L-型域上Toeplitz算子代数的广群结构

讨论L-型域上Toeplitz C^*-代数C^*(Ω)所对应广群G的拓扑结构.用Euclid空间加法闭子群的分类方法对G的单位空间M_∞的拓扑结构进行了详细刻画。     

关于某些拟一致空间的超空间拓扑

设(X,τ)是一个拓扑空间。在本文中,我们证明了在超空间2^X上局部有限拓扑e^τ与局部有限覆盖拟一致u_LF所导出的超拓扑|2^u_LF|是相同的。我们还证明了下面条件是等价的:(1)(X,τ)是仿紧的;(2)(X,τ)是orth紧的,且e^τ=|2^u_FT|;(3)存在一个Lebes-yue拟一致u_L,使e^τ<     

L0-线性函数的Hahn-Banach扩张定理的几何形式与随机赋范模中的Goldstine-Weston定理

本文给出了关于L⁰- 线性函数的Hahn-Banach 扩张定理的几何形式并证明这个几何形式等价于它的代数形式. 进一步, 我们利用这个几何形式给出了随机局部凸模中熟知的基本分离定理的一个新的且简单的证明. 最后, 利用这个分离定理, 我们同时在两种拓扑 —(ε, λ)- 拓扑和局部L⁰- 凸拓扑下证明了随机赋范模中的Goldstine-Weston 稠密性定理, 并举出一个反例说明在局部L⁰- 凸拓扑下如果随机赋范模不具有可数连接性质, 则Goldstine-Weston 稠密性定理不一定成立.     

关于拓扑流形到某些欧氏空间的拓扑嵌入

本文研究了拓扑流形的拓扑嵌入问题,得出了边界为(k—1)-连通的n维k-连通紧带边拓扑流形能局部平坦地整齐嵌入D^2n-h,局部平坦地嵌入S^2n-h-1的一个充分性条件(0≤h≤2k),且给出了它的一些应用。     

关于R(Ax)闭的连续算子族Ax的Moore-Penrose广义逆Ax+连续的充要条件

设X是拓扑空间,A_x,闭值域R(A_x)为X→B(H)的连续映射,我们知道:即使在dim(H)有限的情况下,M.-P.逆A_x⁺:也不一定连续,A_x⁺连续的充要条件,对现代分析和应用数学的一些研究是很重要的,本文给出了,在一般拓扑空间X、局部紧拓扑空间X、A_x为Fredholm算子族等情况下,A_x⁺为连续的充分必要条件。     

Ω单一化拓扑稳定性

<正> 在微分动力系统稳定性理论研究中,对紧 Riemann 流形上满足公理 A 和无环条件的微分同胚,Smale,S.证明了其(?)稳定性,Nitecki,Z.证明了其(?)拓扑稳定性.对满足公理 A 和无环条件的覆盖映射,[2]证明了其(?)单一化稳定性,本文证明了其(?)单一化拓扑稳定性,部分地解决了 Nitecki,Z.在[1]中对自映射情形所提出的问题.     

R3上一个以Antonie项链为极小集合的拓扑动力系统

本文定义了R³到自身的拓扑映射φ,使得Antonie项链恰好是离散动力系统(R³,φ)的几乎周期极小集合,从而肯定地回答了Gottschalk的问题。     

代数拓扑I*函子论——复形上I*函子的具体计算与公理系统

根据恩格斯的经典定义,纯粹数学以现实世界中的空间形式与数量关系为其研究对象。这些数学中的基本观念并不是互不相关的,而往往通过量度联系起来。我们在以前曾引入了I^*的概念,以作为空间形式用数量关系表达的一种量度,依照现在代数拓扑中通行的辞汇,我们把这种量度叫做“函子”。这种I^*量度或I^*函子比拓扑学中其它常用函子的优越之处是它的能计算性。所谓能计算可这样理解:如果从已知的若干空间形式作出一个新的空间形式,则这一新空间形式的I^*函子可由这些已知空间形式的I^*函子所完全确定。对此,我们已有不少例证。本文首先指出I^*函子在原则上的能计算性,且对于代数拓扑中最为重要的有限复形,给出了有效的计算方法。其次,列举了I^*函子的一组特征性质,它们足以把I^*函子完全刻划出来。这些特征构成了通常所说的一个公理系统,最后,文中还考虑了无限复形的情形。     

强拓扑的可赋范化与可度量化

作者之一在［１，２］中就序列空间Λ而言，讨论了关于强拓扑β（Λ，Λ^×）的可赋范化与可度量化问题，并给出了它的一些特征。本文在更广泛的序列空间一矢值序列空间Λ［Ｘ］上，讨论了Λ［ｘ］关于强拓扑β（Λ［Ｘ］，Λ［Ｘ］^×）的可赋范化与可度量化问题，同时给出了它的一个特征．     

