集成湿热及蒸汽压力对塑封器件可靠性的影响

分析了湿热及蒸汽压力对塑封器件可靠性影响的研究现状;结合已有的研究方法,提出一种有限元直接集成湿热及蒸汽压力的分析方法,并以裸露焊盘塑封器件DR-QFN为例进行应用研究。结果表明,该方法能有效分析裸露焊盘塑封器件在湿热、蒸汽压力因素综合影响下的可靠性问题。在无铅回流焊过程中,蒸汽压力为2.5~4.5MPa,对器件可靠性影响很大。     

一种高频高压双极性功率器件的研究

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。     

高可靠性塑封器件质量控制措施

随着塑封器件高可靠性应用日益广泛,塑封产品的研制和生产需求不断增加。分析了塑封器件可能存在的热机械缺陷、腐蚀、爆米花效应,以及生产工艺中可能引入的封装、芯片粘接、钝化层等缺陷,从设计和工艺角度给出控制措施。介绍了国内外高可靠性塑封器件筛选、鉴定检验的典型流程及质量控制措施,用于在生产阶段剔除潜在缺陷的不合格品,保证产品具有高可靠性。     

塑封器件宇航应用的质量保证方法

由于技术进步的需要,航天器不可避免地遇到了选用不到高等级器件、而只能选用商用塑封器件的情况,商用塑封器件的质量保证方法是国内外宇航机构研究的热点问题。在分析商用塑封器件设计、生产特点的基础上,针对其特有的失效模式,给出了商用塑封器件的质量保证方法,为航天器应用商用塑封器件提供借鉴和指导。     

塑封器件可靠性快速评估的研究

本文采用ＰＣＴ试验方法ＳＤ１３００５型ＮＰＮ高反压大功率晶体管进行了加速寿命试验，发现ＢＶｃｅ０是其退化的最敏感参数。并利用自行研究开发的《微电子器个可靠性指标数据处理计算机软件》对试验数据进行统计分析，得知该的失效分布符合威布尔分布，同时评估了不同应力下产品的可靠性寿命特征，外推出１００％相对湿度时，曙下该产品的寿命特征。     

塑封微电子器件失效机理研究进展

塑封器件在现在的封装产业中具有无可比拟的优势,相关研究引起了人们广泛关注.简要介绍了塑封微电子器件的发展史,以及国内外塑封器件可靠性的研究现状.对塑封器件的主要失效机理研究进展进行深入探讨,如腐蚀、分层、开裂等,提出了几种提高塑封器件可靠性的措施.论述了用于塑封器件质量评估的试验方法,并展望了塑封器件在军工领域的潜在应用前景.     

中子辐照对双极器件电参数的影响

双极型晶体管在受到中子辐照之后,要引起电流增益和饱和压降的退化。本文主要分析:1.不同纵向参数的器件,电流增益在各个区域的退化程度,且与测试h_(FE)时的电流密度及h_(FEo)的关系;2.影响饱和压降变化的各种因素,结果表明电导调制宽度X_c的减小是引起饱和压降退化的主要原因;3.利用加固器件的辐照结果对寿命损伤常数K值进行了推算,由于K是杂质浓度的函数,不同区域K值不同。     

水汽或结构对塑封电子器件可靠性的影响研究

传塑封装微电子器件在回流焊时的可靠性是微电子行业内最关心的问题之一。当一个具有不良可靠性的微电子器件通过红外回流焊接炉最终被焊接在印刷线路板上时,就会发生诸如裂纹、脱层、鼓胀等致命的缺陷。长期以来,＂水汽作用＂理论认为造成回流焊失效的原因是：处于潮湿环境中的封装材料-模制化合物从空气中吸收水汽,并且水汽沿着塑封体以及塑封体与引脚的界面向内扩散;当回流焊时在快速加热引起的热应力的作用下导致水汽膨胀而引起器件失效。于是回流焊前的预烘干就成为防止失效的重要手段。在多年的工作经历中遇到了＂预烘干＂也不能避免回流焊失效的一些生产案例,但是用＂结构强度＂的观点去改进结构的方法却十分有效。因此,认为＂水汽理论＂可能是人类认识上的一个＂误区＂,而决定传塑封装微电子器件回流焊可靠性的首要因素应是＂结构强度＂。     

双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d B     

塑封集成电路分层研究

目前塑封集成电路的分层问题越来越受到半导体集成电路封装厂商以及整机厂商的关注和重视。文章对塑封集成电路的分层产生的机理和塑封表面贴装集成电路潮湿敏感度等级的认定作了介绍。另外,对几种主要的分层失效的标准作了详细解释和说明。文章对影响塑封表面贴装集成电路分层的主要因素进行了详细的分析和说明,并对三种不同封装形式塑封集成电路的吸湿和去湿过程进行了分析和研究,并给出了结论。最后文章就如何防止分层问题提出了相应的措施。     

