogeneous chemical vapour deposition have been studied. The Si2p, O1s and C1s electron spectra have been recorded after different light soaking times using repeated 100 mW/cm² white light illumination and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements. The change of the position and intensity of the Si2p peak has been observed after light soaking and is explained by the transformation of the Si–H bonds. The correlation between the micropore density in a-Si : H film and the binding energy of Si2p electrons is demonstrated.     

分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究

用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延(MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现红外分子束外延(RFMBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为物理吸附,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层,并形成一定的深度分布.杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动,光致发光谱出现宽带发光峰.从而影响GaN薄膜的电学和光学性质 关键词： GaN薄膜 X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 表面分析     

含羟基化合物的17O-NMR化学位移研究

在系统地归纳总结前人对含羟基化合物¹⁷O-NMR化学位移研究成果的基础上，按伯、仲、叔醇，i-R-OH型化合物(i-R表示与羟基直接相连的原子为非链状烷烃碳原子的取代基)及苯酚类等五大类，提出了计算含羟基化合物¹⁷O-NMR化学位移的公式：δ_cal=δ₀+∑a_iΔδ_i，并通过 线性回归法结合最小二乘法得到15种计算醇和羧酸中羟基¹⁷O-NMR化学位移时采用的取代基参数和23种计算 酚羟基¹⁷O-NMR化学位移时采用的取代基参数，计算结果分别以伯、仲、叔醇、i-R-OH型化合物四类140种化合物和60种酚类在化合物为样本点作回归检验，置信度均为99.5% ，计算误差Δδ小于5(相对误差小于0.5%)的¹⁷O-NMR化学位移计算值均在90 %以上.      

结晶紫和结晶紫母体的1H NMR溶剂效应的研究及与取代基常数间的关系

结晶紫和结晶紫母体在强有机酸中,其甲基峰都移向低场。在取代的芳烃溶剂中,甲基峰都移向高场,而且彼此间的化学位移有线性关系,并与Hammett取代基常数及改正的Hammett取代基常数间有线性关系。讨论了电子移动度的应用以及取代基常数σ与σ^-间的线性关系。     

高效节能挥发性有机物去除的实验研究

建立了空气中挥发性有机物去除的实验与测量系统,以甲醛、甲苯等为研究对象,分别进行了大量系统实验研究。结果表明,该实验装置对不同工况下甲醛的去除效果最好,一次去除率高达99％,氨次之,甲苯最低,采用空气循环处理或改进VOCs去除装置可大幅提高去除率。     

结晶紫和结晶紫母体的~1H NMR溶剂效应的研究及与取代基常数间的关系

结晶紫和结晶紫母体在强有机酸中,其甲基峰都移向低场。在取代的芳烃溶剂中,甲基峰都移向高场,而且彼此间的化学位移有线性关系,并与Hammett取代基常数及改正的Hammett取代基常数间有线性关系。讨论了电子移动度的应用以及取代基常数σ与σ~-间的线性关系。     

Sr1-xLaxTiO3的高温高压合成及XPS研究

 利用高温高压方法合成了有稀土元素La掺杂的钙钛矿氧化物Sr_1-xLa_xTiO₃。XRD测试表明，在x≤0.5时，样品基本为单相，呈立方相；晶胞体积随x的增加而增加，在x=0.4时开始减小。XPS测量发现，样品中存在Ti离子的变价。讨论了Ti离子价态的变化对晶格参数的影响。