常平均曲率超曲面的曲率估计与稳定性

本文估计了空间形式Ｎ^ｎ＋１（ｃ）中常平均曲率超曲面上共形度量的曲率上界,并用其研究了Ｎ^ｎ＋１（ｃ）中常平均曲率超曲面的强稳定性．     

规范场对偶荷的主丛结构

在电磁场的规范理论中,磁单极g(电荷的对偶荷)周围的电磁场的性质,可以用以S²为底的非平凡U₁主丛P_D(S²,U₁)(D=2eg为整数)来描写。本文讨论了非平凡主丛P_D(S²,U₁)的拓扑性质,及其作为Riemann流形的几何结构。证明了P_D(S²,U₁)同构于Hopf丛S³/Z_D;在适当引入度规后,静止的单个磁单极的主丛P_D(S²,U₁)本身成为S³/Z_D。 此外,以SU₂规范场为例,考察了如何将对偶荷的概念推广到非Abel规范场的问题,讨论了相应的主丛的拓扑分类。基于球上主丛的同伦分类理论,文中指出,第二陈类可用来表征S⁴≈E⁴上的SU₂整体规范场的拓扑分类(规范型),因而定义第二陈类为SU₂对偶荷。文中还证明了,最小SU₂对偶荷的主丛P_D(S²,U₂)同构于Hopf丛S⁷,适当引入度规则构成七维球S⁷;相应的规范势恰好就是资料[7]的O₅不变的SU₂磁单极势,或者资料[8]中的Yang-Mills类粒子解。 我们采取的对主纤维丛的拓扑分类方法具有普遍性,可以推广到其它非Abel规范场的情形。     

在GCH之下Banach空间的拓扑同构

本文在广义连续统假设2^N_α=N_α+1(简记为GCH)下,给出Banach空间的一个拓扑同构定理。     

树映射迭代下的非游荡点集

设T为树且Ω( f )为连续自映射 f : T→T的非游荡点集.对于树T上的连续自映射 f :T→T证明了： (1) 如果x∈Ω( f )具有无限轨道,则对每一个n∈N有x∈Ω( f ⁿ). (2) 如果映射 f 的拓扑熵为零,则对每一个n∈N有Ω( f )=∈Ω( f ⁿ). 进一步地,对每一个k ∈N给出了使得对树T上的任意连续自映射 f 均有Ω( f ^k)=Ω( f ^nk)成立的自然数n的一个完全刻画.     

Ω单一化拓扑稳定性

在微分动力系统稳定性理论研究中,对紧 Riemann 流形上满足公理 A 和无环条件的微分同胚,Smale,S.证明了其(?)稳定性,Nitecki,Z.证明了其(?)拓扑稳定性.对满足公理 A 和无环条件的覆盖映射,[2]证明了其(?)单一化稳定性,本文证明了其(?)单一化拓扑稳定性,部分地解决了 Nitecki,Z.在[1]中对自映射情形所提出的问题.     

一类迭代函数方程的Cm解的存在性、唯一性和稳定性

讨论了较为广泛的一类迭代函数方程G(x,f(x) ,… ,fⁿ(x) ) =0 (对任意x∈J) ,在此J为实数轴R的连通闭子集 , G∈C^m(Jⁿ⁺¹> +1,R) ,n≥ 2 .通过采用小挪动映射逼近不动点的办法 ,借助于函数空间中的度量的选择 ,经过对一般空间映射的不动点的唯一性与稳定性之间的关系的讨论 ,对任一整数m≥ 0 ,在较弱的条件下证明了该方程的C^m解的存在性、唯一性和稳定性 ,从多个方面推广了有关文献中的已有结果     

Hilbert空间子空间的维数和半Fredholm算子的指标

对Hilbert空间H中的任意子空间,引入了一种广义维数并使其全序化.发现了可列个无限维数:∞~*<∞ⁿ<∞^m,其中n,m为整数且n>m.由此定义了半Fredholm算子SF(H)的广义指标.证明任意纯半Fredholm算子A∈SF₊(H)(SF_-(H))有Ind_gA=∞^*(-∞^*).这里的广义维数和指标是几何与拓扑的概念,像有限维数和Fredholm指标一样具有某些分析演算功能.作为例,证明了:对任意等距算子V₁,V₂,它们在H上左可逆算子B_i^x(H)中道路连通当且仅当Ind_gV₁=Ind_gV₂.从而推出,(?) A,B∈SF₊(H)(SF_-(H)),它们为道路连通的充要条件为Ind_gA=Ind_gB.其余有关SF(H)的结果,如指标经紧和小扰动的稳定性,Ind_g:SF(H)→ZU{-∞^*,∞^*}连续皆成立.     

关于拓扑熵下界的两点注记

设ｆ：Ｘ→Ｘ是紧连通多面体自映射，应用Ｎｉｅｌｓｅｎ不动点理论，我们给出了ｆ的拓扑熵ｈ（ｆ）的一个更好下界。另外，若ｆ：Ｔ^m→T^m是ｍ－环面自映射，我们还得到了ｌｏｇＮ^∞（ｆ）是{h(g)|g≈f:T^m→T^m}的下确界的一个充要条件，这里Ｎ（ｆ）是ｆ的渐近Ｎｉｅｌｓｅｎ数，从而局部解答了姜伯驹教授提出的一个问题。     

Ricci曲率平行的一类Riemann流形的C∞紧性

本文证明,在Gromov-Hausdorff拓扑下,Ricci曲率平行,截面曲率和单一半径有下界,体积有上界的Riemann流形的集合是c^∞紧的.作为应用,我们证明一个pinching结果,即在某些条件下,Ricci平坦的流形必定平坦.     

极小子流形的曲率估计与稳定性

本文给出空间形式中极小子流形共形度量的曲率上界估计,并用来研究极小子流形的稳定性。这就部分地解答了下述问题:已给极小子流形 Mⁿ?M^n+p,寻找一个仅与 Mⁿ和M^n+p的度量有关的条件,使得若区域 ?Mⁿ满足这个条件,则?是稳定的。     

高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制

采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备出了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),其光敏性(σ_ph/σ_d)达到10⁶量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm²的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出:高的光敏性及稳定性可归因于带隙缺陷态的显著减少和微结构的明显改善。在诸多因素中,大量原子态氢的退火处理和微量的硼补偿起到了重要作用。