高性能硅双极器件的发展

以ECL电路为主,讨论了硅双极器件近期的发展。简述了VLSI中ECL电路结构和性能之后,着重讨论双极器件的按比例缩小、结构的改进以及相关的工艺技术的发展,最后分析了双极器件的低温工作性能。     

美国高可靠领域塑封微电路技术分析

介绍了塑封微电路的优缺点以及美国航空航天局在高可靠领域使用塑封微电路的政策,分析了具体的筛选、鉴定检验、破坏性物理分析和降额要求等,对我国航天航空等高可靠领域中使用塑封微电路具有一定的借鉴意义.     

Si_(1-x)Ge_x材料和双极型器件的进展

Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料具有许多优良的性质,高质量的应变外延层可以把能带工程的概念引入到Ⅳ族器件之中。外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ基区的异质结双极型晶体管（ＨＢＴ）获得了优良的性能,并且,其具有可以同硅工艺兼容的优点,把Ｓｉ１－ｘＧｅｘ同Ｓｉ集成的ＢｉＣＭＯＳ工艺取得了很大的发展,已经达到了工业应用的水平。Ｓｉ１－ｘＧｅｘ工艺的发展,电路速度的提高,也促进了微波集成电路的进步,提高了ＳｉＭＭＩＣ的应用频段。从目前的发展现状来看,已经达到了在射频（ＲＦ）通信中广泛应用的阶段。     

Fluorene‐Based Asymmetric Bipolar Universal Hosts for White Organic Light Emitting Devices

Two new bipolar host molecules composed of hole‐transporting carbazole and electron‐transporting cyano ( CzFCN ) or oxadiazole ( CzFOxa )‐substituted fluorenes are synthesized and characterized. The non‐conjugated connections, via an sp³‐hybridized carbon, effectively block the electronic interactions between electron‐donating and ‐accepting moieties, giving CzFCN and CzFOxa bipolar charge transport features with balanced mobilities (10^?5 to 10^?6 cm² V^?1 s^?1). The meta–meta configuration of the fluorene‐based acceptors allows the bipolar hosts to retain relatively high triplet energies [E_T = 2.70 eV ( CzFOxa ) and 2. 86 eV ( CzFCN )], which are sufficiently high for hosting blue phosphor. Using a common device structure – ITO/PEDOT:PSS/DTAF/TCTA/host:10% dopants (from blue to red)/DPPS/LiF/Al – highly efficient electrophosphorescent devices are successfully achieved. CzFCN ‐based devices demonstrate better performance characteristics, with maximum η_ext of 15.1%, 17.9%, 17.4%, 18%, and 20% for blue (FIrpic), green [(PPy)₂Ir(acac)], yellowish‐green [m‐(Tpm)₂Ir(acac)], yellow [(Bt)₂Ir(acac)], and red [Os(bpftz)₂(PPhMe₂)₂, OS1], respectively. In addition, combining yellowish‐green m‐(Tpm)₂Ir(acac) with a blue emitter (FIrpic) and a red emitter (OS1) within a single emitting layer hosted by bipolar CzFCN , three‐color electrophosphorescent WOLEDs with high efficiencies (17.3%, 33.4 cd A^?1, 30 lm W ^?1), high color stability, and high color‐rendering index (CRI) of 89.7 can also be realized.     

塑封器件无损开封技术介绍

随着现代微电子行业的发展,对产品质量和结构安全性、使用可靠性提出了越来越高的要求。由于无损检测（NTD）技术具有不破坏试件、检测灵敏度高等优点,其应用日益广泛。塑封材料又以其低成本、生产工艺简单、适合大规模生产等特点,占据了整个微电子封装材料97％以上的市场。文章对塑封器件的开封技术及需要注意的事项进行了较详细的介绍和说明,列出了针对各种封装形式的无损开封方案,为无损开封的实际应用提供了便利。通过对塑封器件开封办法的研究,确保塑封器件的开封质量,为进一步对塑封器件进行DPA和失效分析建立了基础。     

塑封双极型功率晶体管的失效与案例分析

由于其自身的结构与封装形式,塑封双极型功率管存在很多可靠性问题.介绍了塑封双极型功率晶体管可靠性问题及失效机理,包括封装缺陷、粘结失效以及由于温度变化而引起的热应力失效和由于吸入潮气而导致的腐蚀失效.通过剖析一晶体管的失效机理,给出了对此类晶体管失效分析的方法和思路.讨论了晶体管存在异物、芯片粘结失效和热应力失效等失效模式.