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建立了异质结双极晶体管EB结空间电荷区复合电流的解析模型,基于该模型计算出了不同基区掺杂浓度下空间电荷区的复合率,获得了空间电荷区复合电流随机加电压的变化关系。 相似文献
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建立了异质结双极晶体管EB结空间电荷区复合电流的解析模型,基于该模型计算出了不同基区掺杂浓度下空间电荷区的复合率,获得了空间电荷区复合电流随外加电压的变化关系。 相似文献
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对现代的双极型晶体管而言,载流子在基极和集电极的空间电荷区(CB SCR)传输延迟可比基极渡越时间,甚至要大于后者。为了更精确地表征了SiGe HBT的射频噪声性能,对van Vliet模型做了扩展,使其包含基极集电极空间电荷区的延迟效应。用2个与噪声相关的延迟时间对transport模型进行了扩展,使得在没有非准静态Y参数的情况下仍然可以对基极和集电极电流噪声进行精确建模。最后,在JC=12.2 mA/μm2,AE=0.12×18μm2条件下,分别对2种模型的基极和集电极噪声电流谱及其归一化相关系数做图并与计算得出的解析值相比较,验证了模型的有效性。 相似文献
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选用电阻率高达1 000Ω·cm的硅衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分析了衬底阻抗影响器件高频性能的原理,计算出器件f_T和f_(max)随衬底电阻率变化的规律。测试结果表明,高电阻率衬底器件比n~+衬底器件的特征频率f_T提高了28%,而最高振荡频率f_(max)提高了47.7%;表明高电阻率衬底基本消除了SiGe HBT中大多数容性寄生网络;通过对器件的最小噪声系数的计算与测试分析,发现高阻Si衬底的引入使器件的噪声系数在低频时几乎不变,在高频时轻微增加。 相似文献
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基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
SiGe/Si HBT的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区,使得低温增益下降,提出采用适当厚度的隔离层的方法,使HBT电流增益在低温下增长。 相似文献